基于Samsung2410平臺的PCMCIA中的DMA測試程序和Wait程序，還有經(jīng)編譯后的CPLD參數(shù)。
標(biāo)簽： Samsung PCMCIA 2410 Wait
上傳時間： 2013-08-24
上傳用戶：黃華強
重要代碼,FPGA CYCLONE FLASH DRIVER
標(biāo)簽： CYCLONE DRIVER FLASH FPGA
上傳時間： 2013-08-28
上傳用戶：1079836864
8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址
標(biāo)簽： 128 FlashRom 8051 KB
上傳時間： 2013-08-30
上傳用戶：cainaifa
這是一款USB接口ISP1582器件實現(xiàn)DMA傳輸?shù)妮o助電路的硬件設(shè)計源代碼
上傳時間： 2013-09-05
上傳用戶：1142895891
This document and the associated reference design provide guidance for assigning anddebugging software to or in FLASH memory, specifically for a MicroBlaze™ embeddedprocessor design.
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：dgann
Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個電路設(shè)計為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計)，其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度，低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高，設(shè)計過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標(biāo)志，出現(xiàn)未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對應(yīng)管腳和3245的對應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板，在表層走線，所以要選用“Microstrip”，然后點“Value”進行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch，對線長為1.7inch)?，F(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭：為發(fā)現(xiàn)更多的信息，我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M，數(shù)據(jù)單沿采樣，數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M，對應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下：之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關(guān)心的是接收端(DRAM)信號，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設(shè)計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計要求，而其他的56位都是一對一，經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計要求，但有一點需注意，就是寫數(shù)據(jù)時因為存在回沖，DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導(dǎo)致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會出錯，還需要改版加串阻。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：dudu121
N79E8132移動電源方案功能介紹 本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機，可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作，具備4K FLASH，4K DATAFLASH，512B RAM，高精度10位ADC，內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓，內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器，并具有可分頻的時鐘供單片機核心使用，可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時鐘，提高工作效率，具備外部中斷、按鍵中斷，可以靈活實現(xiàn)單片機進入掉電模式后的喚醒功能，具備停機、掉電模式，在產(chǎn)品不使用的時候進入掉電模式，實現(xiàn)環(huán)保節(jié)能，支持ICE仿真工具，ICP、串口ISP燒寫，開發(fā)硬件成本低。軟件開發(fā)可以使用KEIL C，容易上手。 充電部分采用通用的TP4056，價格便宜，容易采購，可以通過外部元件靈活配置充電電流。 升壓部分采用日本精工的S8365，工作頻率1.2M，外置MOS，容易實現(xiàn)大電流，高效率，電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入： USB 5V/1A ，充電電流可達(dá)500-850mA，可根據(jù)需要進行設(shè)置 2. 輸出： USB 5V/1A，效率最高可達(dá)到90％以上，可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示： （可根據(jù)需要自行設(shè)定） 四燈全亮 75%-100% 三個指示燈亮 50%-75% 兩個燈亮 25%-55% 一個指示燈亮 5%-25% 無指示燈亮 5%以下 4.充電指示： 25%以下 一個指示燈閃 25%-50% 一個指示燈亮 第二個閃 50%--75% 二個指示燈亮 第三個閃 75%-99% 三個指示燈亮 第四個閃 100% 四個指示燈長亮。 5．智能保護： 低電保護：電池電壓低于3V時自動關(guān)閉升壓 放電保護：放電電流大于額定電流自動關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護) 溫度保護：檢測電池溫度，高于55度自動關(guān)閉升壓輸出（可選） 低電流關(guān)機：當(dāng)外部設(shè)備的電流需求小于100mA時，關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6．按鍵操作： 短按按鍵，4個LED顯示剩余電量3～5秒自動關(guān)閉 按鍵長按， LED點亮，閃爍3次后開啟升壓，顯示電量，30秒內(nèi)沒有連接外部設(shè)備自動關(guān)機。 開機狀態(tài)長按，點亮照明LED，再長按熄滅照明LED，照明LED點亮狀態(tài)不會進入自動關(guān)機 帶照明功能。（可選）8．原理圖 9．BOM 序號 類型 參數(shù) 位號 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說明
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：sxdtlqqjl
寫XS128的D-Flash的三個程序案例
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：13925096126
深聯(lián)華集成電路有限公司推出一款防破解，堵漏洞的單片機，可以很好的保護到您的知識產(chǎn)權(quán)， 此單片機兼容51系列，且與51系列內(nèi)置相似。我們產(chǎn)品的優(yōu)勢： 1.在同樣振蕩頻率下，較之傳統(tǒng)的8051芯片它具有運行更快，性能更優(yōu)越的特性； 2.這些特性包括內(nèi)置256字節(jié)RAM和2個16位定時器/計數(shù)器，1個UART和外 部中斷INT0和INT1； 3.可兼容8052芯片的16位定時器/計數(shù)器(Timer2)。包括適合于程序和數(shù)據(jù)的 62K字節(jié)Flash存儲器。 4.集成了EUART，SPI等標(biāo)準(zhǔn)通訊模塊，還集成了具有內(nèi)建比較功能的ADC，PWM定時器以及模擬比 較器(CMP)等模塊； 5.內(nèi)建看門狗定時器，采用低電壓復(fù)位、低電壓檢測、振蕩器失效檢測等功能，提供了2種低功耗省電模式； 6.高達(dá)32位的密碼生成器-1/50億(1/1G)的破解概率； 7.白噪聲密碼，沒有規(guī)律可循，加密后原廠也無法破解；每顆芯片都有自己的 密碼，同樣的密碼不可重用； 8.程序有防盜措施，即使破解后獲得芯片中的程序也是亂碼。
標(biāo)簽： 規(guī)格書
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：維子哥哥
鑒于市場上常見的51系列8位單片機的售價比較低廉，我們的設(shè)計采用了P89V51RB2FN單片機作為主控制器，P89V51RB2FN 是一款80C51 微控制器，包含16kB Flash 和256 字節(jié)的數(shù)據(jù)RAM ，3 個16 位定時器/計數(shù)器，8 個中斷源，4 個中斷優(yōu)先級，2 個DPTR 寄存器[19]；主要負(fù)責(zé)系統(tǒng)的控制與協(xié)調(diào)工作。具體方案如下：首先，利用單片機檢測各種模擬信號，通過接收鍵盤送來的命令，確認(rèn)功能設(shè)置，實現(xiàn)數(shù)據(jù)裝入和實時監(jiān)控，其次，根據(jù)CPU發(fā)出的信號控制語音播報、顯示等功能，用軟件實現(xiàn)系統(tǒng)定時功能，節(jié)省了硬件成本的開銷。這樣的設(shè)計使安裝和調(diào)試工作可以并行進行，極大地縮短了總體設(shè)計和制造的時間，綜合考慮以上因素。
標(biāo)簽： 微波爐
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：wanqunsheng
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