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MOS

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。
  • 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

    利用MOS場效應管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術,設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明,該放大器工作穩定,性能可靠

    標簽: 寬頻帶 高功率 射頻 脈沖功率放大器

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:waitingfy

  • 低噪聲放大器(LNA)

    LNA的功能和指標二端口網絡的噪聲系數Bipolar LNAMOS LNA非準靜態(NQS)模型和柵極感應噪聲CMOS最小噪聲系數和最佳噪聲匹配參考文獻LNA 的功能和指標• 第一級有源電路,其噪聲、非線性、匹配等性能對整個接收機至關重要• 主要指標– 噪聲系數(NF)取決于系統要求,可從1 dB 以下到好幾個dB, NF與工作點有關– 增益(S21)較大的增益有助于減小后級電路噪聲的影響,但會引起線性度的惡化– 輸入輸出匹配(S11, S22)決定輸入輸出端的射頻濾波器頻響– 反向隔離(S12)– 線性度(IIP3, P1dB)未經濾除的干擾信號可通過互調(Intermodulation) 等方式使接收質量降低

    標簽: LNA 低噪聲放大器

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:xaijhqx

  • LDO線性穩壓器動態頻率補償電路設計

    摘要:對LDO線性穩壓器關鍵技術進行了分析,重點分析了LDO穩壓器的穩定性問題,在此基礎上提出了一種新型的動態頻率補償電路,利用MOS管的開關電阻、寄生電容等構成的電阻電容網絡,通過采樣負載電流而改變MOS開關管的工作點或工作狀態,即改變開關電阻、寄生電容的值,從而實現動態的頻率補償。與傳統方法相比,該電路大大提高了系統的瞬態響應性能。 關鍵詞:LDo;穩定性;ESR;動態頻率補償

    標簽: LDO 線性穩壓器 動態 電路設計

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:gtf1207

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電(ESD,Electrostatic Discharge)給電子器件環境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展,互補金屬氧化物半導體(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不斷縮小,金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄,MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小,因此要進一步優化電路的抗ESD 性能,需要從全芯片ESD 保護結構的設計來進行考慮。

    標簽: Construction Strategy ESD of

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:Aidane

  • 模擬cMOS集成電路設計(design of analog

    模擬集成電路的設計與其說是一門技術,還不如說是一門藝術。它比數字集成電路設計需要更嚴格的分析和更豐富的直覺。嚴謹堅實的理論無疑是嚴格分析能力的基石,而設計者的實踐經驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學者對學習模擬集成電路設計感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國加州大學洛杉機分校(UCLA)Razavi教授憑借著他在美國多所著名大學執教多年的豐富教學經驗和在世界知名頂級公司(AT&T,Bell Lab,HP)卓著的研究經歷為我們提供了這本優秀的教材。本書自2000午出版以來得到了國內外讀者的好評和青睞,被許多國際知名大學選為教科書。同時,由于原著者在世界知名頂級公司的豐富研究經歷,使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設計或相關領域的研究人員和工程技術人員的參考書。... 本書介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念,同時還闡述了在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。本書由淺入深,理論與實際結合,提供了大量現代工業中的設計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關電容電路以及電路的非線性和失配的影響,第14、15章介紹振蕩器和鎖相環。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應及其模型、CMOS制造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 CMOS Processing Technology 18 Layout and Packaging

    標簽: analog design cMOS of

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:杜瑩12345

  • TP4056移動電源IC

    DC/DC升壓IC ,LDO穩壓IC,鋰電池充電IC,恒流IC,LED驅動IC ,電壓檢測IC,降壓IC,AC-DC,MOS管等電源管理芯片。

    標簽: 4056 TP 移動電源IC

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:448949

  • G5177 2A同步升壓IC-FOR移動電源/手機MID等

    G5177為致新科技為移動電源領域量身打造的2A輸出同步升壓IC,效率高達90%以上,價格便宜,周邊電子元件少,省肖特基和關斷MOS,整體成本大大降低,是移動電源和移動電源+WIFI方案的首選。 我們還有1A同步升壓產品可以P2P選擇。

    標簽: IC-FOR G5177 MID 同步升壓

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:tb_6877751

  • 基于AVR單片機的逆變并網裝置的設計

    摘要:本裝置主要以AVR單片機為核心,通過SG3 5 25芯片完成DC-DC穩壓電路,有單片機產生的SPWM波形完成DC-AC逆變并網。SPWM波形,經光耦將主電路與控制電路隔離后將信號由一個非門變為兩路互~bSPWM波形作為IR2110驅動芯片的輸入,兩個IR2110輸出控制逆變環節的MOS管導通。使整個系統能夠穩定的工作規定范圍內,通過采樣環節,可以做到實時的調整。也可以通過采樣電流的信號對系統的過電流進行保護,設置了欠電壓工作點,通過這些環節,使系統在出現故障后能夠有良好的保護。

    標簽: AVR 單片機 逆變 并網

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:cange111

  • SemiHow MOSFET選型手冊

    附件是Semihow MOS 管的選型手冊,Semihow 是一家韓國品牌,品質跟Fairchild(仙童)相同,但價格卻優于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友請聯系我,電話:021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351

    標簽: SemiHow MOSFET 選型手冊

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:ch3ch2oh

  • AN799 MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計

    MOS管設計教程

    標簽: MOSFET 799 AN 驅動器

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:海陸空653

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