1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM COMMAND Description and Operation ............................................................................................. 244.1 COMMAND Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
標簽： DDR4
上傳時間： 2022-01-09
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FPGA那些事兒--Modelsim仿真技巧REV6.0，經典Modelsim學習開發設計經驗書籍-331頁。前言筆者一直以來都在糾結，自己是否要為仿真編輯相關的教程呢？一般而言，Modelsim 等價仿真已經成為大眾的常識，但是學習仿真是否學習Modelsim，筆者則是一直保持保留的態度。筆者認為，仿真是Modelsim，但是Modelsim 不是仿真，嚴格來講Modelsim只是仿真所需的工具而已，又或者說Modelsim 只是學習仿真的一部小插曲而已。除此之外，筆者也認為仿真可以是驗證語言，但是驗證語言卻不是仿真，因為驗證語言只是仿真的一小部分而已，事實上仿真也不一定需要驗證語言。常規告訴筆者，仿真一定要學習Modelsim 還有驗證語言，亦即Modelsim 除了學習操作軟件以外，我們還要熟悉TCL 命令（Tool COMMAND Language）。此外，學習驗證語言除了掌握部分關鍵字以外，還要記憶熟悉大量的系統函數，還有預處理。年輕的筆者，因為年少無知就這樣上當了，最后筆者因為承受不了那巨大的學習負擔，結果自爆了。經過慘痛的經歷以后，筆者重新思考“仿真是什么？”，仿真難道是常規口中說過的東西嗎？還是其它呢？苦思冥想后，筆者終于悟道“仿真既是虛擬建模”這一概念。虛擬建模還有實際建模除了概念（環境）的差別以外，兩者其實是同樣的東西。換句話說，一套用在實際建模的習慣，也能應用在仿真的身上。按照這條線索繼續思考，筆者發現仿真其實是復合體，其中包括建模，時序等各種基礎知識。換言之，仿真不僅需要一定程度的基礎，仿真不能按照常規去理解，不然腦袋會短路。期間，筆者發現愈多細節，那壓抑不了的求知欲也就愈燒愈旺盛，就這樣日夜顛倒研究一段時間以后，筆者終于遇見仿真的關鍵，亦即個體仿真與整體仿真之間的差異。常規的參考書一般都是討論個體仿真而已，然而它們不曾涉及整體仿真。一個過多模塊其中的仿真對象好比一塊大切糕，壓倒性的仿真信息會讓我們喘不過起來，為此筆者開始找尋解決方法。后來筆者又發現到，早期建模會嚴重影響仿真的表現，如果筆者不規則分化整體模塊，仿真很容易會變得一團糟，而且模塊也會失去連接性。筆者愈是深入研究仿真，愈是發現以往不曾遇見的細節問題，然而這些細節問題也未曾出現在任何一本參考書的身上。漸漸地，筆者開始認識，那些所謂的權威還有常規，從根本上只是外表好看的紙老虎而已，細節的涉及程度完全不行。筆者非常后悔，為什么自己會浪費那么多時間在它們的身上。可惡的常規！快把筆者的青春還回來！ 所以說，常規什么的最討厭了，最好統統都給我爆炸去吧！嗚咕，過多怨氣實在一言難盡，欲知詳情，讀者自己看書去吧...
上傳時間： 2022-05-02
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產品為主。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標準接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優點eMMC目前是最當紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，過去并沒有哪個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術，手機客戶也都要重新設計， 但半導體產品每1 年制程技術都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風行起來。eMMC的設計概念，就是為了簡化手機內存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優點是縮短新產品的上市周期和研發成本，加速產品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術變化很快，特別是TLC 技術和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰，使用eMMC產品，主芯片廠商和客戶就無需關注Flash 內部的制成和產品變化，只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產品開發的難度和加快產品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區塊技術 (Wear Leveling) 、區塊管理（ COMMAND Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優點在于生產廠商可節省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關心NAND Flash 芯片的制程技術演變和產品更新換代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產品上市的時間，保證產品的穩定性和一致性。
標簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：jiabin
B300-B300SP2 功能差異.xlsxM531X DM流程_v2.0.pdfM531X HTTP AT指令手冊v1.4.pdfM531X MQTT 使用指導_v1.3.pdfM531X OneNET 參考手冊_v1.6.pdfM5310 & M5310-A差異文檔.pdfM5310A AT COMMAND B300SP5-MH0S04.pdfM5310-A FOTA 升級手冊_v1.0.pdfM5310-A LWM2M AT指令手冊v1.4.pdfM5310-A MBRH0S04更新日志.pdfM5310-A TCPIP應用指導_v1.2.pdfM5310-A UART低功耗應用指導_v1.0.pdfM5310-A_EVB用戶使用指南V1.0.pdfM5310-A-MBRH0S02更新日志.pdfM5310-A-MBRH0S03更新日志.pdfM5310-A參考設計V1.5.pdfM5310-A硬件設計手冊_V1.7.pdfM5310-封裝.zipOneNET 平臺FOTA 升級(NB-IOT)_v1.0.pdf
上傳時間： 2022-06-24
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這一講中將介紹Keil提供各種窗口如輸出窗口、觀察窗口、存儲器窗口、反匯編窗口、串行窗口等的用途，以及這些窗口的使用方法，并通過實例介紹這些窗口在調試中的使用。一、程序調試時的常用窗口Keil軟件在調試程序時提供了多個窗口，主要包括輸出窗口（Output Windows）、觀察窗口（Watch&Call Statck Windows）、存儲器窗口（Memory Window）、反匯編窗口（Dissambly Window）串行窗口（Serial Window）等。進入調試模式后，可以通過菜單View下的相應命令打開或關閉這些窗口。圖1是輸出窗口、觀察窗口和存儲器窗口，各窗口的大小可以使用鼠標調整。進入調試程序后，輸出窗口自動切換到COMMAND頁。該頁用于輸入調試命令和輸出調試信息。對于初學者，可以暫不學習調試命令的使用方法。
上傳時間： 2022-07-22
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