高效率7.6 V, 700 mA隔離式LED驅動器.pdf設計特色精確的初級側恒壓/恒流控制器(CV/CC)省去了光耦器和所有次級側CV/CC控制電路無需電流檢測電阻,即可達到最高效率使用元件少、低成本的解決方案自動重啟動保護功能可在輸出短路或開環條件下可將輸出功率降低到95%以下遲滯熱關斷功能可防止電源損壞滿足CEC及能源之星2.0效率要求:
上傳時間: 2021-12-09
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arduino pwm太陽能控制器(V 2.02)arduino pwm太陽能控制器(V 2.02)
上傳時間: 2022-01-14
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詳細介紹了wd公司開源的risc-v core swe eh1,以及對risc-v做的貢獻
標簽: risc-v
上傳時間: 2022-02-04
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risc-v官方spec,v2.2版本!!!
標簽: risc-v
上傳時間: 2022-06-10
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【資源描述】:RISC-V開源源碼
標簽: RISC-V
上傳時間: 2022-06-16
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RISC-V 指令集手冊 卷 1:用戶級指令集體系結構(User-Level ISA)
標簽: RISC-V 指令集
上傳時間: 2022-06-18
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玄鐵C910指令集手冊,是一款基于RISC-V指令集的高性能處理器,采用12級亂序執行流水線、高精度混合分支預測器,并搭載AI擴展指令的異構處理器,可用于音視頻處理等應用領域。
上傳時間: 2022-06-18
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45 W隔離式反激式電源(90 VAC - 265 VAC輸入; 24 V,1.88 A輸出),適用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV,CC和CP輸出選項的智能揚聲器和管狀電機
標簽: 智能揚聲器 管狀電機 輸出隔離式反激式電源
上傳時間: 2022-07-11
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電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式(MM) 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器(消電器、電中和器或離子平衡器) 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度(ESDS)檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容(以MIL-STD-883E 方法3015.7為例) 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I-V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具-TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間: 2013-07-13
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隨著工業技術的發展,變頻調速器的應用越來越廣泛,它的顯著的節能效果和靈活多變的運行方式,給人們留下了深刻印象.但是由于變頻器價格昂貴,影響了它的普及及推廣應用.如何在提高變頻器的性能的同時盡量降低其價格,是一個非常值得研究的問題.該文針對這一情況,并順應當前變頻器集成化、高頻化的發展趨勢,決定采用性能價格比很高的專用集成電路FSA4828和智能功率模塊(IPM)開發一臺低價格、高性能、具有實用價值的通用變頻調速器.它采用V/F控制方式,有多種控制運行功能和完善的保護措施,從而使其既有較好的運行性能,又有安全穩定的運行狀態,不會因各種故障而輕易損壞.同時,先進的人機接口使得參數的輸入和變頻器運行方式的改變極為方便,新型集成元件的采用也使得它的開發周期短,整機結構簡潔,成本較低.該文詳細的分析、設計了該通用變頻器的硬件電路及控制程序,介紹了兩種最主要的集成元件:SA4828和IPM模塊PM25RSB120,以及它們在設計中的應用.最后,該文還分析了硬件電路產生的干擾問題,并分別從硬件、軟件兩方面提出相應的抗干擾措施.
標簽: 變頻調速器
上傳時間: 2013-05-23
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