場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxidesemiconductorFET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
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場效應管(FET)的工作原理總結...
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本問是關于一個“作為的FET差動微分放大器三揮動對正弦交換器”論證的英文資料...
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基于Atmel ATMega88+ATA682的應用實例
主要功能包括:
1) PWM輸出控制
2) H-Bridge,4 POWER FET 驅動
3) 模擬量比較...
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