新型小型化超寬帶功率分配器的設計
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析，導出設計參數方程，并通過HFSS進行仿真優化。仿真和測量結果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6...
DB-Libray技術資料
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?? DB-Libray熱門資料
查看全部345個資源 ?一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在...
一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變...
W波段反對稱漸變探針過渡轉換的設計
介紹了一種反對稱漸變波導微帶探針過渡結構，采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個波導微帶過渡結構在 W 頻段的特性，并對影響過渡性能的幾個因素進行了敏感性分析，得出了可供工程應用參考的設計曲線。在全波導帶寬內，實現了插入損耗小于0.088 dB，回波損耗大于27 dB。該結構具有寬頻帶、結構簡單和易...
抑制同步開關噪聲的新穎電磁帶隙結構
文中提出了一種應用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙（MS-EBG）結構,其單位晶格由折線縫隙組合與正方形貼片橋接構成,以抑制同步開關噪聲。結果表明,抑制深度為-30 dB時,與傳統L-bridged EBG結構比較,新EBG結構的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6～...
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