MAX19713：超低功耗、高集成度混合信號模擬前端(AFE)，工作在全雙工(FD)模式，可理想用于寬帶通信系統(tǒng)
上傳時間： 2017-01-26
上傳用戶：asddsd
/****************temic*********t5557***********************************/ #include <at892051.h> #include <string.h> #include <intrins.h> #include <stdio.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define ulong unsigned long //STC12C2051AD的SFR定義 sfr WDT_CONTR = 0xe1;//stc2051的看門狗?????? /**********全局常量************/ //寫卡的命令 #define write_command0 0//寫密碼 #define write_command1 1//寫配置字 #define write_command2 2//密碼寫數(shù)據(jù) #define write_command3 3//喚醒 #define write_command4 4//停止命令 #define TRUE 1 #define FALSE 0 #define OK 0 #define ERROR 255 //讀卡的時間參數(shù)us #define ts_min 250//270*11.0592/12=249//取近似的整數(shù) #define ts_max 304//330*11.0592/12=304 #define t1_min 73//90*11.0592/12=83:-10調(diào)整 #define t1_max 156//180*11.0592/12=166 #define t2_min 184//210*11.0592/12=194 #define t2_max 267//300*11.0592/12=276 //***********不采用中斷處理:采用查詢的方法讀卡時關所有中斷****************/ sbit p_U2270B_Standby = P3^5;//p_U2270B_Standby PIN=13 sbit p_U2270B_CFE = P3^3;//p_U2270B_CFE PIN=6 sbit p_U2270B_OutPut = P3^7;//p_U2270B_OutPut PIN=2 sbit wtd_sck = P1^7;//SPI總線 sbit wtd_si = P1^3; sbit wtd_so = P1^2; sbit iic_data = P1^2;//lcd IIC sbit iic_clk = P1^7; sbit led_light = P1^6;//測試綠燈 sbit led_light1 = P1^5;//測試紅燈 sbit led_light_ok = P1^1;//讀卡成功標志 sbit fengmingqi = P1^5; /***********全局變量************************************/ uchar data Nkey_a[4] = {0xA0, 0xA1, 0xA2, 0xA3};//初始密碼 //uchar idata card_snr[4]; //配置字 uchar data bankdata[28] = {1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7}; //存儲卡上用戶數(shù)據(jù)(1-7)7*4=28 uchar data cominceptbuff[6] = {1,2,3,4,5,6};//串口接收數(shù)組ram uchar command; //第一個命令 uchar command1;// //uint temp; uchar j,i; uchar myaddr = 8; //uchar ywqz_count,time_count; //ywqz jishu: uchar bdata DATA; sbit BIT0 = DATA^0; sbit BIT1 = DATA^1; sbit BIT2 = DATA^2; sbit BIT3 = DATA^3; sbit BIT4 = DATA^4; sbit BIT5 = DATA^5; sbit BIT6 = DATA^6; sbit BIT7 = DATA^7; uchar bdata DATA1; sbit BIT10 = DATA1^0; sbit BIT11 = DATA1^1; sbit BIT12 = DATA1^2; sbit BIT13 = DATA1^3; sbit BIT14 = DATA1^4; sbit BIT15 = DATA1^5; sbit BIT16 = DATA1^6; sbit BIT17 = DATA1^7; bit i_CurrentLevel;//i_CurrentLevel BIT 00H(Saves current level of OutPut pin of U2270B) bit timer1_end; bit read_ok = 0; //緩存定時值,因用同一個定時器 union HLint { uint W; struct { uchar H;uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint data a; //緩存定時值,因用同一個定時器 union HLint0 { uint W; struct { uchar H; uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint0 data b; /**********************函數(shù)原型*****************/ //讀寫操作 void f_readcard(void);//全部讀出1~7 AOR喚醒 void f_writecard(uchar x);//根據(jù)命令寫不同的內(nèi)容和操作 void f_clearpassword(void);//清除密碼 void f_changepassword(void);//修改密碼 //功能子函數(shù) void write_password(uchar data *data p);//寫初始密碼或數(shù)據(jù) void write_block(uchar x,uchar data *data p);//不能用通用指針 void write_bit(bit x);//寫位 /*子函數(shù)區(qū)*****************************************************/ void delay_2(uint x) //延時,時間x*10us@12mhz,最小20us@12mhz { x--; x--; while(x) { _nop_(); _nop_(); x--; } _nop_();//WDT_CONTR=0X3C;不能頻繁的復位 _nop_(); } ///////////////////////////////////////////////////////////////////// void initial(void) { SCON = 0x50; //串口方式1,允許接收 //SCON =0x50; //01010000B:10位異步收發(fā),波特率可變,SM2=0不用接收到有效停止位才RI=1, //REN=1允許接收 TMOD = 0x21; //定時器1 定時方式2(8位),定時器0 定時方式1(16位) TCON = 0x40; //設定時器1 允許開始計時(IT1=1) TH1 = 0xfD; //FB 18.432MHz 9600 波特率 TL1 = 0xfD; //fd 11.0592 9600 IE = 0X90; //EA=ES=1 TR1 = 1; //啟動定時器 WDT_CONTR = 0x3c;//使能看門狗 p_U2270B_Standby = 0;//單電源 PCON = 0x00; IP = 0x10;//uart you xian XXXPS PT1 PX1 PT0 PX0 led_light1 = 1; led_light = 0; p_U2270B_OutPut = 1; } /************************************************/ void f_readcard()//讀卡 { EA = 0;//全關,防止影響跳變的定時器計時 WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 p_U2270B_CFE = 1;// delay_2(232); //>2.5ms /* // aor 用喚醒功能來防碰撞 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us write_bit(1);//10=操作碼讀0頁 write_bit(0); write_password(&bankdata[24]);//密碼block7 p_U2270B_CFE =1 ;// delay_2(516);//編程及確認時間5.6ms */ WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 led_light = 0; b.W = 0; while(!(read_ok == 1)) { //while(p_U2270B_OutPut);//等一個穩(wěn)定的低電平?超時判斷? while(!p_U2270B_OutPut);//等待上升沿的到來同步信號檢測1 TR0 = 1; //deng xia jiang while(p_U2270B_OutPut);//等待下降沿 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//定時器晚啟動10個周期 //同步頭 if((324 < a.W) && (a.W < 353)) ;//檢測同步信號1 else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //等待上升沿 while(!p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//b.N1<<=8; if(a.B.L < 195);//0.5p else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //讀0~7塊的數(shù)據(jù) for(j = 0;j < 28;j++) { //uchar i; for(i = 0;i < 16;i++)//8個位 { //等待下降沿的到來 while(p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_max < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2;//先左移再賦值 b.B.L += 0xc0; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5p { b.W >>= 1; b.B.L += 0x80; } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; while(!p_U2270B_OutPut);//上升 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_min < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*a.W)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5P //else if(!(a.W==0)) { b.W >>= 1; //temp+=0x00; //led_light1=0;led_light=1;delay_2(40000); } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; } //取出奇位 DATA = b.B.L; BIT13 = BIT7; BIT12 = BIT5; BIT11 = BIT3; BIT10 = BIT1; DATA = b.B.H; BIT17 = BIT7; BIT16 = BIT5; BIT15 = BIT3; BIT14 = BIT1; bankdata[j] = DATA1; } read_ok = 1;//讀卡完成了 read_error: _nop_(); } } /***************************************************/ void f_writecard(uchar x)//寫卡 { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(232); //>2.5ms //psw=0 standard write if (x == write_command0)//寫密碼:初始化密碼 { uchar i; uchar data *data p; p = cominceptbuff; p_U2270B_CFE = 0; delay_2(31);//start gap>330us write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_bit(0);//寫鎖定位0 for(i = 0;i < 35;i++) { write_bit(1);//寫數(shù)據(jù)位1 } p_U2270B_CFE = 1; led_light1 = 0; led_light = 1; delay_2(40000);//測試使用 //write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE = 1; bankdata[20] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[21] = cominceptbuff[1]; bankdata[22] = cominceptbuff[2]; bankdata[23] = cominceptbuff[3]; } else if (x == write_command1)//配置卡參數(shù):初始化 { uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_bit(0);//寫鎖定位0 write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE= 1; } //psw=1 pssword mode else if(x == write_command2) //密碼寫數(shù)據(jù) { uchar data*data p; p = &bankdata[24]; write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_password(p);//發(fā)口令 write_bit(0);//寫鎖定位0 p = cominceptbuff; write_block(cominceptbuff[4],p);//寫數(shù)據(jù) } else if(x == write_command3)//aor //喚醒 { //cominceptbuff[1]操作碼10 X xxxxxB uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//10 write_bit(0); write_password(p);//密碼 p_U2270B_CFE = 1;//此時數(shù)據(jù)不停的循環(huán)傳出 } else //停止操作碼 { write_bit(1);//11 write_bit(1); p_U2270B_CFE = 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /************************************/ void f_clearpassword()//清除密碼 { uchar data *data p; uchar i,x; p = &bankdata[24];//原密碼 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us //操作碼10:10xxxxxxB write_bit(1); write_bit(0); for(x = 0;x < 4;x++)//發(fā)原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x00,p);//寫新配置參數(shù):pwd=0 //密碼無效:即清除密碼 DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /*********************************/ void f_changepassword()//修改密碼 { uchar data *data p; uchar i,x,addr; addr = 0x07;//block7 p = &Nkey_a[0];//原密碼 DATA = 0x80;//操作碼10:10xxxxxxB for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } for(x = 0;x < 4;x++)//發(fā)原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT7); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x07,p);//寫新密碼 p_U2270B_CFE = 1; bankdata[24] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[25] = cominceptbuff[1]; bankdata[26] = cominceptbuff[2]; bankdata[27] = cominceptbuff[3]; DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /***************************子函數(shù)***********************************/ void write_bit(bit x)//寫一位 { if(x) { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(32);//448*11.0592/120=42延時448us p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫1 } else { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(92);//192*11.0592/120=18 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫0 } } /*******************寫一個block*******************/ void write_block(uchar addr,uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)//block0數(shù)據(jù) { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } DATA = addr <<= 5;//0地址 for(i = 0;i < 3;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } } /*************************************************/ void write_password(uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)// { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } } /*************************************************/ void main() { initial(); TI = RI = 0; ES = 1; EA = 1; delay_2(28); //f_readcard(); while(1) { f_readcard(); //讀卡 f_writecard(command1); //寫卡 f_clearpassword(); //清除密碼 f_changepassword(); //修改密碼 } }
標簽： 12345
上傳時間： 2017-10-20
上傳用戶：my_lcs
The recent developments in full duplex (FD) commu- nication promise doubling the capacity of cellular networks using self interference cancellation (SIC) techniques. FD small cells with device-to-device (D2D) communication links could achieve the expected capacity of the future cellular networks (5G). In this work, we consider joint scheduling and dynamic power algorithm (DPA) for a single cell FD small cell network with D2D links (D2DLs). We formulate the optimal user selection and power control as a non-linear programming (NLP) optimization problem to get the optimal user scheduling and transmission power in a given TTI. Our numerical results show that using DPA gives better overall throughput performance than full power transmission algorithm (FPA). Also, simultaneous transmissions (combination of uplink (UL), downlink (DL), and D2D occur 80% of the time thereby increasing the spectral efficiency and network capacity
標簽： Full-Duplex Cells Small
上傳時間： 2020-05-27
上傳用戶：shancjb
-file /win8.vdf 鏡像文件名，無此參數(shù)將搜索當前目錄的iso鏡像 -dev PciRoot(0x0)/Pci(0x1,0x1)/Ata(Primary,Master,0x0)/HD(3,MBR,0x9553A441,0xEFFF800,0x13FF800) 設備路徑，無此參數(shù)默認為當前設備 -wait 50 啟動前等待 -mem 將鏡像載入內(nèi)存， -type HD 可選CD HD FD,無此參數(shù)默認HD鏡像類型，類型錯了不能啟動 -dev auto 搜索所有設備
上傳時間： 2020-12-20
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可通過雙 CAN-FD 進行目標數(shù)據(jù)輸出的汽車級 RFCMOS 77GHz 雷達模塊參考設計
標簽： 雷達
上傳時間： 2022-02-15
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CANFD相關協(xié)議的介紹，內(nèi)容很全，也很基礎。
標簽： CAN-FD
上傳時間： 2022-07-25
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資源包含以下內(nèi)容：1.GBT2423.07-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ec和導則傾跌與翻倒(主要用于設備型樣品).pdf2.GBT2423.08-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ed自由跌落.pdf3.GBT2423.09-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗cb設備用恒定濕熱.pdf4.GBT2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fc和導則振動(正弦).pdf5.GBT2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fd寬頻帶隨機振動--一般要求 .pdf6.GBT2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fda寬頻帶隨機振動--高再現(xiàn)性.pdf7.GBT2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fdb寬頻帶隨機振動中再現(xiàn)性.pdf8.GBT2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fdc寬頻帶隨機振動低再現(xiàn)性.pdf9.GBT2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ga和導則穩(wěn)態(tài)加速度.pdf10.GBT2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗j和導則長霉.pdf11.GBT2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ka 鹽霧試驗方法.pdf12.GBT2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗--試驗kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf13.GBT2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kc 接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法.pdf14.GBT2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kd 接觸點和連接件的硫化氫試驗方法.pdf15.GBT2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗m 低氣壓試驗方法.pdf16.GBT2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗n 溫度變化.pdf17.GBT2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗q 密封.pdf18.GBT2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗方法試驗sa 模擬地面上的太陽輻射.pdf19.GBT2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zam 低溫低氣壓綜合試驗.pdf20.GBT2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zbm 高溫低氣壓綜合試驗.pdf21.GBT2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zamd 低溫低氣壓濕熱連續(xù)綜合試驗方法.pdf22.GBT2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗t 錫焊試驗方法.pdf23.GBT2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗u 引出端及整體安裝件強度.pdf24.GBT2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗xa 和導則在清洗劑中浸漬.pdf25.GBT2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗方法.pdf26.GBT2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗方法.pdf27.GBT2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kca 高濃度二氧化硫試驗方法.pdf28.GBT2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zad 溫度濕度組合循環(huán)試驗方法.pdf29.GBT2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zafc 散熱和非散熱試驗樣品的低溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf30.GBT2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf31.GBT2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗l砂塵試驗方法.pdf32.GBT2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗r 水試驗方法.pdf33.GBT2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ee 彈跳試驗方法.pdf34.GBT2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf35.GBT2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程風壓試驗方法.pdf36.GBT2423.42-1995 工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗低溫低氣壓振動(正弦)綜合試驗方法.pdf37.GBT2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗方法元件、設備和其他產(chǎn)品在沖擊,碰撞,振動,和穩(wěn)態(tài)加速度,等動力學試驗中的安裝要求和導則.pdf38.GBT2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗方法試驗eg 撞擊彈簧錘.pdf39.GBT2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗zabdm：氣候順序.pdf40.GBT2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗ef：撞擊擺錘.pdf41.GBT2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fg 聲振.pdf42.GBT2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ff 振動--時間歷程法.pdf43.GBT2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fe 振動--正弦拍頻法.pdf44.GBT2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗.pdf45.GBT2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ke 流動混合氣體腐蝕試驗.pdf46.電子產(chǎn)品老化相關標準資料
標簽： 網(wǎng)站
上傳時間： 2013-04-15
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GBT2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ke 流動混合氣體腐蝕試驗.pdf 535KB2019-03-29 13:34 GBT2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗.pdf 319KB2019-03-29 13:34 GBT2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fe 振動--正弦拍頻法.pdf 832KB2019-03-29 13:34 GBT2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ff 振動--時間歷程法.pdf 708KB2019-03-29 13:34 GBT2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fg 聲振.pdf 773KB2019-03-29 13:34 GBT2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗ef：撞擊擺錘.pdf 423KB2019-03-29 13:34 GBT2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗zabdm：氣候順序.pdf 418KB2019-03-29 13:34 GBT2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗方法試驗eg 撞擊彈簧錘.pdf 356KB2019-03-29 13:34 GBT2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗方法元件、設備和其他產(chǎn)品在沖擊,碰撞,振動,和穩(wěn)態(tài)加速度,等動力學試驗中的安裝要求和導則.pdf 496KB2019-03-29 13:34 GBT2423.42-1995 工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗低溫低氣壓振動(正弦)綜合試驗方法.pdf 246KB2019-03-29 13:34 GBT2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程風壓試驗方法.pdf 213KB2019-03-29 13:34 GBT2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf 532KB2019-03-29 13:34 GBT2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ee 彈跳試驗方法.pdf 331KB2019-03-29 13:34 GBT2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗r 水試驗方法.pdf 357KB2019-03-29 13:34 GBT2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗l砂塵試驗方法.pdf 236KB2019-03-29 13:34 GBT2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf 273KB2019-03-29 13:34 GBT2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zafc 散熱和非散熱試驗樣品的低溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf 270KB2019-03-29 13:34 GBT2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zad 溫度濕度組合循環(huán)試驗方法.pdf 290KB2019-03-29 13:34 GBT2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kca 高濃度二氧化硫試驗方法.pdf 146KB2019-03-29 13:34 GBT2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗方法.pdf 172KB2019-03-29 13:34 GBT2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗方法.pdf 143KB2019-03-29 13:34 GBT2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗xa 和導則在清洗劑中浸漬.pdf 104KB2019-03-29 13:34 GBT2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗u 引出端及整體安裝件強度.pdf 421KB2019-03-29 13:34 GBT2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗t 錫焊試驗方法.pdf 697KB2019-03-29 13:34 GBT2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zamd 低溫低氣壓濕熱連續(xù)綜合試驗方法.pdf 128KB2019-03-29 13:34 GBT2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zbm 高溫低氣壓綜合試驗.pdf 211KB2019-03-29 13:34 GBT2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗zam 低溫低氣壓綜合試驗.pdf 202KB2019-03-29 13:34 GBT2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗方法試驗sa 模擬地面上的太陽輻射.pdf 176KB2019-03-29 13:34 GBT2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗q 密封.pdf 1.2M2019-03-29 13:34 GBT2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗n 溫度變化.pdf 302KB2019-03-29 13:34 GBT2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗m 低氣壓試驗方法.pdf 107KB2019-03-29 13:34 GBT2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kd 接觸點和連接件的硫化氫試驗方法.pdf 140KB2019-03-29 13:34 GBT2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kc 接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法.pdf 145KB2019-03-29 13:34 GBT2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分 試驗--試驗kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf 163KB2019-03-29 13:34 GBT2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ka 鹽霧試驗方法.pdf 105KB2019-03-29 13:34 GBT2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗j和導則長霉.pdf 531KB2019-03-29 13:34 GBT2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ga和導則穩(wěn)態(tài)加速度.pdf 297KB2019-03-29 13:34 GBT2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fdc寬頻帶隨機振動低再現(xiàn)性.pdf 444KB2019-03-29 13:34 GBT2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fdb寬頻帶隨機振動中再現(xiàn)性.pdf 805KB2019-03-29 13:34 GBT2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fda寬頻帶隨機振動--高再現(xiàn)性.pdf 842KB2019-03-29 13:34 GBT2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fd寬頻帶隨機振動--一般要求 .pdf 635KB2019-03-29 13:34 GBT2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗fc和導則振動(正弦).pdf 1M2019-03-29 13:34 GBT2423.09-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗cb設備用恒定濕熱.pdf 149KB2019-03-29 13:34 GBT2423.08-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ed自由跌落.pdf 301KB2019-03-29 13:34 GBT2423.07-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗ec和導則傾跌與翻倒(主要用于設備型樣品).pdf 237KB2019-03-29 13:34 GBT2423.06-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗eb和導則：碰撞.pdf 545KB2019-03-29 13:34 GBT2423.05-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗ea和導則沖擊.pdf 892KB2019-03-29 13:34 GBT2423.04-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗db 交變濕熱試驗方法.pdf 192KB2019-03-29 13:34 GBT2423.03-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ca 恒定濕熱試驗方法.pdf 124KB2019-03-29 13:34 GBT2423.02-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗b高溫.pdf 744KB2019-03-29 13:34 GBT2423.01-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分 試驗方法試驗a低溫.pdf 499KB2019-03-29 13:34 GB2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則.pdf
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