Machine Learning, Neural and Statistical Classification Editors: D. Michie, D.J. Spiegelhalter, C.C. Taylor February 17, 1994
標(biāo)簽： C. D. D.J. Classification
上傳時(shí)間： 2015-12-14
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經(jīng)典Visual C++技術(shù)內(nèi)幕第四版源碼。（美）David J. Kruglinski絕版作品，潘愛民老師譯，值得推薦。
標(biāo)簽： J. Kruglinski Visual David
上傳時(shí)間： 2015-12-26
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CMS FOR J 國內(nèi)比較好用的CMS,但是功能不全
上傳時(shí)間： 2015-12-29
上傳用戶：aa54
圖紙分析；j拉夫卡鎖對付薩發(fā)送打法司法阿道發(fā)送打法司打法鎖對付薩打法送
上傳時(shí)間： 2014-01-12
上傳用戶：lvzhr
圖書管理系統(tǒng)畢業(yè)設(shè)計(jì)+源碼.rar j++ 與 access數(shù)據(jù)庫 供學(xué)習(xí)使用
上傳時(shí)間： 2016-01-10
上傳用戶：stampede
高效求一超大數(shù)組中第i個(gè)元素到第j個(gè)元素間第k小的元素.
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：米卡
該程序詳細(xì)的介紹了MapXtreme J的環(huán)境設(shè)置和基本操作。感覺不錯(cuò)，拿來與大家分享。 很好的一個(gè)瘦客戶端應(yīng)用的程序，后臺Servlet實(shí)現(xiàn)，前段用img tag包含放大，縮小，漫游，全圖，鷹眼圖，圖層控制，地圖狀態(tài)等基本功能。但是因?yàn)殇秩境闪鞯姆绞剑岸谓馕?，第一次啟?dòng)Tomcat然后打開應(yīng)用好像時(shí)間比較長，第二個(gè)打開的時(shí)候就快得多了。用生成臨時(shí)圖片的方式，應(yīng)該更快一點(diǎn)。
標(biāo)簽： MapXtreme 程序 環(huán)境 基本操作
上傳時(shí)間： 2016-01-20
上傳用戶：wl9454
本書提供用J B u i l d e r開發(fā)數(shù)據(jù)庫應(yīng)用程序、創(chuàng)建分布式應(yīng)用程序以及編寫J a v a B e a n 組件的高級資料。它包括下列幾個(gè)部分： • 第一部分是“開發(fā)數(shù)據(jù)庫應(yīng)用程序”，它提供關(guān)于使用J b u i l d e r的D a t a E x p r e s s數(shù)據(jù) 庫體系結(jié)構(gòu)的信息，并解釋原始數(shù)據(jù)組件和類之間的相互關(guān)系，以及怎樣使用它 們來創(chuàng)建你的數(shù)據(jù)庫應(yīng)用程序。它還解釋怎樣使用Data Modeler(數(shù)據(jù)模型器)和 Application Generator（應(yīng)用程序生成器）創(chuàng)建數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的客戶機(jī)/服務(wù)器應(yīng)用程 序。 • 第二部分是“開發(fā)分布式應(yīng)用程序”，它提供關(guān)于使用ORB Explorer、用J B u i l d e r 創(chuàng)建多級的分布應(yīng)用程序、調(diào)試分布式應(yīng)用程序、用J a v a定義C O R B A接口以及 使用s e r v l e t等的信息。 • 第三部分是“創(chuàng)建J a v a B e a n”，它解釋怎樣開發(fā)新的J a v a B e a n組件，描述在組件 開發(fā)中涉及的任務(wù), 怎樣使用B e a n s E x p r e s s創(chuàng)建新的J a v a B e a n，以及關(guān)于屬性、 事件、B e a nIn f o類和其他方面的詳細(xì)情況。
標(biāo)簽： 8226 數(shù)據(jù)庫 應(yīng)用程序 分
上傳時(shí)間： 2014-01-03
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標(biāo)簽： nbfjdbnnbnbvfknvn weiifnvfn
上傳時(shí)間： 2013-12-18
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S29NS-J 128 Megabit (8 M x 16-Bit), 64 Megabit (4 M x 16-Bit), 32 Megabit (2 M x 16-Bit), and 16 Megabit (1 M x 16 Bit), 110 nm CMOS 1.8-Volt only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memories Data Sheet
上傳時(shí)間： 2014-01-01
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