寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠...
MOS技術(shù)資料
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?? 技術(shù)文檔：1
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MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。
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LNA的功能和指標二端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲系數(shù)Bipolar LNAMOS LNA非準靜態(tài)(NQS)模型和柵極感應(yīng)噪聲CMOS最小噪聲系數(shù)和最佳噪聲匹配參考文獻LNA 的功能和指標• 第一級有源電路，其噪聲、非線性、匹配等性能對整個接收機至關(guān)重要• 主要指標– 噪聲系數(shù)(NF)取決于...
LDO線性穩(wěn)壓器動態(tài)頻率補償電路設(shè)計
摘要：對LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進行了分析，重點分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)頻率補償電路，利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過采樣負載電流而改變MOS開關(guān)管的工作點或工作狀態(tài)，即改變開關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實現(xiàn)動態(tài)的頻率補償。與傳統(tǒng)方法相比...
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD ...
模擬cmos集成電路設(shè)計(design of analog
模擬集成電路的設(shè)計與其說是一門技術(shù)，還不如說是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計需要更嚴格的分析和更豐富的直覺。嚴謹堅實的理論無疑是嚴格分析能力的基石，而設(shè)計者的實踐經(jīng)驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學(xué)者對學(xué)習模擬集成電路設(shè)計感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國加州大學(xué)洛杉機分校(UCLA)Raz...
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