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MOS

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。
  • 60W氮化鎵 PD充電器工程文件

    基于氮化鎵MOS的高效PD協議智能充電器,超小體積超高效率,用于手機、pad、筆記本電腦的充電。

    標簽: 充電器

    上傳時間: 2022-03-28

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  • IP2716中文資料

    IP2716是一款集成USB TYPE-C輸入輸出協議、USB Power Delivery(PD3.0)輸入輸出協議、QC3.0/2.0輸出快充協議(兼容DCP識別功能,兼容BC1.2、蘋果和三星手機)等多功能。高集成度與豐富功能,使其在應用時僅需極少的外圍器件。如果原有的普通方案輸出功率和輸出電壓范圍滿足需求,只需額外增加外擴的功率MOS就可以實現在原有方案的基礎上升級為支持TYPE-C、PD3.0、QC3.0/2.0的高級快充方案。適當提升DC-DC或AC-DC元件性能,可以輕松實現最高100W(20V 5A)輸出能力,為移動電源、適配器、車充提供完整的TYPE-C解決方案。

    標簽: ip2716

    上傳時間: 2022-04-09

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  • 數字集成電路:電路系統與設計(第二版).pdf

    《數字集成電路:電路、系統與設計(第二版) 》,電子工業出版社出版,外文書名: Digital Integrated Circuits:A Design Perspective,Second Edition,作者:簡·M.拉貝艾 (Jan M.Rahaey) (作者), Anantha Chandrakasan (作者), Borivoje Nikolic (作者), 周潤德 (譯者), 等 (譯者)。本書由美國加州大學伯克利分校Jan M. Rabaey教授等人所著。全書共12章,分為三部分: 基本單元、電路設計和系統設計。本書在對MOS器件和連線的特性做了簡要的介紹之后,深入分析了數字設計的核心——反相器,并逐步將這些知識延伸到組合邏輯電路、時序邏輯電路、控制器、運算電路以及存儲器這些復雜數字電路與系統的設計中。為了反映數字集成電路設計進入深亞微米領域后正在發生的深刻變化,本書以CMOS工藝的實際電路為例,討論了深亞微米器件效應、電路最優化、互連線建模和優化、信號完整性、時序分析、時鐘分配、高性能和低功耗設計、設計驗證、芯片測試和可測性設計等主題,著重探討了深亞微米數字集成電路設計所面臨的挑戰和啟示。

    標簽: 數字集成電路 電路系統

    上傳時間: 2022-05-13

    上傳用戶:zhaiyawei

  • CS5080E 兩節鋰電池升壓充電控制芯片手冊

    CS5080E是一款5V輸入,支持雙節鋰電池串聯應用,鋰離子電池的升壓充電管理IC.CS5080E集成功率MOS,采用異步開關架構,使其在應用時僅需極少的外圍器件,可有效減少整體方案尺寸,降低BOM成本。CS5080E的升壓開關充電轉換器的工作頻率為600KHz最大2A輸入充電,轉換效率為90%。

    標簽: cs5080e 鋰電池 充電管理

    上傳時間: 2022-06-13

    上傳用戶:jiabin

  • IP6805U 5W低成本無線充方案

    概述IP6805U 是一款無線充電發射端控制 SoC 芯 片,兼容WPC Qi v1.2.4 最新標準,支持 A11 或 A11a 線圈,支持 5W 充電。IP6805U 通過analog ping 檢測到無線接收器,并建立與接收端之間的 通信,則開始功率傳輸。IP6805U 解碼從接收器 發送的通信數據包,然后用 PID 算法來改變振蕩頻率從而調整線圈上的輸出功率。一旦接收器上 的電池充滿電時,IP6805U 終止電力傳輸。IP6805U 片內集成全橋驅動電路和全橋功率 MOS,電壓&電流兩路 ASK 通訊解調模塊;方案集成度高,可顯著降低方案尺寸和 BOM 成本。 背夾、無線充電底座 ? 車載無線充電設備

    標簽: ip6805u 無線方案

    上傳時間: 2022-06-15

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  • IP5516 TWS藍牙耳機充電盒方案

    一,概述:    IP5516一款集成升壓轉換器、鋰電池充電管理、電池電量指示的多功能電源管理SOC,為TWS藍牙耳機充電倉提供完整的電源解決方案。二,特性:1 同步開關放電: 300mA 同步升壓轉換 升壓效率高達93% 內置電源路徑管理,支持邊充邊放2 充電: 500mA 線性充電,充電電流可調 自動調節充電電流,匹配適配器輸出能力 支持4.20V、4.30V、4.35V 和4.4V 電池3 電量顯示: 內置10bit ADC 和精準庫倫計算法 支持4/3/2/1 顆LED 電量顯示4 低功耗: 智能識別耳機插入/充滿/拔出,自動進待機 支持雙路耳機獨立檢測 支持兩種待機模式,待機功耗分別可達3uA 和25 μA5 BOM 極簡: 功率MOS 內置,2.2uH 單電感實現放電6多重保護、高可靠性: 輸出過流、過壓、短路保護 輸入過壓、過充、過流保護 整機過溫保護 ESD 4KV,VIN 瞬態耐壓高達15V7深度定制: 可靈活低成本定制方案8封裝:QFN16(4*4*0.75)三,應用TWS藍牙耳機充電倉/充電倉  

    標簽: ip5516 tws 藍牙 耳機 充電 方案

    上傳時間: 2022-06-15

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  • 時鐘芯片RX8025T

    RX-8801 SA Features built-in 32.768 kHz DTCXO, High Stability Supports l'C-Bus's high speed mode (400 kHz)Alarm interrupt function for day, date, hour, and minute settings Fixed-cycle timer interrupt function Time update interrupt function32.768 kHz output with OE function Auto correction of leap years Wide interface voltage range: 2.2 V to 5.5 V Wide time-keeping voltage range:1.8 V to 5.5 V Low current consumption: 0.84A/3V (Typ.)is an IC bus interface-compliant real-time clock which includes a 32.768 kHz DTCXO In addition to providing a calendar (year, month, date, day, hour, minute, second) function and a clock counter function, this module provides an abundance of other functions including an alarm function, fixed-cycle timer unction, time update interrupt function, and 32.768 kHz output function.The devices in this module are fabricated via a C-MOS process for low current consumption, which enables ong-term battery back-up.

    標簽: 時鐘芯片 rx8025t

    上傳時間: 2022-06-17

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  • IGBT圖解

    le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:wangshoupeng199

  • 基于mppt的戶用光伏水泵變頻控制器的研制

    當前世界能源短缺以及環境污染問題日益嚴重,這些問題迫使人們改變能源結構,尋找新的替代能源。可再生潔凈能源的開發愈來愈受到重視,太陽能以其經濟、清潔等優點倍受青睞,其開發利用技術亦得以迅速發展,而光伏水泵成為其中重要的研究領域。本文針對采用異步電機作為光伏水泵驅動電機的光伏水泵系統,詳細介紹了推挽DC/DC升壓電路、DC/AC IPM模塊逆變電路、及基于dsPIC30F2010的控制電路等,并制作了一臺試驗樣機。同時圍繞多種最大功率跟蹤方法展開研究,設計了最大功率跟蹤程序。論文的主要工作如下:1)設計了DC-DC推挽升壓電路,并通過加入TPS2812改進了推挽功率MOS管的驅動電路;2)研究分析了光伏水泵系統最大功率跟蹤控制,通過Matlab對多種MPPT方式進行了仿真,確定系統采用黃金分割法最大功率跟蹤方式;3)采用SVPWM調制技術,實現了系統的穩定快速跟蹤控制:4)采用IPM模塊作為逆變器主電路,大大簡化了逆變器驅動電路和保護電路設計,縮小了系統體積,提高了效率和系統的可靠性;5)采用徵芯公司的dsPIC20F2010作為主電路的控制核心,并設計了包括W"保護電路在內的外圍電路和相關的軟件;6)詳細介紹了系統主電路各元件參量的選擇和設計;7)在樣機上進行了不同負載下的試驗,給出了試驗波形和效率測試結果,驗證了本系統的可靠性和高效性。

    標簽: mppt 光伏水泵 變頻控制器

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 三相逆變器中IGBT的幾種驅動電路的分析.

    摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅動專用集成電路進行了詳細的分析,對TLP250,EXB系列和M579系列進行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數和內部功能方框圖,還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項,對每種驅動芯片進行了IGBT的驅動實驗,通過有關的波形驗證了它們的特點,最后得出結論:IGBT驅動集成電路的發展趨勢是集過流保護、驅動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過流保護1前言電力電子變換技術的發展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發展.20世紀80年代,為了給高電壓應用環境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個MOS門極區來控制寬基區的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優越通態特性相結合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機調速系統的設計中,它是日前最為常見的一種器件。

    標簽: 三相逆變器 igbt 驅動電路

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:jiabin

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