美國(guó)Ramtron公司運(yùn)用其獨(dú)有的單晶體管(1T)記憶體專利開(kāi)發(fā)出兩個(gè)最新改良型SRAM (ESRAM)記憶產(chǎn)品.新技術(shù)用比傳統(tǒng)六晶體管(6T) SRAM產(chǎn)品四分之一的價(jià)格, 制造出大四倍容量的高速, 改良型記憶產(chǎn)品. 解決了新世代網(wǎng)絡(luò),通訊設(shè)備,計(jì)算機(jī)系統(tǒng),圖象處理設(shè)計(jì)所面對(duì)需求大容量,低成本,低功耗的瓶頸問(wèn)題. 這期應(yīng)用指南主要針對(duì)零總線轉(zhuǎn)換,四字節(jié)迸發(fā)(NoBL Burst) ESRAM的應(yīng)用
標(biāo)簽：
ESRAM
應(yīng)用指南
上傳時(shí)間：
2013-10-29
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