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F-RAM

鐵電隨機存儲器(F-RAM),相對于其它類型的半導體技術(shù)而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。
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