為了系統深入地研究MOS2的電子能帶結構和光電性質，基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方
法，計算和分析了材料MOS2的電子結構及其光學性質，給出了MOS2 的能帶結構、光吸收譜、電子態密度、能
量損失譜、反射譜、介電函數譜等光學性質。計算結果表明：體材料MOS2的電子躍遷形式是非垂直躍遷，具有
間接帶隙的半導體材料，帶隙寬為1.126 eV；價帶和導帶的形成是由Mo和S 的價電子起作用產生的。通過分析
其光學性質，發現MOS2的介電函數的實部和虛部的峰值都出現在低能區，當光子能量的升高，介電函數值會緩
慢降低；材料MOS2對可見紫外區域的光子具有很強的吸收，最大吸收系數為3.17×105cm-1；MOS2在能量為18.33eV
位置出現了共振現象，其它區域內能量的損失值都趨于為0，說明電子之間共振非常微弱。這些光學性質奠定了
該材料在制作微電子和光電子器件方面的作用，尤其是在紫外探測器應用方面有著潛在的應用前景，為未來對
MOS2材料的進一步研究提供理論參考。
標簽：
MOS2
電子結構
光學
上傳時間：
2020-11-08
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