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Cs模式

基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計(jì)

針對(duì)傳統(tǒng)第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問(wèn)題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過(guò)采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個(gè)電流傳輸器和2個(gè)電容即可完成設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可行性。

標(biāo)簽： CCCII 電流模式二階帶通濾波器設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-15

上傳用戶：jqy_china
基于新型CCCII的電流模式積分電路

介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進(jìn)行輸入為正弦波和方波時(shí)的輸出波形的仿真驗(yàn)證。

標(biāo)簽： CCCII 電流模式積分電路

上傳時(shí)間： 2013-10-22

上傳用戶：wtrl
開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

標(biāo)簽： MOSFET 開(kāi)關(guān)電源功率分

上傳時(shí)間： 2013-11-14

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峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計(jì)

峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： DCDC 峰值電流單片式變換器

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：debuchangshi
五種PWM反饋控制模式研究

五種PWM反饋控制模式研究

標(biāo)簽： PWM 反饋控制模式

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：Amygdala
結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較中文

結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較中文

標(biāo)簽： 電流模式電壓模式比較

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶：1406054127
全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析

全橋DCDC變換器平均電流控制模式控制分析

標(biāo)簽： DCDC 全橋變換器分

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：jackgao
SM8015大功率電流模式PWM控制芯片

鉦銘科SM8015是一個(gè)離線式中大功率電流模式PWM控制芯片，應(yīng)用于AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。采用多模式自動(dòng)切換控制方式，滿足系統(tǒng)的低待機(jī)功耗（<0.3W,265V AC），高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、VDD過(guò)壓保護(hù)等完善的保護(hù)功能以提高系統(tǒng)可靠性。封裝形式：DIP8、SOP8

標(biāo)簽： 8015 PWM SM 大功率

上傳時(shí)間： 2013-10-27

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SM8013C電流模式的PWM離線式控制芯片

鉦銘科SM8013C是一款電流模式的PWM離線式控制芯片，直接驅(qū)動(dòng)外部高壓MOS管。采用自適應(yīng)多模式工作方式，根據(jù)負(fù)載情況，自動(dòng)切換到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，滿足系統(tǒng)的低待機(jī)功耗（<0.3W,265V AC），高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成多種保護(hù)功能，如過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、VDD過(guò)壓保護(hù)和VDD欠壓保護(hù)等多種保護(hù)。封裝形式：DIP8、SOP8、SOT23-6

標(biāo)簽： 8013C 8013 PWM SM

上傳時(shí)間： 2013-12-08

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高PF反激臨界模式開(kāi)關(guān)電源的環(huán)路設(shè)計(jì)

目前開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)上單端反激式的開(kāi)關(guān)電源占有很大的份額，控制環(huán)路的設(shè)計(jì)是反激電源中關(guān)鍵的步驟之一。主要對(duì)基于L6561臨界（TM）模式下高功率因數(shù)（PF）單端反激式開(kāi)關(guān)電源的控制環(huán)路設(shè)計(jì)進(jìn)行了論述，文中通過(guò)對(duì)環(huán)路中各級(jí)的傳遞函數(shù)進(jìn)行了定性分析和定量計(jì)算，進(jìn)而給出了環(huán)路的補(bǔ)償電路。通過(guò)選擇合適的相位裕量來(lái)保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并通過(guò)圖解法驗(yàn)證了該環(huán)路可以使系統(tǒng)具有較好的穩(wěn)定性。

標(biāo)簽： 反激臨界模式開(kāi)關(guān)電源環(huán)路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-10-14

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