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GaN

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（directbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumpedsolid-statelaser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。

GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC

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GaN

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