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MOS

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。

  • 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

    利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠

    標(biāo)簽： 寬頻帶 高功率 射頻 脈沖功率放大器

    上傳時間： 2013-11-17

    上傳用戶：waitingfy

  • 低噪聲放大器(LNA)

    LNA的功能和指標(biāo)二端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲系數(shù)Bipolar LNAMOS LNA非準(zhǔn)靜態(tài)(NQS)模型和柵極感應(yīng)噪聲CMOS最小噪聲系數(shù)和最佳噪聲匹配參考文獻(xiàn)LNA 的功能和指標(biāo)• 第一級有源電路，其噪聲、非線性、匹配等性能對整個接收機(jī)至關(guān)重要• 主要指標(biāo)– 噪聲系數(shù)(NF)取決于系統(tǒng)要求，可從1 dB 以下到好幾個dB， NF與工作點(diǎn)有關(guān)– 增益(S21)較大的增益有助于減小后級電路噪聲的影響，但會引起線性度的惡化– 輸入輸出匹配(S11, S22)決定輸入輸出端的射頻濾波器頻響– 反向隔離(S12)– 線性度(IIP3， P1dB)未經(jīng)濾除的干擾信號可通過互調(diào)(Intermodulation) 等方式使接收質(zhì)量降低

    標(biāo)簽： LNA 低噪聲放大器

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：xaijhqx

  • LDO線性穩(wěn)壓器動態(tài)頻率補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)

    摘要：對LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)頻率補(bǔ)償電路，利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過采樣負(fù)載電流而改變MOS開關(guān)管的工作點(diǎn)或工作狀態(tài)，即改變開關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實(shí)現(xiàn)動態(tài)的頻率補(bǔ)償。與傳統(tǒng)方法相比，該電路大大提高了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能。 關(guān)鍵詞：LDo；穩(wěn)定性；ESR；動態(tài)頻率補(bǔ)償

    標(biāo)簽： LDO 線性穩(wěn)壓器 動態(tài) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：gtf1207

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來進(jìn)行考慮。

    標(biāo)簽： Construction Strategy ESD of

    上傳時間： 2013-11-09

    上傳用戶：Aidane

  • 模擬cMOS集成電路設(shè)計(jì)(design of analog

    模擬集成電路的設(shè)計(jì)與其說是一門技術(shù)，還不如說是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)需要更嚴(yán)格的分析和更豐富的直覺。嚴(yán)謹(jǐn)堅(jiān)實(shí)的理論無疑是嚴(yán)格分析能力的基石，而設(shè)計(jì)者的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學(xué)者對學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計(jì)感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國加州大學(xué)洛杉機(jī)分校(UCLA)Razavi教授憑借著他在美國多所著名大學(xué)執(zhí)教多年的豐富教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和在世界知名頂級公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究經(jīng)歷為我們提供了這本優(yōu)秀的教材。本書自2000午出版以來得到了國內(nèi)外讀者的好評和青睞，被許多國際知名大學(xué)選為教科書。同時，由于原著者在世界知名頂級公司的豐富研究經(jīng)歷，使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)或相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程技術(shù)人員的參考書。... 本書介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書由淺入深，理論與實(shí)際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和鎖相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 CMOS Processing Technology 18 Layout and Packaging

    標(biāo)簽： analog design cMOS of

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：杜瑩12345

  • TP4056移動電源IC

    DC/DC升壓IC ，LDO穩(wěn)壓IC，鋰電池充電IC，恒流IC，LED驅(qū)動IC ,電壓檢測IC，降壓IC，AC-DC，MOS管等電源管理芯片。

    標(biāo)簽： 4056 TP 移動電源IC

    上傳時間： 2013-10-22

    上傳用戶：448949

  • G5177 2A同步升壓IC-FOR移動電源/手機(jī)MID等

    G5177為致新科技為移動電源領(lǐng)域量身打造的2A輸出同步升壓IC,效率高達(dá)90%以上，價格便宜，周邊電子元件少，省肖特基和關(guān)斷MOS,整體成本大大降低，是移動電源和移動電源+WIFI方案的首選。 我們還有1A同步升壓產(chǎn)品可以P2P選擇。

    標(biāo)簽： IC-FOR G5177 MID 同步升壓

    上傳時間： 2013-10-12

    上傳用戶：tb_6877751

  • 基于AVR單片機(jī)的逆變并網(wǎng)裝置的設(shè)計(jì)

    摘要：本裝置主要以AVR單片機(jī)為核心，通過SG3 5 25芯片完成DC-DC穩(wěn)壓電路，有單片機(jī)產(chǎn)生的SPWM波形完成DC-AC逆變并網(wǎng)。SPWM波形，經(jīng)光耦將主電路與控制電路隔離后將信號由一個非門變?yōu)閮陕坊bSPWM波形作為IR2110驅(qū)動芯片的輸入，兩個IR2110輸出控制逆變環(huán)節(jié)的MOS管導(dǎo)通。使整個系統(tǒng)能夠穩(wěn)定的工作規(guī)定范圍內(nèi)，通過采樣環(huán)節(jié)，可以做到實(shí)時的調(diào)整。也可以通過采樣電流的信號對系統(tǒng)的過電流進(jìn)行保護(hù)，設(shè)置了欠電壓工作點(diǎn)，通過這些環(huán)節(jié)，使系統(tǒng)在出現(xiàn)故障后能夠有良好的保護(hù)。

    標(biāo)簽： AVR 單片機(jī) 逆變 并網(wǎng)

    上傳時間： 2013-11-07

    上傳用戶：cange111

  • SemiHow MOSFET選型手冊

    附件是Semihow MOS 管的選型手冊,Semihow 是一家韓國品牌,品質(zhì)跟Fairchild(仙童)相同,但價格卻優(yōu)于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友請聯(lián)系我,電話：021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351

    標(biāo)簽： SemiHow MOSFET 選型手冊

    上傳時間： 2013-11-18

    上傳用戶：ch3ch2oh

  • AN799 MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)

    MOS管設(shè)計(jì)教程

    標(biāo)簽： MOSFET 799 AN 驅(qū)動器

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：海陸空653

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