對IGBT 高頻逆變電焊機進(jìn)行了較為詳細(xì)的分析和計算,對系統(tǒng)的構(gòu)成、參數(shù)的選擇、IGBT 的驅(qū)動與保護(hù)、高頻變壓器的設(shè)計等都作了分析和研究,并經(jīng)過樣機測試證明這些分析是切實可行的。隨著科學(xué)技術(shù)
標(biāo)簽: IGBT 大功率 高頻逆變 電焊機
上傳時間: 2013-07-23
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·作 者: 周志敏,周紀(jì)海,紀(jì)愛華 編著出 版 社: 人民郵電出版社出版時間: 2006-3-1 內(nèi)容簡介本書在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢,全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出實用性。全書共7章,分別介紹了電力電子器件的發(fā)展和研發(fā)動向、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅(qū)動電路設(shè)計、IGBT保護(hù)電
標(biāo)簽: IGBT IPM 應(yīng)用電路
上傳時間: 2013-08-02
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富士電機IGBT應(yīng)用手冊2011版.pdf
標(biāo)簽: IGBT 2011 富士電機 應(yīng)用手冊
上傳時間: 2013-06-27
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·實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用 466頁
標(biāo)簽: IGBT SCR MOS GTR
上傳時間: 2013-07-27
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
標(biāo)簽: IGBT 模塊
上傳時間: 2013-11-03
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IGBT保護(hù)電路
標(biāo)簽: IGBT 保護(hù)電路
上傳時間: 2014-12-23
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IGBT模塊的研制(從芯片解剖到參數(shù)測試)
上傳時間: 2013-10-20
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IGBT模塊驅(qū)動及保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽: IGBT 模塊 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動
上傳時間: 2013-10-19
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IGBT的作用
標(biāo)簽: IGBT 注意事項
上傳時間: 2014-12-24
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IGBT開關(guān)過程仿真分析中的PSPICE應(yīng)用研究
標(biāo)簽: PSPICE IGBT 開關(guān)過程 仿真分析
上傳時間: 2013-12-23
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