創(chuàng)建PCB元件管腳封裝
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
帶數(shù)碼管顯示的 移動(dòng)電源原理圖
標(biāo)簽： 移動(dòng)電源 原理圖 數(shù)碼管
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：拔絲土豆
SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號(hào)就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個(gè)高性能定時(shí)器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號(hào)發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡便可靠，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：wfymay
DC/DC升壓IC ，LDO穩(wěn)壓IC，鋰電池充電IC，恒流IC，LED驅(qū)動(dòng)IC ,電壓檢測(cè)IC，降壓IC，AC-DC，MOS管等電源管理芯片。
標(biāo)簽： 4056 TP 移動(dòng)電源IC
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：448949
場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)電路在電源技術(shù)中應(yīng)用較多
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)管 中的應(yīng)用 開關(guān)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：ommshaggar
常用穩(wěn)壓二級(jí)管技術(shù)參數(shù)
標(biāo)簽： 常用穩(wěn)壓 二級(jí) 合成 技術(shù)參數(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：sammi
摘要：本裝置主要以AVR單片機(jī)為核心，通過SG3 5 25芯片完成DC-DC穩(wěn)壓電路，有單片機(jī)產(chǎn)生的SPWM波形完成DC-AC逆變并網(wǎng)。SPWM波形，經(jīng)光耦將主電路與控制電路隔離后將信號(hào)由一個(gè)非門變?yōu)閮陕坊bSPWM波形作為IR2110驅(qū)動(dòng)芯片的輸入，兩個(gè)IR2110輸出控制逆變環(huán)節(jié)的MOS管導(dǎo)通。使整個(gè)系統(tǒng)能夠穩(wěn)定的工作規(guī)定范圍內(nèi)，通過采樣環(huán)節(jié)，可以做到實(shí)時(shí)的調(diào)整。也可以通過采樣電流的信號(hào)對(duì)系統(tǒng)的過電流進(jìn)行保護(hù)，設(shè)置了欠電壓工作點(diǎn)，通過這些環(huán)節(jié)，使系統(tǒng)在出現(xiàn)故障后能夠有良好的保護(hù)。
標(biāo)簽： AVR 單片機(jī) 逆變 并網(wǎng)
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶：cange111
附件是Semihow MOS 管的選型手冊(cè),Semihow 是一家韓國品牌,品質(zhì)跟Fairchild(仙童)相同,但價(jià)格卻優(yōu)于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友請(qǐng)聯(lián)系我,電話：021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351
標(biāo)簽： SemiHow MOSFET 選型手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：ch3ch2oh
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