電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中,功率管的損壞占有相當大的比例,若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一:諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良,將導致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高,從而引起功率管IGBT管損壞,經查其他電路無異常時,我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二:IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導通與截至,必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現故障,高電壓就會加到IGBT 管的G 極,導致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅動管S8050、S8550損壞。三:同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當同步電路工作異常時, 導致IGBT管瞬間擊穿損壞。
上傳時間: 2022-06-22
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熱阻是評價IGBT可靠性的重要指標.尋找簡便高精度的測量方法對IGBT熱阻進行測試具有十分重要的意義.根據JESD51—14中的瞬態熱阻抗定義式,提出了一種可以快速、準確計算IGBT模塊結殼熱阻的方法
上傳時間: 2022-06-26
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ONSEMI 官方的IGBT應用手冊,書中有基礎的關于IGBT datasheet的解讀方法,IGBT門極驅動電路講解,IGBT開關過程分析及損耗計算,并聯使用方法,封裝熱模型,IGBT 發熱計算等等。各個要點說明很詳細,對于IGBT基礎理解和應用有很大的幫助。
標簽: IGBT
上傳時間: 2022-06-30
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本設計主要思路是想實現一種通過USART 就可以直接控制大功率電機驅動控制板集成STM32主控,可通過USART控制電機,附件內容包含原理圖和PCB和基于STM32固件程序(含有IGBT驅動芯片:1ED020I12-B2 輸出電流高達2A,所有的邏輯是不5V CMOS兼容的,能直接連接到MCU適用于600V/1200V IGBT,主要用在大功率電機驅動。簡單USART控制命令可以讓您在此基礎上二次開發。支持最大5KW超大功率電機。
上傳時間: 2022-07-01
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三種IGBT驅動電路和保護方法,非常不錯,受益頗多,感興趣的可以看看,值得一看。
上傳時間: 2022-07-06
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三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應用手冊
上傳時間: 2022-07-24
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該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術總結文檔,是一份不錯的參考資料,感興趣的可以下載看看
上傳時間: 2022-07-26
上傳用戶:jiabin
摘要本文論述20KHZPWM(脈沖寬度調制)型大功率超聲波發生器的原理和電路組成。PWM信號是由性能優越的TL494集成電路產生,高頻逆變器采用國際先進的磁性材料和IGBT功率器件構成。逆變器將輸出的高頻電壓送入超聲波換能器,從而輻射出超聲波。該系統具有電路簡單,工作可靠,體積小,成本低,輸出功率調節方便,效率高,實用性強等特點。關鍵詞PWM信號;高頻逆變;超聲換能器隨著科學的發展和技術的進步,超聲波在工農業生產、國防建設和人民生活中的應用越來越廣,如超聲焊接、超聲清洗、干燥、霧化、導航、測距、育種等領域的應用日趨廣泛。現有的大功率超聲波發生器,大都采用大功率電子管或高頻可控硅組成。近年來,由于全控制型電子器件和PWM技術的迅速發展[]41,促進了超聲波電子系統的進步,我們根據生產的需求,設計制作了這套系統,它具有效率高、性能穩定、體積小、重量輕和使用方便等特點。
上傳時間: 2022-07-29
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MOSFET柵極應用電路分析匯總.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的電流.pdf 何種應用條件要考慮MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式電源中MOSFET的鉗位電路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET柵極應用電路分析匯總.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驅動電阻怎么選擇.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用電壓箝位控制實現串聯IGBT的動態均壓.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驅動器與MOSFET柵極電荷匹配設計.pdf 理解MOSFET的每個特性參數的分析.pdf 讀懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并聯驅動特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高溫特性及其安全工作區分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驅動電阻怎么選擇.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并聯MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并聯技術 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驅動電阻功耗討論-綜合電源技術-世紀電源網社區.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管與三極管的區別作用特性參數.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驅動方式詳解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET開關詳細過程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 關于MOSFET驅動電阻值的計算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的電流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驅動ic中文應用手冊.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何確定MOSFET的驅動電阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 張興柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驅動電路設計參考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量與器件的熱性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持續電流是如何確定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET選型手冊(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上傳時間: 2013-07-01
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本書系統論述DC-DC高頻開關電源的工作原理與工程設計方法。主要包括:PWM變換器和軟開關PWM變換器的電路拓撲、原理、控制、動態分析及穩定校正;功率開關元件MOSFET、IGBT的特性及應用;智能功率開關變換器的原理與應用;磁性元件的特性與設計計算方法;開關電源中有源功率因數校正;同步整流與并聯均流等技術;PWM開關電源的可靠穩定性與制作問題;開關電源的數字仿真方法、計算機輔助優化設計和最優控制方法等。
上傳時間: 2013-04-24
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