Single chip TFT-LCD Controller/Driver with On-chip Frame MEMORY (FM) Display Resolution: 240*RGB (H) *320(V) Frame MEMORY Size: 240 x 320 x 18-bit = 1,382,400 bits LCD Driver Output Circuits- Source Outputs: 240 RGB Channels- Gate Outputs: 320 Channels- Common Electrode Output Display Colors (Color Mode)- Full Color: 262K, RGB=(666) max., Idle Mode Off- Color Reduce: 8-color, RGB=(111), Idle Mode On Programmable Pixel Color Format (Color Depth) for Various Display Data input Format- 12-bit/pixel: RGB=(444)- 16-bit/pixel: RGB=(565)- 18-bit/pixel: RGB=(666) MCU Interface- Parallel 8080-series MCU Interface (8-bit, 9-bit, 16-bit & 18-bit)- 6/16/18 RGB Interface(VSYNC, HSYNC, DOTCLK, ENABLE, DB[17:0])- Serial Peripheral Interface(SPI Interface)- VSYNC Interface
上傳時間： 2022-03-04
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驅(qū)動芯片資料ST7735S規(guī)格書132RGB x 162dot 262K Color with Frame MEMORY Single-Chip TFT Controller/Driver
標簽： 驅(qū)動芯片
上傳時間： 2022-03-24
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目前cPU+ MEMORY等系統(tǒng)集成的多芯片系統(tǒng)級封裝已經(jīng)成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統(tǒng)級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術(shù)，混載于同一封裝內(nèi)的一種系統(tǒng)集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現(xiàn)系統(tǒng)的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發(fā)熱密度和熱阻，對封裝技術(shù)具有更大的挑戰(zhàn)。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數(shù)字電視（DTV）接收端子系統(tǒng)模塊設(shè)計的基礎(chǔ)上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結(jié)構(gòu)上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結(jié)構(gòu)，以引線鍵合的方式為互連，實現(xiàn)小型化系統(tǒng)級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導(dǎo)電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結(jié)了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關(guān)鍵的是涂布材料不導(dǎo)電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應(yīng)力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環(huán)條件下，受到的應(yīng)力、應(yīng)變、以及可能出現(xiàn)的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結(jié)層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數(shù)以及芯片、粘結(jié)層的厚度等對封裝體應(yīng)力應(yīng)變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環(huán)境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環(huán)境下可能產(chǎn)生的可靠性問題進行了實驗研究。在經(jīng)過168小時濕氣預(yù)處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結(jié)果表明濕應(yīng)力同樣對封裝的可靠性會產(chǎn)生重要影響。實驗結(jié)果也證實了，SiP封裝在濕氣環(huán)境下引入的濕應(yīng)力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環(huán)條件下的應(yīng)力、應(yīng)變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設(shè)計的方法研究四層芯片、四層粘結(jié)薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應(yīng)力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優(yōu)化設(shè)計，最終得到更優(yōu)化的四層芯片疊層SiP封裝結(jié)構(gòu)。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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S32K1xx Series Reference Manual 用戶手冊--2029頁 Supports S32K116, S32K118, S32K142, S32K144, S32K146, and S32K148S32K是一款符合AEC-Q100規(guī)范、基于32位ARM Cortex-M4F和Cortex-M0+內(nèi)核的MCU，適用于通用汽車和高可靠性工業(yè)應(yīng)用。The S32K1xx product series further extends the highly scalable portfolio of Arm? Cortex?-M0+/M4F MCUs in the automotive industry. It builds on the legacy of the KEA series, while introducing higher MEMORY options alongside a richer peripheral set extending capability into a variety of automotive applications. With a 2.70–5.5 V supply and focus on automotive environment robustness, the S32K product series devices are well suited to a wide range of applications in electrically harsh environments, and are optimized for cost-sensitive applications offering low pin-count options. The S32K product series offers a broad range of MEMORY, peripherals, and package options. It shares common peripherals and pin counts, allowing developers to migrate easily within an MCU family or among the MCU families to take advantage of more MEMORY or feature integration. This scalability allows developers to use the S32K product series as the standard for their end product platforms, maximizing hardware and software reuse and reducing time to market
標簽： S32K116 S32K118 S32K142 S32K144
上傳時間： 2022-04-16
上傳用戶：jason_vip1
意法半導(dǎo)體STM8系列參考手冊Program MEMORY: 8 Kbyte Flash MEMORY; dataretention 20 years at 55 °C after 100 cycles? RAM: 1 Kbyte? Data MEMORY: 128 bytes true data EEPROM;endurance up to 100 k write/erase cycles
標簽： stm8
上傳時間： 2022-04-27
上傳用戶：zhaiyawei
This manual documents the Microcontroller profile of version 7 of the ARM? Architecture, the ARMv7-M architecture profile. For short definitions of all the ARMv7 profiles see About the ARMv7 architecture, and architecture profiles on page A1-20.ARMv7 is documented as a set of architecture profiles. The profiles are defined as follows: ARMv7-A The application profile for systems supporting the ARM and Thumb instruction sets, and requiring virtual address support in the MEMORY management model. ARMv7-R The realtime profile for systems supporting the ARM and Thumb instruction sets, and requiring physical address only support in the MEMORY management model ARMv7-M The microcontroller profile for systems supporting only the Thumb instruction set, and where overall size and deterministic operation for an implementation are more important than absolute performance. While profiles were formally introduced with the ARMv7 development, the A-profile and R-profile have implicitly existed in earlier versions, associated with the Virtual MEMORY System Architecture (VMSA) and Protected MEMORY System Architecture (PMSA) respectively.
標簽： arm
上傳時間： 2022-06-02
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ATS2819/ATS2819P標準應(yīng)用方案主要分為以下功能模塊：Power Supply，BlueTooth，Audio Input/Output（包括codec、I2C、SPDIF），F(xiàn)M Receiver，disaplay（LED&LCD），USB，SPI NOR Flash MEMORY，SD/MMC/MS Card等。1.2原理圖設(shè)計總體原則1原理圖設(shè)計需要按照方案規(guī)格的要求實現(xiàn)各項硬件功能，盡量避免功能模塊相互間的資源沖突。如果存在I/O復(fù)用，接收復(fù)用等情況，除了需注意檢查I/O上電狀態(tài)，接口時序等，還需要注意復(fù)用的SIO工作頻率與工作電壓域是否符合要求(如WIO)，確保功能設(shè)計正確實現(xiàn)。2原理圖設(shè)計要求性能達到要求。如穩(wěn)定性，啟動電壓，功耗，ESD，EMI等。要注意檢查模塊電源開關(guān)狀態(tài)，選擇的原件標稱及精度、材質(zhì)，接口保護元件和EMI濾波器等。3系統(tǒng)時鐘26MHZ，要求CL為7~9PF，精度為+-10PPM。這樣才能保證系統(tǒng)能正常工作。4當(dāng)設(shè)計PCB受限于模具大小時，各個模塊無法保證均能得到最優(yōu)的布局布線(如濾波電容要求靠近IC、走線上要求盡量少的過孔與盡可能短的走線)。因為在此給出一個模塊優(yōu)先級以供設(shè)計人員參考，從而提高方案設(shè)計的效率，增加一版work的可行性。將優(yōu)先級以阿拉伯?dāng)?shù)據(jù)排列
上傳時間： 2022-06-07
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RK3288資料說明：? DDR3 方案采用 4x16bit、 2x32bit 等模板；? LPDDR2 方案采用 2 x 32bit（168pin）、 1 x 32bit x 2channel（pop216pin）、 1x32bitx 2channel（pop220pin） 等模板；? LPDDR3 方案采用 2 x 32bit（178pin）模板? PMIC 方案采用 RT5C620(單節(jié)電池)、 ACT8846（雙節(jié)電池）；? MEMORY 默認為 eMMC Flash，兼容 Nand Flash 及 tSD 的設(shè)計；? TP 包括 COF 及三種 COB 接法；? 顯示包括 eDP、單 MIPI、雙 MIPI、 LVDS 四種兼容設(shè)計；? 3G 包括 3G-UNA（DS 7.2Mbps）、 3G-UNA LITE（DS 14.4Mbps） 兩種模組兼容；? Audio 包括 ES8323（低成本）、 ALC5631、 ALC3224（BT 語音）三種兼容；? WIFI 兼容 AP6XXX 各模開發(fā)包包含以下幾部分資料1、RK3288原廠參考原理圖，DSN原始文檔。2、RK3288發(fā)布原理圖修改記錄、規(guī)格書等3、RK3288原廠參考的DDR模板，包含DSN原理圖和pads PCB4、RK3288 PCB庫文件總的來說，拿到這份資料之后即可進行RK3288的硬件開發(fā)設(shè)計，可以畫原理圖、PCB。
上傳時間： 2022-06-12
上傳用戶：bluedrops
PIC XC8 V1.41 PRO版，編譯器破解文件，將附件文件覆蓋編譯器bin目錄下原文件即可。你懂的。。。。。。。編譯前把編譯選項的Free改成PRO和諧文件在MPLAB X IDE v5.00版本測試成功清除已成功 (總時間： 10ms)make -f nbproject/Makefile-default.mk SUBPROJECTS= .build-confmake -f nbproject/Makefile-default.mk dist/default/production/KEY_V1.X.production.hexMicrochip MPLAB XC8 C Compiler (PRO Mode) V1.41Build date: Jan 24 2017Part Support Version: 1.41Copyright (C) 2017 Microchip Technology Inc.MEMORY Summary: Program space used 2A9h ( 681) of 1000h words ( 16.6%) Data space used 4Dh ( 77) of 100h bytes ( 30.1%) EEPROM space used 0h ( 0) of 100h bytes ( 0.0%) Data stack space used 0h ( 0) of AEh bytes ( 0.0%) Configuration bits used 2h ( 2) of 2h words (100.0%) ID Location space used 0h ( 0) of 4h bytes ( 0.0%)編譯已成功 (總時間： 2s)正在加載代碼...加載完成
標簽： XC8
上傳時間： 2022-06-21
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pcie（PCI-Express）處理層協(xié)議中文詳解處理層協(xié)議（transaction Layer specification）◆TLP概況。◆尋址定位和路由導(dǎo)向。◆i/o，.MEMORY，configuration，message request、completion 詳解。◆請求和響應(yīng)處理機制。◆virtual channel（ve）Mechanism虛擬通道機制。◆data integrity 數(shù)據(jù)完整性。一.TLP概況處理層（transaction Layer specification）是請求和響應(yīng)信息形成的基礎(chǔ)。包括四種地址空間，三種處理類型，從下圖可以看出在transaction Layer中形成的包的基本概括。一類是對io口和MEMORY的讀寫包（TLPS:transaction Layers packages），另一類是對配置寄存器的讀寫設(shè)置包，還有一類是信息包，描述通信狀態(tài)，作為事件的信號告知用戶。對MEMORY的讀寫包分為讀請求包和響應(yīng)包、寫請求包（不需要存儲器的響應(yīng)包）。而io類型的讀寫請求都需要返回I/O口的響應(yīng)包，
標簽： pcie
上傳時間： 2022-06-30
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