近年來，以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用，因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點之一。 在模擬集成電路中，運算放大器是最基本的電路，所以設(shè)計低電壓、低功耗的運算放大器非常必要。在實現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計的過程中，必須考慮電路的主要性能指標。由于電源電壓的降低會影響電路的性能，所以只實現(xiàn)低壓、低功耗的目標而不實現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當?shù)摹?論文對國內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計方法做了廣泛的調(diào)查研究，分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點，在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計了一個3.3 V低功耗、高速、軌對軌的CMOS/BiCMOS運算放大器。在設(shè)計輸入級時，選擇了兩級直接共源一共柵輸入級結(jié)構(gòu)；為穩(wěn)定運放輸出共模電壓，設(shè)計了共模負反饋電路，并進行了共模回路補償；在偏置電路設(shè)計中，電流鏡負載并不采用傳統(tǒng)的標準共源-共柵結(jié)構(gòu)，而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu)；為了提高效率，在設(shè)計時采用了推挽共源極放大器作為輸出級，輸出電壓擺幅基本上達到了軌對軌；并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補償技術(shù)對運放進行頻率補償。 采用標準的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù)，對整個運放電路進行了設(shè)計，并通過了HSPICE軟件進行了仿真。結(jié)果表明，當接有5 pF負載電容和20 kΩ負載電阻時，所設(shè)計的CMOS運放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW，時延為16.8ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所設(shè)計的BiCMOS運放的靜態(tài)功耗達到10.2 mW，時延為12.7 ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°，各項技術(shù)指標都達到了設(shè)計要求。
標簽：
CMOSBiCMOS
低壓
低功耗
上傳時間：
2013-06-29
上傳用戶：saharawalker
