倒數(shù)計(jì)時器 提供時間到關(guān)機(jī)的功能 可自由設(shè)定是否關(guān)機(jī)或者提供警示
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上傳時間： 2016-02-02
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一個很好用的 lcd 時鐘程序 C語言 #include<reg51.h> #include<stdio.h> //定義計(jì)時器0 的重裝值 #define RELOAD_HIGH 0x3C #define RELOAD_LOW 0xD2 //定義按鍵彈跳時間 #define DB_VAL //定義設(shè)置模式的最大時間間隔 #define TIMEOUT 200 //定義游標(biāo)位置常數(shù) #define HOME 0 #define HOUR 1 #define MIN 2 #define SEC 3
標(biāo)簽： include define RELOAD stdio
上傳時間： 2014-12-19
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小弟撰寫的類神經(jīng)pca對圖片的壓縮與解壓縮,對來源圖片training過後,可使用該張圖像的特性(eigenvalue和eigenvetex)來對別張圖解壓縮,非常有趣的方式,再設(shè)定threashold時注意時值不要過大,因?yàn)檫@牽涉inverse matrex的計(jì)算.
標(biāo)簽： eigenvalue eigenvetex threashol training
上傳時間： 2015-12-02
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ESD靜電放電設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： ESD 靜電放電
上傳時間： 2013-06-22
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ESD電路與器件
標(biāo)簽： ESD 電路 器件
上傳時間： 2013-06-27
電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實(shí)際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評價試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理
標(biāo)簽： ESD 電子元器件 講義
上傳時間： 2013-07-13
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專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊-9020M ESD電路與器件-34頁-8.6M.pdf
標(biāo)簽： ESD 8.6 34
上傳時間： 2013-04-24
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專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊-9020M ESD靜電放電設(shè)計(jì)-20頁-1.0M.pdf
標(biāo)簽： ESD 1.0 20
上傳時間： 2013-06-26
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雙向?qū)崟r的usb接口應(yīng)用越來越廣泛，如何減少靜電放電ESD是關(guān)鍵。
標(biāo)簽： usb ESD
上傳時間： 2013-08-01
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靜電行業(yè)最新標(biāo)準(zhǔn)－ESD S20.20標(biāo)準(zhǔn)(2007）
標(biāo)簽： 20.20 2007 ESD 靜電
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