主要實(shí)現(xiàn)的是歸并排序，已知單鏈線性表LA和Lb的元素按值非遞減排列。歸并LA和Lb得到新的單鏈
LAss="tags">標(biāo)簽： 排序
LAss="time">上傳時(shí)間： 2017-09-28
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構(gòu)造兩個(gè)順序表LA、LB（當(dāng)輸入-9999時(shí)，結(jié)束構(gòu)造過程），其中的數(shù)據(jù)元素按值非遞減有序排列，現(xiàn)要求將LA和LB歸并為一個(gè)新的順序表LC，且LC中的數(shù)據(jù)元素仍按值非遞減有序排列
LAss="tags">標(biāo)簽： 線性
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鏈表習(xí)題 1. 編程實(shí)現(xiàn)鏈表的基本操作函數(shù)。 (1). void CreatList(LinkList &LA,int m) //依次輸入m個(gè)數(shù)據(jù)，并依次建立各個(gè)元素結(jié)點(diǎn)，逐個(gè)插入到鏈表尾；建立帶表頭結(jié)點(diǎn)的單鏈表LA； (2). void ListPrint(LinkList LA) //將單鏈表LA的數(shù)據(jù)元素從表頭到表尾依次顯示。 (3).void ListInsert (LinkList &L,int i,ElemType e){ //在帶頭結(jié)點(diǎn)的單鏈表L中第i個(gè)數(shù)據(jù)元素之前插入數(shù)據(jù)元素e (4). void ListDelete(LinkList &LA, int n, ElemType &e) //刪除鏈表的第n個(gè)元素，并用e返回其值。 (5). int Search(LinkList L, ElemType x) //在表中查找是否存在某個(gè)元素x，如存在則返回x在表中的位置，否則返回0。 (6). int ListLength(LinkList L) //求鏈表L的表長 (7). void GetElem(LinkList L, int i, ElemType &e) //用e返回L中第i個(gè)元素的值 鏈表的結(jié)點(diǎn)類型定義及指向結(jié)點(diǎn)的指針類型定義可以參照下列代碼: typedef struct Node{ ElemType data; // 數(shù)據(jù)域 struct Node *next; // 指針域 }LNode, *LinkList;
LAss="tags">標(biāo)簽： 單鏈表
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1. 編程實(shí)現(xiàn)鏈表的基本操作函數(shù)。 (1). void CreatList(LinkList &LA,int m) //依次輸入m個(gè)數(shù)據(jù)，并依次建立各個(gè)元素結(jié)點(diǎn)，逐個(gè)插入到鏈表尾；建立帶表頭結(jié)點(diǎn)的單鏈表LA； (2). void ListPrint(LinkList LA) //將單鏈表LA的數(shù)據(jù)元素從表頭到表尾依次顯示。 (3).void ListInsert (LinkList &L,int i,ElemType e){ //在帶頭結(jié)點(diǎn)的單鏈表L中第i個(gè)數(shù)據(jù)元素之前插入數(shù)據(jù)元素e (4). void ListDelete(LinkList &LA, int n, ElemType &e) //刪除鏈表的第n個(gè)元素，并用e返回其值。 (5). int Search(LinkList L, ElemType x) //在表中查找是否存在某個(gè)元素x，如存在則返回x在表中的位置，否則返回0。 (6). int ListLength(LinkList L) //求鏈表L的表長 (7). void GetElem(LinkList L, int i, ElemType &e) //用e返回L中第i個(gè)元素的值 鏈表的結(jié)點(diǎn)類型定義及指向結(jié)點(diǎn)的指針類型定義可以參照下列代碼: typedef struct Node{ ElemType data; // 數(shù)據(jù)域 struct Node *next; // 指針域 }LNode, *LinkList;
LAss="tags">標(biāo)簽： 單鏈表
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LAss="tags">標(biāo)簽： factoryio SIEMENS
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/LA), LA: ambipoLAr diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion LAyer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift LAyer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward bLAsed, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity moduLAtion). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
LAss="tags">標(biāo)簽： igbt
LAss="time">上傳時(shí)間： 2022-06-20
LAss="username">上傳用戶：wangshoupeng199
