利用pHEMT工藝設計了一個2~4 Ghz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯(lián)增益、pHEMT技術設計的ATF-54143晶體管，電路采用二級級聯(lián)放大的結構形式，利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配，通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計，最終使得該LNA在2~4 Ghz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達到了設計指標的要求。
標簽：
Ghz
波段
低噪聲放大器
仿真設計
上傳時間：
2014-07-03
上傳用戶：遠遠ssad
