MAX19713：超低功耗、高集成度混合信號(hào)模擬前端(AFE)，工作在全雙工(FD)模式，可理想用于寬帶通信系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2017-01-26
上傳用戶：asddsd
/****************temic*********t5557***********************************/ #include <at892051.h> #include <string.h> #include <intrins.h> #include <stdio.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define ulong unsigned long //STC12C2051AD的SFR定義 sfr WDT_CONTR = 0xe1;//stc2051的看門狗?????? /**********全局常量************/ //寫卡的命令 #define write_command0 0//寫密碼 #define write_command1 1//寫配置字 #define write_command2 2//密碼寫數(shù)據(jù) #define write_command3 3//喚醒 #define write_command4 4//停止命令 #define TRUE 1 #define FALSE 0 #define OK 0 #define ERROR 255 //讀卡的時(shí)間參數(shù)us #define ts_min 250//270*11.0592/12=249//取近似的整數(shù) #define ts_max 304//330*11.0592/12=304 #define t1_min 73//90*11.0592/12=83:-10調(diào)整 #define t1_max 156//180*11.0592/12=166 #define t2_min 184//210*11.0592/12=194 #define t2_max 267//300*11.0592/12=276 //***********不采用中斷處理:采用查詢的方法讀卡時(shí)關(guān)所有中斷****************/ sbit p_U2270B_Standby = P3^5;//p_U2270B_Standby PIN=13 sbit p_U2270B_CFE = P3^3;//p_U2270B_CFE PIN=6 sbit p_U2270B_OutPut = P3^7;//p_U2270B_OutPut PIN=2 sbit wtd_sck = P1^7;//SPI總線 sbit wtd_si = P1^3; sbit wtd_so = P1^2; sbit iic_data = P1^2;//lcd IIC sbit iic_clk = P1^7; sbit led_light = P1^6;//測(cè)試綠燈 sbit led_light1 = P1^5;//測(cè)試紅燈 sbit led_light_ok = P1^1;//讀卡成功標(biāo)志 sbit fengmingqi = P1^5; /***********全局變量************************************/ uchar data Nkey_a[4] = {0xA0, 0xA1, 0xA2, 0xA3};//初始密碼 //uchar idata card_snr[4]; //配置字 uchar data bankdata[28] = {1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7}; //存儲(chǔ)卡上用戶數(shù)據(jù)(1-7)7*4=28 uchar data cominceptbuff[6] = {1,2,3,4,5,6};//串口接收數(shù)組ram uchar command; //第一個(gè)命令 uchar command1;// //uint temp; uchar j,i; uchar myaddr = 8; //uchar ywqz_count,time_count; //ywqz jishu: uchar bdata DATA; sbit BIT0 = DATA^0; sbit BIT1 = DATA^1; sbit BIT2 = DATA^2; sbit BIT3 = DATA^3; sbit BIT4 = DATA^4; sbit BIT5 = DATA^5; sbit BIT6 = DATA^6; sbit BIT7 = DATA^7; uchar bdata DATA1; sbit BIT10 = DATA1^0; sbit BIT11 = DATA1^1; sbit BIT12 = DATA1^2; sbit BIT13 = DATA1^3; sbit BIT14 = DATA1^4; sbit BIT15 = DATA1^5; sbit BIT16 = DATA1^6; sbit BIT17 = DATA1^7; bit i_CurrentLevel;//i_CurrentLevel BIT 00H(Saves current level of OutPut pin of U2270B) bit timer1_end; bit read_ok = 0; //緩存定時(shí)值,因用同一個(gè)定時(shí)器 union HLint { uint W; struct { uchar H;uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint data a; //緩存定時(shí)值,因用同一個(gè)定時(shí)器 union HLint0 { uint W; struct { uchar H; uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint0 data b; /**********************函數(shù)原型*****************/ //讀寫操作 void f_readcard(void);//全部讀出1~7 AOR喚醒 void f_writecard(uchar x);//根據(jù)命令寫不同的內(nèi)容和操作 void f_clearpassword(void);//清除密碼 void f_changepassword(void);//修改密碼 //功能子函數(shù) void write_password(uchar data *data p);//寫初始密碼或數(shù)據(jù) void write_block(uchar x,uchar data *data p);//不能用通用指針 void write_bit(bit x);//寫位 /*子函數(shù)區(qū)*****************************************************/ void delay_2(uint x) //延時(shí),時(shí)間x*10us@12mhz,最小20us@12mhz { x--; x--; while(x) { _nop_(); _nop_(); x--; } _nop_();//WDT_CONTR=0X3C;不能頻繁的復(fù)位 _nop_(); } ///////////////////////////////////////////////////////////////////// void initial(void) { SCON = 0x50; //串口方式1,允許接收 //SCON =0x50; //01010000B:10位異步收發(fā),波特率可變,SM2=0不用接收到有效停止位才RI=1, //REN=1允許接收 TMOD = 0x21; //定時(shí)器1 定時(shí)方式2(8位),定時(shí)器0 定時(shí)方式1(16位) TCON = 0x40; //設(shè)定時(shí)器1 允許開始計(jì)時(shí)(IT1=1) TH1 = 0xfD; //FB 18.432MHz 9600 波特率 TL1 = 0xfD; //fd 11.0592 9600 IE = 0X90; //EA=ES=1 TR1 = 1; //啟動(dòng)定時(shí)器 WDT_CONTR = 0x3c;//使能看門狗 p_U2270B_Standby = 0;//單電源 PCON = 0x00; IP = 0x10;//uart you xian XXXPS PT1 PX1 PT0 PX0 led_light1 = 1; led_light = 0; p_U2270B_OutPut = 1; } /************************************************/ void f_readcard()//讀卡 { EA = 0;//全關(guān),防止影響跳變的定時(shí)器計(jì)時(shí) WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 p_U2270B_CFE = 1;// delay_2(232); //>2.5ms /* // aor 用喚醒功能來(lái)防碰撞 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us write_bit(1);//10=操作碼讀0頁(yè) write_bit(0); write_password(&bankdata[24]);//密碼block7 p_U2270B_CFE =1 ;// delay_2(516);//編程及確認(rèn)時(shí)間5.6ms */ WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 led_light = 0; b.W = 0; while(!(read_ok == 1)) { //while(p_U2270B_OutPut);//等一個(gè)穩(wěn)定的低電平?超時(shí)判斷? while(!p_U2270B_OutPut);//等待上升沿的到來(lái)同步信號(hào)檢測(cè)1 TR0 = 1; //deng xia jiang while(p_U2270B_OutPut);//等待下降沿 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//定時(shí)器晚啟動(dòng)10個(gè)周期 //同步頭 if((324 < a.W) && (a.W < 353)) ;//檢測(cè)同步信號(hào)1 else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //等待上升沿 while(!p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//b.N1<<=8; if(a.B.L < 195);//0.5p else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //讀0~7塊的數(shù)據(jù) for(j = 0;j < 28;j++) { //uchar i; for(i = 0;i < 16;i++)//8個(gè)位 { //等待下降沿的到來(lái) while(p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_max < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2;//先左移再賦值 b.B.L += 0xc0; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5p { b.W >>= 1; b.B.L += 0x80; } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; while(!p_U2270B_OutPut);//上升 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_min < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*a.W)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5P //else if(!(a.W==0)) { b.W >>= 1; //temp+=0x00; //led_light1=0;led_light=1;delay_2(40000); } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; } //取出奇位 DATA = b.B.L; BIT13 = BIT7; BIT12 = BIT5; BIT11 = BIT3; BIT10 = BIT1; DATA = b.B.H; BIT17 = BIT7; BIT16 = BIT5; BIT15 = BIT3; BIT14 = BIT1; bankdata[j] = DATA1; } read_ok = 1;//讀卡完成了 read_error: _nop_(); } } /***************************************************/ void f_writecard(uchar x)//寫卡 { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(232); //>2.5ms //psw=0 standard write if (x == write_command0)//寫密碼:初始化密碼 { uchar i; uchar data *data p; p = cominceptbuff; p_U2270B_CFE = 0; delay_2(31);//start gap>330us write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_bit(0);//寫鎖定位0 for(i = 0;i < 35;i++) { write_bit(1);//寫數(shù)據(jù)位1 } p_U2270B_CFE = 1; led_light1 = 0; led_light = 1; delay_2(40000);//測(cè)試使用 //write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE = 1; bankdata[20] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[21] = cominceptbuff[1]; bankdata[22] = cominceptbuff[2]; bankdata[23] = cominceptbuff[3]; } else if (x == write_command1)//配置卡參數(shù):初始化 { uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_bit(0);//寫鎖定位0 write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE= 1; } //psw=1 pssword mode else if(x == write_command2) //密碼寫數(shù)據(jù) { uchar data*data p; p = &bankdata[24]; write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_password(p);//發(fā)口令 write_bit(0);//寫鎖定位0 p = cominceptbuff; write_block(cominceptbuff[4],p);//寫數(shù)據(jù) } else if(x == write_command3)//aor //喚醒 { //cominceptbuff[1]操作碼10 X xxxxxB uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//10 write_bit(0); write_password(p);//密碼 p_U2270B_CFE = 1;//此時(shí)數(shù)據(jù)不停的循環(huán)傳出 } else //停止操作碼 { write_bit(1);//11 write_bit(1); p_U2270B_CFE = 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /************************************/ void f_clearpassword()//清除密碼 { uchar data *data p; uchar i,x; p = &bankdata[24];//原密碼 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us //操作碼10:10xxxxxxB write_bit(1); write_bit(0); for(x = 0;x < 4;x++)//發(fā)原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x00,p);//寫新配置參數(shù):pwd=0 //密碼無(wú)效:即清除密碼 DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /*********************************/ void f_changepassword()//修改密碼 { uchar data *data p; uchar i,x,addr; addr = 0x07;//block7 p = &Nkey_a[0];//原密碼 DATA = 0x80;//操作碼10:10xxxxxxB for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } for(x = 0;x < 4;x++)//發(fā)原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT7); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x07,p);//寫新密碼 p_U2270B_CFE = 1; bankdata[24] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[25] = cominceptbuff[1]; bankdata[26] = cominceptbuff[2]; bankdata[27] = cominceptbuff[3]; DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /***************************子函數(shù)***********************************/ void write_bit(bit x)//寫一位 { if(x) { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(32);//448*11.0592/120=42延時(shí)448us p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫1 } else { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(92);//192*11.0592/120=18 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫0 } } /*******************寫一個(gè)block*******************/ void write_block(uchar addr,uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)//block0數(shù)據(jù) { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } DATA = addr <<= 5;//0地址 for(i = 0;i < 3;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } } /*************************************************/ void write_password(uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)// { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } } /*************************************************/ void main() { initial(); TI = RI = 0; ES = 1; EA = 1; delay_2(28); //f_readcard(); while(1) { f_readcard(); //讀卡 f_writecard(command1); //寫卡 f_clearpassword(); //清除密碼 f_changepassword(); //修改密碼 } }
標(biāo)簽： 12345
上傳時(shí)間： 2017-10-20
上傳用戶：my_lcs
The recent developments in full duplex (FD) commu- nication promise doubling the capacity of cellular networks using self interference cancellation (SIC) techniques. FD small cells with device-to-device (D2D) communication links could achieve the expected capacity of the future cellular networks (5G). In this work, we consider joint scheduling and dynamic power algorithm (DPA) for a single cell FD small cell network with D2D links (D2DLs). We formulate the optimal user selection and power control as a non-linear programming (NLP) optimization problem to get the optimal user scheduling and transmission power in a given TTI. Our numerical results show that using DPA gives better overall throughput performance than full power transmission algorithm (FPA). Also, simultaneous transmissions (combination of uplink (UL), downlink (DL), and D2D occur 80% of the time thereby increasing the spectral efficiency and network capacity
標(biāo)簽： Full-Duplex Cells Small
上傳時(shí)間： 2020-05-27
上傳用戶：shancjb
-file /win8.vdf 鏡像文件名，無(wú)此參數(shù)將搜索當(dāng)前目錄的iso鏡像 -dev PciRoot(0x0)/Pci(0x1,0x1)/Ata(Primary,Master,0x0)/HD(3,MBR,0x9553A441,0xEFFF800,0x13FF800) 設(shè)備路徑，無(wú)此參數(shù)默認(rèn)為當(dāng)前設(shè)備 -wait 50 啟動(dòng)前等待 -mem 將鏡像載入內(nèi)存， -type HD 可選CD HD FD,無(wú)此參數(shù)默認(rèn)HD鏡像類型，類型錯(cuò)了不能啟動(dòng) -dev auto 搜索所有設(shè)備
上傳時(shí)間： 2020-12-20
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可通過(guò)雙 CAN-FD 進(jìn)行目標(biāo)數(shù)據(jù)輸出的汽車級(jí) RFCMOS 77GHz 雷達(dá)模塊參考設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 雷達(dá)
上傳時(shí)間： 2022-02-15
上傳用戶：
CANFD相關(guān)協(xié)議的介紹，內(nèi)容很全，也很基礎(chǔ)。
標(biāo)簽： CAN-FD
上傳時(shí)間： 2022-07-25
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資源包含以下內(nèi)容：1.GBT2423.07-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品).pdf2.GBT2423.08-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed自由跌落.pdf3.GBT2423.09-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb設(shè)備用恒定濕熱.pdf4.GBT2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則振動(dòng)(正弦).pdf5.GBT2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求 .pdf6.GBT2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性.pdf7.GBT2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性.pdf8.GBT2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性.pdf9.GBT2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加速度.pdf10.GBT2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則長(zhǎng)霉.pdf11.GBT2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka 鹽霧試驗(yàn)方法.pdf12.GBT2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)--試驗(yàn)kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf13.GBT2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法.pdf14.GBT2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法.pdf15.GBT2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m 低氣壓試驗(yàn)方法.pdf16.GBT2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)n 溫度變化.pdf17.GBT2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)q 密封.pdf18.GBT2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa 模擬地面上的太陽(yáng)輻射.pdf19.GBT2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zam 低溫低氣壓綜合試驗(yàn).pdf20.GBT2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zbm 高溫低氣壓綜合試驗(yàn).pdf21.GBT2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zamd 低溫低氣壓濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法.pdf22.GBT2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t 錫焊試驗(yàn)方法.pdf23.GBT2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)u 引出端及整體安裝件強(qiáng)度.pdf24.GBT2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa 和導(dǎo)則在清洗劑中浸漬.pdf25.GBT2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法.pdf26.GBT2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法.pdf27.GBT2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca 高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法.pdf28.GBT2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zad 溫度濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法.pdf29.GBT2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zafc 散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf30.GBT2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf31.GBT2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l砂塵試驗(yàn)方法.pdf32.GBT2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r 水試驗(yàn)方法.pdf33.GBT2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee 彈跳試驗(yàn)方法.pdf34.GBT2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf35.GBT2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法.pdf36.GBT2423.42-1995 工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫低氣壓振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf37.GBT2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊,碰撞,振動(dòng),和穩(wěn)態(tài)加速度,等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則.pdf38.GBT2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg 撞擊彈簧錘.pdf39.GBT2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)zabdm：氣候順序.pdf40.GBT2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘.pdf41.GBT2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fg 聲振.pdf42.GBT2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff 振動(dòng)--時(shí)間歷程法.pdf43.GBT2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe 振動(dòng)--正弦拍頻法.pdf44.GBT2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn).pdf45.GBT2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn).pdf46.電子產(chǎn)品老化相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)資料
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GBT2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn).pdf 535KB2019-03-29 13:34 GBT2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn).pdf 319KB2019-03-29 13:34 GBT2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe 振動(dòng)--正弦拍頻法.pdf 832KB2019-03-29 13:34 GBT2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff 振動(dòng)--時(shí)間歷程法.pdf 708KB2019-03-29 13:34 GBT2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fg 聲振.pdf 773KB2019-03-29 13:34 GBT2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘.pdf 423KB2019-03-29 13:34 GBT2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)zabdm：氣候順序.pdf 418KB2019-03-29 13:34 GBT2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg 撞擊彈簧錘.pdf 356KB2019-03-29 13:34 GBT2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊,碰撞,振動(dòng),和穩(wěn)態(tài)加速度,等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則.pdf 496KB2019-03-29 13:34 GBT2423.42-1995 工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫低氣壓振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf 246KB2019-03-29 13:34 GBT2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法.pdf 213KB2019-03-29 13:34 GBT2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf 532KB2019-03-29 13:34 GBT2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee 彈跳試驗(yàn)方法.pdf 331KB2019-03-29 13:34 GBT2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r 水試驗(yàn)方法.pdf 357KB2019-03-29 13:34 GBT2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l砂塵試驗(yàn)方法.pdf 236KB2019-03-29 13:34 GBT2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf 273KB2019-03-29 13:34 GBT2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zafc 散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf 270KB2019-03-29 13:34 GBT2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zad 溫度濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法.pdf 290KB2019-03-29 13:34 GBT2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca 高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法.pdf 146KB2019-03-29 13:34 GBT2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法.pdf 172KB2019-03-29 13:34 GBT2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法.pdf 143KB2019-03-29 13:34 GBT2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa 和導(dǎo)則在清洗劑中浸漬.pdf 104KB2019-03-29 13:34 GBT2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)u 引出端及整體安裝件強(qiáng)度.pdf 421KB2019-03-29 13:34 GBT2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t 錫焊試驗(yàn)方法.pdf 697KB2019-03-29 13:34 GBT2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zamd 低溫低氣壓濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法.pdf 128KB2019-03-29 13:34 GBT2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zbm 高溫低氣壓綜合試驗(yàn).pdf 211KB2019-03-29 13:34 GBT2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zam 低溫低氣壓綜合試驗(yàn).pdf 202KB2019-03-29 13:34 GBT2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa 模擬地面上的太陽(yáng)輻射.pdf 176KB2019-03-29 13:34 GBT2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)q 密封.pdf 1.2M2019-03-29 13:34 GBT2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)n 溫度變化.pdf 302KB2019-03-29 13:34 GBT2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m 低氣壓試驗(yàn)方法.pdf 107KB2019-03-29 13:34 GBT2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法.pdf 140KB2019-03-29 13:34 GBT2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法.pdf 145KB2019-03-29 13:34 GBT2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)--試驗(yàn)kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf 163KB2019-03-29 13:34 GBT2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka 鹽霧試驗(yàn)方法.pdf 105KB2019-03-29 13:34 GBT2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則長(zhǎng)霉.pdf 531KB2019-03-29 13:34 GBT2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加速度.pdf 297KB2019-03-29 13:34 GBT2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性.pdf 444KB2019-03-29 13:34 GBT2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性.pdf 805KB2019-03-29 13:34 GBT2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性.pdf 842KB2019-03-29 13:34 GBT2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求 .pdf 635KB2019-03-29 13:34 GBT2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則振動(dòng)(正弦).pdf 1M2019-03-29 13:34 GBT2423.09-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb設(shè)備用恒定濕熱.pdf 149KB2019-03-29 13:34 GBT2423.08-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed自由跌落.pdf 301KB2019-03-29 13:34 GBT2423.07-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品).pdf 237KB2019-03-29 13:34 GBT2423.06-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)eb和導(dǎo)則：碰撞.pdf 545KB2019-03-29 13:34 GBT2423.05-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ea和導(dǎo)則沖擊.pdf 892KB2019-03-29 13:34 GBT2423.04-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)db 交變濕熱試驗(yàn)方法.pdf 192KB2019-03-29 13:34 GBT2423.03-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca 恒定濕熱試驗(yàn)方法.pdf 124KB2019-03-29 13:34 GBT2423.02-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)b高溫.pdf 744KB2019-03-29 13:34 GBT2423.01-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)a低溫.pdf 499KB2019-03-29 13:34 GB2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則.pdf
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