射頻功率放大器存在于各種現代無線通信系統的末端，所以射頻功率放大器性能的優劣直接影響到整個通信系統的性能指標。如何在兼顧效率的前提下提高功放的線性度是近年來國內外的研究熱點，在射頻功率放大器的設計過程中這是非常重要的問題。 作為發射機末端的重要模塊，射頻功率放大器的主要任務是給負載天線提供一定功率的發射信號，因此射頻功率放大器一般都工作在大信號條件下。所以設計射頻功率放大器時，器件的選型和設計方式都和一般的小信號放大器不同，尤其在寬帶射頻功率放大器的設計過程中，由于工作頻帶很寬，且要綜合考慮線性度和效率問題，所以射頻功率放大器的設計難度很大。 本文設計了一個工作頻帶為30-108MHz，增益為25dB的寬帶射頻功率放大器。由于工作頻帶較寬，輸出功率較大，線性度要求高；所以在實際的過程中采用了寬帶匹配，功率回退等技術來達到最終的設計目標。 本文首先介紹了關于射頻功率放大器的一些基礎理論，包括器件在射頻段的工作模型，使用傳輸線變壓器實現阻抗變換的基本原理，S參數等，這些是設計射頻功率放大器的基本理論依據。然后本文描述了射頻功率放大器非線性失真產生的原因，在此基礎上介紹了幾種線性化技術并做出比較。然后本文介紹了射頻功率放大器的主要技術指標并提出一種具體的設計方案，最后利用ADS軟件對設計方案進行了仿真。仿真過程包括兩個步驟，首先是進行直流仿真來確定功放管的靜態工作點，然后進行功率增益即S21的仿真并達到設計要求。
上傳時間： 2013-07-28
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設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。
上傳時間： 2014-12-24
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(Ebook - Electronics) - Advanced Techniques In Rf Power Amplifier Design (Cripps 2002)射頻功率放大器設計
標簽： Electronics Techniques Amplifier Advanced
上傳時間： 2013-12-24
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上傳時間： 2021-11-10
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上傳時間： 2021-11-10
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上傳時間： 2021-11-13
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上傳時間： 2021-12-05
上傳用戶：得之我幸78
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上傳時間： 2021-12-08
上傳用戶：kingwide
射頻功率放大器在通信系統中已經得到大量應用，在實現信號放大功能中屬于關鍵性構成組件部分。研制射頻功率放大器必須要符合諸多的指標，而且不可缺少的一項就是穩定性。射頻功率放大器是一種高頻信號放大器，存在顯著的內部無源元件寄生效應，放大器傳輸信號期間，可以導致信號源阻抗或負載阻抗等不能良好地匹配于放大器網絡的現象，加之其他因素的影響，會容易讓射頻功率放大器出現正反饋，由此引發自激振蕩，嚴重情況下損壞到設備。鑒于此，文章在分析射頻功率放大器穩定性的基礎上進行科學的設計，防止產生嚴重的損失問題，給實踐工作提供有價值的指導。
標簽： 射頻功率放大器
上傳時間： 2022-06-16
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
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