Cox方法展頻水印matlab源碼，對bitmap圖像隱藏信息
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：003030
當今信號處理的熱點問題, 數字水印和信息隱藏源碼 Cox
上傳時間： 2015-04-27
上傳用戶：playboys0
D. R. Cox寫的統計推斷原理，2006年的新書，大家看看吧，很不錯
上傳時間： 2016-04-14
上傳用戶：sdq_123
ofdm符號同步算法-schmidl&Cox算法的matlab實現
上傳時間： 2016-12-06
上傳用戶：小眼睛LSL
Linux程序設計（第三版） Neil Matthew, Richard Stones, Alan Cox 著
標簽： Matthew Richard Stones Linux
上傳時間： 2013-12-21
上傳用戶：zhengzg
利用三次樣條函數考察Cox模型比例風險假定.rar
上傳時間： 2014-01-06
上傳用戶：wlcaption
Cox方法的仿真相信對理解這個的人，是會有著很大的幫助的
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：caiiicc
這個小程序可以簡單的選取回歸分析中box-Cox變換的lambda值，通過matlab強大的矩陣運算功能可以通過簡單比較RSS值的方式來得到lambda，使用時只需要輸入實驗值矩陣X和Y即可，然后輸入minRSS（X，Y）就能簡單明了的看到最優變換參數 （這個程序雖然小但是學習回歸分析的初學者學習時都會經過這個算法，上載時因為不到1KB所以我又放了個文本格式的）
上傳時間： 2017-09-09
上傳用戶：aig85
Micro In-System Programmer Brief Installation Notes Enter the src directory. If uisp does not compile successfully, add switch -DNO_DIRECT_IO in the Makefile to remove support for direct I/O port access (that may be necessary on non-PC architectures). Parallel port access should still work if you have the Linux ppdev driver (patch for 2.2.17 is in the kernel directory, ppdev is standard in 2.4 kernels). Please lobby Alan Cox to include this tiny little driver in 2.2.x too :). To make it type: make and to install it: make install If you have any further doubts, please consult UISP s homepage: http://www.nongnu.org/uisp/
標簽： Installation Programmer In-System directory
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：小儒尼尼奧
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
