?? MOS技術資料

?? 資源總數:201
?? 技術文檔:1
?? 源代碼:27765

?? MOS全部資料 (201個)

ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 ...

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下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。 ...

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MOS關模型 Cgs:由源極和溝道區域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊,第二是耗盡區電容(非線性)。...

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