ti-Chipcon CC2430 zigbee Soc應(yīng)用開發(fā)源碼實(shí)例。包括rf,powermodes,clockmodes底層驅(qū)動源碼。有了這些實(shí)例,包括誤碼率測試等。對你更好的理解和應(yīng)用這顆芯片是非常有用的。
標(biāo)簽： ti-Chipcon powermodes clockmodes zigbee
上傳時間： 2014-01-10
上傳用戶：jing911003
在wince平臺上測試RF卡的程序，項(xiàng)目中用到的測試程序。
標(biāo)簽： wince 測試 程序
上傳時間： 2014-11-23
上傳用戶：jhksyghr
詳細(xì)的RF非接觸卡測試源碼，詳細(xì)的備注。
標(biāo)簽： 非接觸 測試 源碼
上傳時間： 2014-11-30
上傳用戶：hjshhyy
笙科RF芯片A7102A匯編程序 自動發(fā)射接收測試程序，
標(biāo)簽： A7102A 笙科 RF芯片 匯編程序
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：懶龍1988
這是用Labwindows開發(fā)的一個RF test程序。 用于日本機(jī)種的組裝后ANT 測試。
標(biāo)簽： Labwindows test ANT 程序
上傳時間： 2014-11-29
上傳用戶：tianjinfan
OMAP1030 處理器的ARM 側(cè)硬件測試代碼 OMAP1030 是TI的雙核處理器，本套代碼用 CCS工程管理。用于測試基于 OMAP1030 的系統(tǒng)硬件狀況：主要由 uart，usb，lcd，spi，audio，power，rf等測試項(xiàng)目組成。
標(biāo)簽： OMAP 1030 ARM 處理器
上傳時間： 2016-08-17
上傳用戶：stvnash
目前國家對手機(jī)的質(zhì)量問題越來越重視，公司對于手機(jī)質(zhì)量的客戶滿意度和返修率也-致關(guān)注。其中，GSM手機(jī)的射頻問題仍然是一個影響手機(jī)質(zhì)量、開發(fā)進(jìn)度和生產(chǎn)效率的重要因素。為了保證產(chǎn)品的品質(zhì)和性能符合GSM規(guī)范和國家標(biāo)準(zhǔn)，需要在手機(jī)測試方面建立一套完整、科學(xué)的測試體系，為此我們參照GSM規(guī)范歐洲標(biāo)準(zhǔn)、國家郵電部移動通信技術(shù)規(guī)范、國家信息產(chǎn)業(yè)部通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以及日常積累的測試經(jīng)驗(yàn)編寫了這份射頻測試規(guī)程。本規(guī)范的目的是針對研發(fā)階段的GSM手機(jī)提供一個較全面測試和校準(zhǔn)的指標(biāo)依據(jù)，盡量保證研發(fā)階段GSM手機(jī)的點(diǎn)測指標(biāo)滿足FTA，CTA與批量生產(chǎn)點(diǎn)測指標(biāo)要求，使手機(jī)的射頻問題盡可能在研發(fā)階段暴露出來并在量產(chǎn)前解決，同時為評估手機(jī)的RF點(diǎn)測性能、指標(biāo)余量、一致性、穩(wěn)定性提供參考依據(jù)，另外為不熟悉測試的新員工提供一些指導(dǎo)。本文主要內(nèi)容包括射頻指標(biāo)術(shù)語解釋，發(fā)射機(jī)和接收機(jī)部分射頻指標(biāo)的測試方法，測試結(jié)果，測試參考標(biāo)準(zhǔn)等，最后還給出了指標(biāo)超標(biāo)的一般分析。1于我們射頻知識與經(jīng)驗(yàn)有限，不足之處請指導(dǎo)
標(biāo)簽： 射頻測試
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：kingwide
本論文主要研究自激式RF電源的功率控制，主要分為七個部分：第部分主要介紹ICP儀器的發(fā)展歷史、RF電源的主流技術(shù)路線及國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，指出了存在的部分問題，確立了本文研究主題。第二部分簡介了ICP儀器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)介紹等離子炬光源以及自激式RF電源。首先從系統(tǒng)的角度介紹了ICP儀器的組成及工作原理，然后對等離子矩光源的產(chǎn)生條件及生成機(jī)理作了說明，并且對其在點(diǎn)火過程中表現(xiàn)的負(fù)載特性作了分析，最后從ICP儀器的分析性能方面說明了它對RF電源的設(shè)計(jì)要求，明確RF電源的設(shè)計(jì)指標(biāo)。第三部分詳細(xì)介紹了自激式RF電源的實(shí)現(xiàn)原理。按照信號流向首先介紹了作為跟蹤等離子矩特性的振蕩源——鎖相環(huán)的原理，分別對其中的鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器和驅(qū)動電路等做了詳細(xì)介紹。然后介紹了高頻功率放大器的原理，確定了主要元件參數(shù)，并介紹了適用于自激式RF電源的電路結(jié)構(gòu)。最后對阻抗匹配原理作了介紹，并重點(diǎn)介紹了集中參數(shù)元件匹配網(wǎng)絡(luò)。第四部分詳細(xì)介紹了本文所做的設(shè)計(jì)工作，包含軟硬件設(shè)計(jì)。這部分仍然是按信號流向作說明，根據(jù)自激式RF電源的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，針對這幾部分選擇合適的電路結(jié)構(gòu)、元件參數(shù)等設(shè)計(jì)完成鎖相環(huán)路、高效率E類推挽功率放大電路以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。除此之外，還包括電路中的主要信號采樣與檢測、熱設(shè)計(jì)、電磁兼容設(shè)計(jì)以及軟件部分的設(shè)計(jì)說明。第五部分對本文采取的功率控制流程與策略作詳細(xì)說明，介紹了如何通過改善控制流程和控制策略以提高RF電源性能。第六部分對所設(shè)計(jì)的RF電源進(jìn)行了測試，表明本設(shè)計(jì)達(dá)到了預(yù)定的設(shè)計(jì)指標(biāo)，說明此方法的可行性與實(shí)用性，并且分析了等離子炬的負(fù)載變化過程，對RF電源的設(shè)計(jì)提供了有益的參考。第七部分作了全文總結(jié)與展望。所設(shè)計(jì)RF電源成功點(diǎn)燃等離子炬，期間通過對RF電源的測試，并在ICP-AES整機(jī)上進(jìn)行了系統(tǒng)驗(yàn)證，測試證明所設(shè)計(jì)的自激式RF電源與同類電源相比性能有所提升。
標(biāo)簽： icp rf 電源 功率控制
上傳時間： 2022-06-23
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工程測試技術(shù)基礎(chǔ)演示教程 PPT版
標(biāo)簽： 工程 測試 技術(shù)基礎(chǔ)
上傳時間： 2013-05-19
上傳用戶：eeworm
液晶顯示器測試軟件
標(biāo)簽： 液晶顯示器 測試軟件
上傳時間： 2013-06-15
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