加氫反應器設計壓力8.82Mpa，設計溫度425℃，材料2 1/4Cr-Mo，尺寸Di（內徑）4400×132mm。其中縱向焊接接頭和角接焊接接頭采用埋弧自動焊，環向對接接頭焊縫采用手工電弧焊封底，埋弧自動焊蓋面。相關練習題
標簽： 工藝練習題
上傳時間： 2020-12-02
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1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using Mo-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using Mo-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the Mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that Mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
標簽： DDR4
上傳時間： 2022-01-09
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5G移動通信網絡關鍵技術綜述.pdf陳 婧，韓遠兵，徐 川 (重慶郵電大學未來網絡研究中心 重慶 400065) 摘 要: 為適應未來海量移動數據的爆炸式增長，加快新業務新應用的開發，第五代移動通信( fifth generation Mo- bile communication network，5G) 網絡應運而生。目前，國內外已經逐漸明確了 5G 的愿景和需求，如何將現有技術和 多種潛在的新技術進行融合以實現 5G 網絡成為下一步的研究與發展重點。面向未來 5G 的技術發展，介紹 5G 的 概念、應用場景以及終端用戶對 5G 的相關需求; 然后，重點闡述 5G 在無線網絡方面具有發展前景的 10 大關鍵技 術，包括: 超密集異構網絡、自組織網絡、D2D( device-to-device) 通信、M2M( machine-to-machine) 通信、軟件定義無線 網絡、
上傳時間： 2022-02-25
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PSoC 4是真正的可編程嵌入式片上系統，在同一芯片中集成了自定義的模擬和數字外設功能、存儲器以及ARM Cortex-Mo微控制器這樣的系統和大部分混合信號嵌入式系統不完全一樣，它們使用了一個微控制器單元（MCU）和外部模擬和數字外設的組合。除MCU外，通常它還需要多個集成電路，如運算放大器、模數轉換器（ADC）和應用特定的集成電路（ASIC）PSoC 4提供了一個低成本的備用方案-批量生產中一般低于一美元一該方案可以替代一般的MCU加外部集成電路（IC）的組合方案。它的可編程模擬和數字子系統不僅可以降低整個系統成本，而且還支持極為靈活地調整設計，使產品快速上市。PSoC 4的一流的功耗性能可以在仍保持SRAM數據、可編程邏輯以及響應中斷喚醒的前提下僅消耗低達150 nA的電流。在非數據保持的電源模式，PSoC 4僅消耗20 nA的電流。PSoC 4中的電容式觸摸感應特性，稱為CapSense"，能提供前所未有的信噪比、一流的防水性能以及支持各種類型的傳感器，如按鍵、滑條、觸控板和接近傳感器。除PSoC4外，賽普拉斯PSoC系列還包括PSoC 1，PSoC 3和PSoC 5LP.這些器件提供了不同的架構和外設，更多有關的信息，請參見賽普拉斯平臺PSoC解決方案的路線圖PSoC 4系列的比較PSoC4包括下面三個器件系列：CYBC4000，CY8C4100以及CY8C4200，表1顯示的是這些器件具有的特性。PSoC 4的功能集PSoC 4具有一個很大的功能集，包括：一個CPU和存儲器子系統、一個數字子系統、一個模擬子系統以及全部系統資源，如圖1所示。下面各節對每個特性進行了簡要說明，更多有關信息，請查看PSoC 4的參考資源一節中所列出的PSoC 4系列器件的數據手冊、技術參考手冊（TRM）以及應用筆記.圖1顯示的是CY8C4200器件系列的各項特性。對于其他器件系列具備的這些特性的子集，請參考第2頁上的表1.
標簽： psoc4
上傳時間： 2022-05-29
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一、引言自1956年IBM推出第一臺硬盤驅動器IBM RAMAC 350至今已有四十多年了，其間雖沒有CPU那種令人眼花繚亂的高速發展與技術飛躍，但我們也確實看到，在這幾十年里，硬盤驅動器從控制技術、接口標準、機械結構等方面都進行了一系列改進。正是這一系列技術上的研究與突破，使我們今天終于用上了容量更大、體積更小、速度更快、性能更可靠、價格更便宜的硬盤。如今，雖然號稱新一代驅動器的JAZ，DVD-ROM，DVD-RAM，CD-RW，Mo，PD等紛紛登陸大容量驅動器市場，但硬盤以其容量大、體積小、速度快、價格便宜等優點，依然當之無愧地成為桌面電腦最主要的外部存儲器，也是我們每一臺PC必不可少的配置之一。二、硬盤磁頭技術1、磁頭磁頭是硬盤中最昂貴的部件，也是硬盤技術中最重要和最關鍵的一環。傳統的磁頭是讀寫合一的電碗感應式磁頭，但是，硬盤的讀、寫卻是兩種截然不同的操作，為此，這種二合一磁頭在設計時必須要同時兼顧到讀/兩種特性，從而造成了硬盤設計上的局限。而MR磁頭（Magnetoresistive heads），即磁阻磁頭，采用的是分離式的磁頭結構：寫入磁頭仍采用傳統的磁感應磁頭（MR磁頭不能進行寫操作），讀取磁頭則采用新型的MR磁頭，即所謂的感應寫、磁阻讀。這樣，在設計時就可以針對兩者的不同特性分別進行優化，以得到最好的讀/寫性能。另外，MR磁頭是通過阻值變化而不是電流變化去感應信號幅度，因而對信號變化相當敏感，讀取數據的準確性也相應提高。而且由于讀取的信號幅度與磁道寬度無關，故磁道可以做得很窄，從而提高了盤片密度，達到200MB/英寸2，而使用傳統的磁頭只能達到20MB/英寸2，這也是MR磁頭被廣泛應用的最主要原因。目前，MR磁頭已得到廣泛應用，而采用多層結構和磁阻效應更好的材料制作的GMR磁頭（Giant Magnetoresistive heads）也逐漸普及。
上傳時間： 2022-06-18
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本書主要包括CAN控制器和單片機的接口技術、CAN總線在A/D采集控制板傳輸中的應用、支持片上CANopen協議的LPC11Cxx系列微控制器（ARM Cortex-Mo內核）的CAN應用設計及CAN總線在酒店客房智能化系統中的工程應用。
上傳時間： 2022-07-16
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