寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器
利用MOS場效應管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術,設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明,該放大器工作穩定,性能可靠...
利用MOS場效應管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術,設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明,該放大器工作穩定,性能可靠...
LNA的功能和指標二端口網絡的噪聲系數Bipolar LNAMOS LNA非準靜態(NQS)模型和柵極感應噪聲CMOS最小噪聲系數和最佳噪聲匹配參考文獻LNA 的功能和指標• 第一級有源電路,其噪聲、非線性、匹配等性能對整個接收機至關重要• 主要指標– 噪聲系數(NF)取決于...
摘要:對LDO線性穩壓器關鍵技術進行了分析,重點分析了LDO穩壓器的穩定性問題,在此基礎上提出了一種新型的動態頻率補償電路,利用MOS管的開關電阻、寄生電容等構成的電阻電容網絡,通過采樣負載電流而改變MOS開關管的工作點或工作狀態,即改變開關電阻、寄生電容的值,從而實現動態的頻率補償。與傳統方法相比...
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD ...
模擬集成電路的設計與其說是一門技術,還不如說是一門藝術。它比數字集成電路設計需要更嚴格的分析和更豐富的直覺。嚴謹堅實的理論無疑是嚴格分析能力的基石,而設計者的實踐經驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學者對學習模擬集成電路設計感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國加州大學洛杉機分校(UCLA)Raz...