5800C Fm芯片資料和驅(qū)動(dòng)代碼 技術(shù)特點(diǎn): *國(guó)內(nèi)首顆采用CMOS工藝的調(diào)頻收音機(jī)芯片; *驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),可直接驅(qū)動(dòng)耳機(jī)及放大器; *功耗低,比國(guó)外先進(jìn)方案還低1mA; *頻率覆蓋從76M-108M的各國(guó)調(diào)頻波段; *高度集成度,所需外圍器件數(shù)為零; *強(qiáng)大的LOW-IF數(shù)字音頻結(jié)構(gòu); *強(qiáng)大的數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)(DSP),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)頻率控制和自動(dòng)增益控制; *數(shù)字自適應(yīng)噪聲抑制 接受靈敏度高、音質(zhì)出色、立體聲效果優(yōu)異; *支持重低音,可調(diào)式電臺(tái)搜尋、柔軟靜音和混音等功能; *只需一個(gè)32.768K晶振作為參考時(shí)鐘; *支持I2C和SPI數(shù)字接口,支持I2S音頻接口,可以配合所有多媒體處理芯片; *可調(diào)去加重(50/75 us) ; *模擬和數(shù)字音量控制; *線性模擬輸出電壓; *兩線和三線控制接口模式; *封裝面積: 4×4mm,24-pin QFN
標(biāo)簽: 5800C CMOS 驅(qū)動(dòng) 芯片資料
上傳時(shí)間: 2017-06-21
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可編程邏輯器件相關(guān)專輯 96冊(cè) 1.77GCMOS電路模擬與設(shè)計(jì)-基于Hspice 348頁 24.4M.pdf
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G實(shí)用數(shù)字電路手冊(cè):TTL CMOS ECL HTL 923頁 8.2M.pdf
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G常用CMOS速查手冊(cè) 534頁 4.5M.pdf
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G中國(guó)集成電路大全 高速CMOS集成電路 777頁 13.6M.pdf
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G高速CMOS數(shù)字集成電路實(shí)用手冊(cè) 365頁 8.2M.pdf
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電路 54-74HC全系列高速CMOS數(shù)據(jù)手冊(cè)(中文).pdf
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電路 4000 CMOS 全系列數(shù)據(jù)手冊(cè)(中文).pdf
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數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)+標(biāo)準(zhǔn)集成電路數(shù)據(jù)手冊(cè)--TTL電路 高速CMOS電路接口電路 電子書4本合集電子、通信、計(jì)算機(jī)、信息與自動(dòng)控制等專業(yè)開設(shè)的《數(shù)字電子技術(shù) 基礎(chǔ)》及其實(shí)驗(yàn)等專業(yè)基礎(chǔ)課,旨在加深學(xué)生對(duì)理論知識(shí)的理解,培養(yǎng)學(xué) 生分析、設(shè)計(jì)、組裝和調(diào)試數(shù)字電路的基本技能,掌握科學(xué)的實(shí)驗(yàn)方法, 為以后其它專業(yè)課的學(xué)習(xí)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。為此,應(yīng)加強(qiáng)各種形式的實(shí)踐 活動(dòng)。 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,尤其是微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,數(shù)字電 路的實(shí)驗(yàn)手段不斷得到更新、完善和發(fā)展。除了采用常規(guī)的 TTL、COMS 器件 (邏輯門電路,觸發(fā)器,計(jì)數(shù)器等)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)外,以后將逐步走向使用 PLD (可編程邏輯器件)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)、開發(fā)。采用 CPLD/FPGA 可編程邏輯器件,借 助計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行數(shù)字電路的設(shè)計(jì),這種硬件軟件化的方法具有設(shè) 計(jì)容易,修改和調(diào)試方便的優(yōu)點(diǎn),有效的提高了實(shí)驗(yàn)效率。 本書根據(jù)教育部啟動(dòng)的“面向 21 世紀(jì)高等工程教育教學(xué)內(nèi)容和課程體 系改革計(jì)劃”的要求,在廠家所提供的資料及設(shè)備基礎(chǔ)上編寫而成,涵蓋了 《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程全部實(shí)驗(yàn)內(nèi)容,建立一種綜合性、開放性、設(shè)計(jì) 性和創(chuàng)造性的實(shí)驗(yàn)教學(xué)模式,可根據(jù)專業(yè)教學(xué)要求選擇實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容的安排遵循由淺入深,由易到難的原則,考慮不同層次需要, 既有測(cè)試、驗(yàn)證的內(nèi)容,也有設(shè)計(jì)、研究的內(nèi)容,可以充分發(fā)揮學(xué)生的主動(dòng) 性和創(chuàng)造性,進(jìn)一步提高學(xué)生的實(shí)驗(yàn)技能和理論分析能力。
標(biāo)簽: 數(shù)字電子 集成電路 ttl cmos 接口
上傳時(shí)間: 2022-03-20
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《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念,同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展。《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》由淺入深,理論與實(shí)際結(jié)合,提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響,第14、15章介紹振蕩器和沒相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。
上傳時(shí)間: 2022-06-29
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