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MCT

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    上傳時間: 2013-12-14

    上傳用戶:王者A

  • 先進的高壓大功率器件——原理 特性和應用

    本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用, 定義了理想功率開關的電特性, 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 (GTO) 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構, 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層, 以防止其提前擊穿。 另外, 必須屏蔽基區,以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘(MCT) 結構和基極電阻控制晶閘管 (BRT) 結構, 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘(EST), 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷, 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書, 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。

    標簽: 大功率器件

    上傳時間: 2021-11-02

    上傳用戶:

  • IGBT驅動電路的設計.

    電力電子技術包括功率半導體器件與1C技術、功率變換技術及控制技術等幾個方面,其中電力電子器件是電力電子技術的重要基礎,也是電力電子技術發展的“龍頭"。從1958年美國通用電氣(GE)公司研制出世界上第一個工業用普通晶閘管開始,電能的變換和控制從旋轉的變流機組和靜止的離子變流器進入由電力電子器件構成的變流器時代,這標志著電力電子技術的誕生。到了70年代,晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產品。同時,非對稱晶閘管、逆導晶閘管、雙向品閘管、光控晶閘管等品閘管派生器件相繼問世,廣泛應用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應快等優點,其研制及應用得到了飛速發展。由于普通晶閘管不能自關斷,屬于半控型器件,因而被稱作第一代電力電子器件。在實際需要的推動下,隨著理論研究和工藝水平的不斷提高,電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發展,先后出現了GTR,GTO、功率MOSET等自關斷、全控型器件,被稱為第二代電力電子器件。近年來,電力電子器件正朝著復合化、模塊化及功率集成的方向發展,如IGPT,MCT,HVIC等就是這種發展的產物

    標簽: igbt 驅動電路

    上傳時間: 2022-06-19

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