常用三星單片機燒寫電壓設置參考表 燒寫電壓說明:Vdd 電壓指燒寫時加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認燒寫電壓,無須特別設置. 由于編程器的默認輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時,需要對燒寫轉換適配器作以下改動:將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當用戶采用在PCB板上燒寫方式時,建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個104 的電容入地,可有效保護在燒寫電壓加載時板子電路共同作用產生的瞬間過壓脈沖不會輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說明,由于三星半導體DATA SHEET 要求在對該芯片進行燒寫時,須在Vpp 腳加接一個101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時,須將燒寫器主板上的Vpp 端原來并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個101 電容入地即可.不過,據本人特別測試結果,其實不做以上處理對燒寫過程沒有任何影響, 估計可能是三星半導體對芯片有做過改版,老版本的84K4 才會有以上特別要求,新版本是沒有這個要求的.
上傳時間： 2013-10-10
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安規設計注意事項1. 件選用(1) 在件選用方面,要求掌握:a .安規件有哪些?(見三.安規件介紹)b.安規件要求安規件的要求就是要取得安規機構的認證或是符合相關安規標準;c.安規件額定值任何件均必須依 MANUFACTURE 規定的額定值使用;I 額定電壓;II 額定電;III 溫額定值;(2). 件的溫升限制a. 一般電子件: 依件規格之額定溫值,決定其溫上限b. 線圈類: 依其絕緣系統耐溫決定Class A ΔT≦75℃Class E ΔT≦90℃Class B ΔT≦95℃Class F ΔT≦115℃Class H ΔT≦140℃c. 人造橡膠或PVC 被覆之線材及電源線類:有標示耐溫值 T 者ΔT≦(T-25)℃無標示耐溫值 T 者ΔT≦50℃d. Bobbin 類: 無一定值,但須做125℃球壓測試;e. 端子類: ΔT≦60℃f. 溫升限值I. 如果有規定待測物的耐溫值(Tmax),則:ΔT≦Tmax-TmraII. 如果有規定待測物的溫升限值(ΔTmax),則:ΔT≦ΔTmax+25-Tmra其中 Tmra=制造商所規定的設備允許操作室溫或是25℃
上傳時間： 2013-10-14
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特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-09
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特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流電流/直流電壓,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 2.主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit(1-100%F.S.) 輸入抗阻 : >100Mohm(<2V range) >2Mohm(<2Vrange) < 0.25VA(current ranges) < 1000Vrms(>54V ranges) 最大過載能力: < 150Vrms(<54V ranges)
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：tiantwo
用二端口S-參數來表征差分電路的特性■ Sam Belkin差分電路結構因其更好的增益，二階線性度，突出的抗雜散響應以及抗躁聲性能而越來越多地被人們采用。這種電路結構通常需要一個與單端電路相連接的界面，而這個界面常常是采用“巴倫”器件（Balun），這種巴倫器件提供了平衡結構-到-不平衡結構的轉換功能。要通過直接測量的方式來表征平衡電路特性的話，通常需要使用昂貴的四端口矢量網絡分析儀。射頻應用工程師還需要確定幅值和相位的不平衡是如何影響差分電路性能的。遺憾的是，在射頻技術文獻中，很難找到一種能表征電路特性以及衡量不平衡結構所產生影響的好的評估方法。這篇文章的目的就是要幫助射頻應用工程師們通過使用常規的單端二端口矢量網絡分析儀來準確可靠地解決作為他們日常工作的差分電路特性的測量問題。本文介紹了一些用來表征差分電路特性的實用和有效的方法， 特別是差分電壓，共模抑制（CMRR），插入損耗以及基于二端口S-參數的差分阻抗。差分和共模信號在差分電路中有兩種主要的信號類型：差分模式或差分電壓Vdiff 和共模電壓Vcm（見圖2）。它們各自的定義如下[1]：• 差分信號是施加在平衡的3 端子系統中未接地的兩個端子之上的• 共模信號是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：葉山豪
Arduino 是一塊基于開放原始代碼的Simple i/o 平臺，并且具有使用類似java,C 語言的開發環境。讓您可以快速 使用Arduino 語言與Flash 或Processing…等軟件，作出互動作品。Arduino 可以使用開發完成的電子元件例如Switch 或Sensors 或其他控制器、ＬＥＤ、步進電機或其他輸出裝置。Arduino 也可以獨立運作成為一個可以跟軟件溝通的平臺，例如說：flash processing Max/MSP VVVV 或其他互動軟件… Arduino 開發ＩＤＥ界面基于開放原始碼原則，可以讓您免費下載使用開發出更多令人驚奇的互動作品。 什么是Roboduino? DFRduino 與Arduino 完全兼容，只是在原來的基礎上作了些改進。Arduino 的IO 使用的孔座，做互動作品需要面包板和針線搭配才能進行，而DFRduino 的IO 使用針座，使用我們的杜邦線就可以直接把各種傳感器連接到DFRduino 上。 特色描述 1． 開放原始碼的電路圖設計，程式開發界面免費下載，也可依需求自己修改!! 2． DFRduino 可使用ISP 下載線，自我將新的IC 程序燒入「bootloader」； 3． 可依據官方電路圖，簡化DFRduino 模組，完成獨立云作的微處理控制器； 4． 可簡單地與傳感器、各式各樣的電子元件連接(如：紅外線,超聲波,熱敏電阻,光敏電阻,伺服電機等)； 5． 支援多樣的互動程式 如: Flash,Max/Msp,VVVV,PD,C,Processing 等； 6． 使用低價格的微處理控制器(ATMEGA168V-10PI)； 7． USB 接口，不需外接電源，另外有提供9VDC 輸入接口； 8． 應用方面，利用DFRduino，突破以往只能使用滑鼠，鍵盤，CCD 等輸入的裝置的互動內容，可以更簡單地達成單人或多人游戲互動。 性能描述 1． Digital I/O 數字輸入/輸出端共 0~13。 2． Analog I/O 模擬輸入/輸出端共 0~5。 3． 支持USB 接口協議及供電(不需外接電源)。 4． 支持ISP 下載功能。 5． 支持單片機TX/RX 端子。 6． 支持USB TX/RX 端子。 7． 支持AREF 端子。 8． 支持六組PWM 端子(Pin11,Pin10,Pin9，Pin6,Pin5,Pin3)。 9． 輸入電壓：接上USB 時無須外部供電或外部5V~9V DC 輸入。 10．輸出電壓：5V DC 輸出和3.3V DC 輸出 和外部電源輸入。 11．采用Atmel Atmega168V-10PI 單片機。 12．DFRduino 大小尺寸：寬70mm X 高54mm。 Arduino開發板圖片
上傳時間： 2013-10-30
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本文將接續介紹電源與功率電路基板，以及數字電路基板導線設計。寬帶與高頻電路基板導線設計a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領域時峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設計目標低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會成為高頻領域的頻率特性產生峰值的原因，嚴重時頻率甚至會因為feedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號的位相延遲，最后導致頻率特性產生波動現象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設計，如果有外部噪訊干擾之虞時，接地可設計成網格狀(mesh)。圖28 是根據圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測試結果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標簽： PCB
上傳時間： 2013-11-09
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2013-12-15
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特點 精確度0.1%滿刻度±1位數 可直接量測交直流電壓(AC/DC 20~265V)無需另接電源 精密濾波整流,均方根值校正 尺寸小(24x48x50mm),穩定性 分離式端子,配線容易 CE認證
上傳時間： 2013-11-05
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無論是高壓系統還是低壓系統，電力系統中性點采用電阻接地的方式越來越普遍。奧蘭電氣中性點電阻可以限制接地過電壓和過電流限制在安全范圍內、提高繼電保護靈敏度，同時自身造價相對較低，運行持久安全，安裝靈活方便。中性點接地電阻柜可將零散的單相變壓器、電阻器、隔離開關、電流互感器、溫控器、計數器、接地監控（記錄）裝置、接地故障查找裝置.接地保護輸出端子等電器設備整體組合在一個封閉金屬柜內成套供貨；配備電流互感器和動作記錄儀，正常時可監視中性點不平衡電流，出現單相接地故障時，可記錄動作次數，且可為保護和監控系統提供模擬量輸出；裝設單相隔離開關，以便在進行檢修或實驗時隔離電源。接地故障查找裝置可以迅速查找到接地故障點以便人工排除接地故障。如果系統變壓器采用三角形接線，本產品則加三相接地變壓器與之配合使用，對抑制系統過電壓、防止各種沖擊有很好的作用
上傳時間： 2013-11-05
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