透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可...
MOSFET技術(shù)資料
?? 資源總數(shù)：231
?? 技術(shù)文檔：2
?? 源代碼：126
?? MOSFET全部資料 (231個)
可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件
在電源設(shè)計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET ...
IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊
IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊...
MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器...
Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DP
Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝...
以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.
以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋....
MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真mosfet的模型程序。
MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真mosfet的模型程序。...
雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價值
雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價值...
介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性
介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性，并對動態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡介了MOSFET的驅(qū)動電路及其發(fā)展動態(tài)。...
功率MOSFET知識介紹.pdf 功率MOSFET知識介紹.pdf
功率MOSFET知識介紹.pdf 功率MOSFET知識介紹.pdf...