?? Manfredo P.do Carmo技術資料

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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 ...

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本書針對Atmel公司的AVR系列單片機和ImageCraft公司的ICC AVR開發環境,詳細地介紹了AT90LS8535的C語言程序設計。全書共有13章,其內容既涉及到了單片機的結構原理、指...

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The standard that governs the design of avioniccomponents and systems, DO-254, is one of the mostp...

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