sony Cmos傳感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) Cmos active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)
標簽： Cmos傳感器 IMX178LQJ-C
上傳時間： 2022-06-18
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CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和Cmos圖像傳感器（Cmos Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用Cmos集成電路工藝制程中實現，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術。CIS是90年代興起的新技術，掌握該技術的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術出現早，相對成熟，前期占據了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產品。隨著CIS技術的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據幾乎全部的便攜設備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統優勢市場——監控市場發起沖擊。下面就監控專用CIS與傳統CCD進行綜合對比。
上傳時間： 2022-06-23
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CCD 和Cmos 的區別一、CCD 和Cmos 在制造上的主要區別是CCD 是集成在半導體單晶材料上，而Cmos 是集成在被稱做金屬氧化物的半導體材料上，工作原理沒有本質的區別。CCD 只有少數幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術。而且CCD 制造工藝較復雜，采用CCD 的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經過技術改造，目前CCD 和Cmos 的實際效果的差距已經減小了不少。而且Cmos 的制造成本和功耗都要低于CCD 不少，所以很多攝像頭生產廠商采用的Cmos 感光元件。成像方面：在相同像素下CCD 的成像通透性、明銳度都很好，色彩還原、曝光可以保證基本準確。而Cmos 的產品往往通透性一般，對實物的色彩還原能力偏弱， 曝光也都不太好， 由于自身物理特性的原因， Cmos 的成像質量和CCD還是有一定距離的。但由于低廉的價格以及高度的整合性， 因此在攝像頭領域還是得到了廣泛的應用。
上傳時間： 2022-06-23
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《模擬Cmos集成電路設計》介紹模擬Cmos集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。《模擬Cmos集成電路設計》由淺入深，理論與實際結合，提供了大量現代工業中的設計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和沒相環。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應及其模型、Cmos制造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。
上傳時間： 2022-06-29
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主要講解Cmos工藝下射頻電路的設計以及分析方法，從電路基礎到電路元器件，到系統，到模塊到集成都進行了詳細的講解介紹。
上傳時間： 2022-06-30
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原版英文PDF電子書免費下載：Digital Integrated Circuit Design From VLSI Architectures to Cmos Fabrication，891頁 本書從架構和算法講起，介紹了功能驗證、vhdl建模、同步電路設計、異步數據獲取、能耗與散熱、信號完整性、物理設計、設計驗證等必備技術，還講解了vlsi經濟運作與項目管理，并簡單闡釋了Cmos技術的基礎知識，全面涵蓋了數字集成電路的整個設計開發過程。 本書既可以作為高等院校微電子、電子技術等相關專業高年級師生和研究生的參考教材，也可供半導體行業工程師參考。 現代電子系統日益復雜，隨著半導體工藝水平的提高，單芯片的集成度和功能得以不斷增強，其設計復雜度和各種風險也隨之變大，甚至影響到投資者對研發新的更復雜系統芯片的信心。但是，為了有效降低便攜式移動系統的產品單位成本和能量消耗，同時為了在產品獨特性方面有競爭力，越來越多的電子產品仍然必須采用專用芯片解決方案。因此，深入了解數字集成電路設計的基本方法和關鍵問題，并明確開發過程的各個實踐環節存在的風險，就變得十分必要。 本書是一本將超大規模數字電路基本概念原理與工程實踐管理相結合的綜合性教材。作者根據自己多年的教學和工程實踐經驗，從工程實踐的關鍵問題出發，對超大規模數字電路的全部講授內容進行了一次全新的梳理，形成了清晰的解決思路。在數字集成電路設計的各個環節，作者重點闡述了設計研制中必須考慮的關鍵因素，在豐富經驗基礎上對設計中常常出現的問題進行了詳盡的討論，可以幫助研究生和資深工程師完善自身的設計經驗和能力，也可以幫助項目管理者明確各個環節的工作重點，規避研發環節的風險。 本書和其他數字集成電路教科書相比，有兩個突出的特點。第一是自頂向下的組織方式，從算法的架構設計開始，討論了同步設計的各種時鐘技術、設計驗證、散熱和封裝問題，還討論了VLSI（超大規模集成電路）經濟學與項目管理。讀者可以根據自身需要直接閱讀感興趣的章節，而不需要很多半導體物理與器件方面的知識。第二是實用性。本書用了相當多的篇幅討論了工程實踐的問題，例如給出了一個很好的設計數據組織方法，還有很多檢查列表與提醒。 在目前的集成電路項目里，大量使用了重用的虛擬元件，通常有十幾個到幾十個時鐘，驗證工作量也要占到整個項目周期和投資的50%~70%，關于虛擬元件、時鐘方案、VLSI經濟學、項目管理、功能驗證、設計驗證等內容的討論都可以直接作為實際項目實踐的參考。總之，本書的內容相當全面并有一定深度，基本涵蓋了數字集成電路設計的各個方面，非常適合用作學習數字集成電路設計的高年級本科生與研究生的教科書，也適合作為正在從事數字集成電路開發的工程人員的參考書。
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上傳時間： 2022-06-30
上傳用戶：kristycreasy
基于Cmos攝像頭hmc5883＋mpu6050的模擬滅火訓練系統
上傳時間： 2022-07-06
上傳用戶：fliang
基于Cmos反相器石英晶體振蕩電路的PSPICE仿真
上傳時間： 2022-07-07
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有關半導體封裝產業的技術和動態日新日異，不僅因為科技進步、對科技產品需求量大增，同時也是因為整個封裝制造業的大環境及前景也在改變，因此如何提供一本關于Cmos封裝的書籍就顯得格外重要。希望本書對千那些剛踏入封裝這個行業，或是未來想要從事該行業的工程師或技術人員能有所參考與依循，并配合適當的訓練課程來減少摸索時間 ，這也是本書的主要目的。同時為求快速學習，對各工序方式、機臺設備等都力求以最自然的方式描述概念，并結合相關實例講解，以達到更好的學習理解的功效。
上傳時間： 2022-07-09
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本文先設計了一種高性能的Cmos模擬集成溫度傳感器，并在電路中設計了ESD保護電路和啟動電路，以保證電路工作點正常與性能優良。該電路具有結構簡單、工作電壓低、電源抑制比高和線性度良好的特點。采用HSPICE對該溫度傳感器電路進行了模擬仿真，仿真結果表明其電源抑制比可以達到64dB，在-50℃~150℃溫度范圍內，電壓溫度系數可以達到2.9mV/K，線性度良好。而后在原集成溫度傳感器電路研究成果的基礎上，設計了一種用于Cmos集成溫度傳感器二次非線性項修正的曲率校正電路，該電路有效解決了Cmos溫度傳感電路中電阻溫度系數和PN結電壓二次非線性項對輸出線性度的影響。應用了該校正電路的Cmos 溫度傳感系統已在0.6um 標準 Cmos工藝中研制實現，實驗結果表明在-50℃~+150℃的溫度范圍內該溫度傳感系統的最大誤差小于1.5℃。該研究的成果可用于一些高精度的應用場所，比如冷暖空調、醫療儀器，自檢測系統等諸多領域中，具有顯著的研究意義和廣泛的應用前景。
上傳時間： 2022-07-12
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