經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSfet的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSfet AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽: MOSfet EMI 電壓電流 控制
上傳時間: 2014-09-08
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在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSfet 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
標簽: MOSfet 獨立元件
上傳時間: 2013-11-19
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IGBT和MOSfet功率模塊應用手冊
標簽: MOSfet IGBT 功率模塊 應用手冊
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功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用;但它承受短時過載的能力較弱,使其應用受到一定的限制。分析了MOSfet器件驅動與保護電路的設計要求;計算了MOSfet驅動器的功耗及MOSfet驅動器與MOSfet的匹配;設計了基于IR2130驅動模塊的MOSfet驅動保護電路。該電路具有結構簡單,實用性強,響應速度快等特點。在驅動無刷直流電機的應用中證明,該電路驅動能力及保護功能效果良好。
標簽: MOSfet 驅動保護電路
上傳時間: 2013-12-18
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Vishay新型功率MOSfet采用反向導引TO-252DPAK封裝
標簽: Vishay MOSfet 252 DP
上傳時間: 2013-11-09
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以C8051F330為核心,開發單端正激型開關電源充電器,C8051F330負責電流環及電壓環采樣及對應脈寬PWM輸出,控制主電路MOSfet管,構成負反饋.
標簽: C8051F330 MOSfet 8051 330
上傳時間: 2013-12-25
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MOSfet in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSfet的模型程序。
標簽: Zero-Current-Quasi-Resonant Converter simulink MOSfet
上傳時間: 2016-01-18
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雙極性晶體管VS MOSfet 非常的具有實用價值
標簽: MOSfet 雙極性晶體管 價值
上傳時間: 2014-01-25
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介紹MOSfet的結構、工作原理、靜態、動態特性,并對動態特性的改進進行了論述,簡介了MOSfet的驅動電路及其發展動態。
標簽: MOSfet 工作原理 動態特性
上傳時間: 2016-08-31
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功率MOSfet知識介紹.pdf 功率MOSfet知識介紹.pdf
標簽: MOSfet 功率
上傳時間: 2014-01-13
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