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  • ARM9基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)教程

    - vii - 8.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?315 8.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 315 8.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 315 8.1.4 實(shí)驗(yàn)原理 315 8.1.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 318 8.1.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 319 8.1.7 練習(xí)題 321- vi - 6.4 USB 接口實(shí)驗(yàn) 266 6.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?266 6.4.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 267 6.4.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 267 6.4.4 實(shí)驗(yàn)原理 267 6.4.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 270 6.4.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 272 6.4.7 實(shí)驗(yàn)練習(xí)題 280 6.5 SPI接口通訊實(shí)驗(yàn) 281 6.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?281 6.5.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 281 6.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 281 6.5.4 實(shí)驗(yàn)原理 281 6.5.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 285 6.5.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 287 6.5.7 練習(xí)題 289 6.6 紅外模塊控制實(shí)驗(yàn) 289 6.6.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?289 6.6.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 289 6.6.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 289 6.6.4 實(shí)驗(yàn)原理 289 6.6.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 291 6.6.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 291 6.6.7 練習(xí)題 296 第七章 基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn) 296 7.1 A/D 轉(zhuǎn)換實(shí)驗(yàn) 296 7.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?296 7.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 296 7.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 296 7.1.4 實(shí)驗(yàn)原理 296 7.1.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 298 7.1.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 299 7.1.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 300 7.1.8 練習(xí)題 301 7.2 PWM步進(jìn)電機(jī)控制實(shí)驗(yàn) 301 7.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?301 7.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 301 7.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 301 7.2.4 實(shí)驗(yàn)原理 301 7.2.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 309 7.2.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 311 7.2.7 練習(xí)題 313 第八章 高級(jí)應(yīng)用實(shí)驗(yàn) 315 8.1 GPRS模塊控制實(shí)驗(yàn) 315 - v - 5.2 5x4鍵盤控制實(shí)驗(yàn) 219 5.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?219 5.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 219 5.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 219 5.2.4 實(shí)驗(yàn)原理 219 5.2.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 221 5.2.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 222 5.2.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 223 5.2.8 練習(xí)題 224 5.3 觸摸屏控制實(shí)驗(yàn) 224 5.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?224 5.3.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 224 5.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 224 5.3.4 實(shí)驗(yàn)原理 224 5.3.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 231 5.3.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 231 5.3.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 232 5.3.8 練習(xí)題 233 第六章 通信與接口實(shí)驗(yàn) 234 6.1 IIC 串行通信實(shí)驗(yàn) 234 6.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?234 6.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 234 6.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 234 6.1.4 實(shí)驗(yàn)原理 234 6.1.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 238 6.1.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 241 6.1.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 243 6.1.8 練習(xí)題 245 6.2 以太網(wǎng)通訊實(shí)驗(yàn) 246 6.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?246 6.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 246 6.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 246 6.2.4 實(shí)驗(yàn)原理 246 6.2.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 254 6.2.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 257 6.2.7 練習(xí)題 259 6.3 音頻接口 IIS 實(shí)驗(yàn) 260 6.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?260 6.3.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 260 6.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 260 6.3.4 實(shí)驗(yàn)原理 260 6.3.5 實(shí)驗(yàn)步驟 263 6.3.6實(shí)驗(yàn)參考程序 264 6.3.7 練習(xí)題 266 - iv - 4.4 串口通信實(shí)驗(yàn) 170 4.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?170 4.4.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 170 4.4.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 170 4.4.4 實(shí)驗(yàn)原理 170 4.4.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 176 4.4.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 177 4.4.7 練習(xí)題 178 4.5 實(shí)時(shí)時(shí)鐘實(shí)驗(yàn) 179 4.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?179 4.5.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 179 4.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 179 4.5.4 實(shí)驗(yàn)原理 179 4.5.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 181 4.5.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 182 4.5.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 183 4.6.8 練習(xí)題 185 4.6 數(shù)碼管顯示實(shí)驗(yàn) 186 4.6.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?186 4.6.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 186 4.6.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 186 4.6.4 實(shí)驗(yàn)原理 186 4.6.5 實(shí)驗(yàn)方法與操作步驟 188 4.6.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 189 4.6.7 練習(xí)題 192 4.7 看門狗實(shí)驗(yàn) 193 4.7.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?193 4.7.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 193 4.7.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 193 4.7.4 實(shí)驗(yàn)原理 193 4.7.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 195 4.7.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 196 4.7.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 197 4.7.8 實(shí)驗(yàn)練習(xí)題 199 第五章 人機(jī)接口實(shí)驗(yàn) 200 5.1 液晶顯示實(shí)驗(yàn) 200 5.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?200 5.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 200 5.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 200 5.1.4 實(shí)驗(yàn)原理 200 5.1.5 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 211 5.1.6 實(shí)驗(yàn)操作步驟 213 5.1.7 實(shí)驗(yàn)參考程序 214 5.1.8 練習(xí)題 219 - ii - 3.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?81 3.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 81 3.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 81 3.1.4 實(shí)驗(yàn)原理 81 3.1.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 83 3.1.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 87 3.1.7 練習(xí)題 88 3.2 ARM匯編指令實(shí)驗(yàn)二 89 3.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?89 3.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 89 3.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 89 3.2.4 實(shí)驗(yàn)原理 89 3.2.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 90 3.2.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 91 3.2.7 練習(xí)題 94 3.3 Thumb 匯編指令實(shí)驗(yàn) 94 3.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?94 3.3.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 94 3.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 94 3.3.4 實(shí)驗(yàn)原理 94 3.3.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 96 3.3.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 96 3.3.7 練習(xí)題 99 3.4 ARM處理器工作模式實(shí)驗(yàn) 99 3.4.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?99 3.4.2實(shí)驗(yàn)設(shè)備 99 3.4.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 99 3.4.4實(shí)驗(yàn)原理 99 3.4.5實(shí)驗(yàn)操作步驟 101 3.4.6實(shí)驗(yàn)參考程序 102 3.4.7練習(xí)題 104 3.5 C 語(yǔ)言程序?qū)嶒?yàn)一 104 3.5.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?104 3.5.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 104 3.5.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 104 3.5.4 實(shí)驗(yàn)原理 104 3.5.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 106 3.5.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 106 3.5.7 練習(xí)題 109 3.6 C 語(yǔ)言程序?qū)嶒?yàn)二 109 3.6.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?109 3.6.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 109 3.6.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 109 3.6.4 實(shí)驗(yàn)原理 109 - iii - 3.6.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 111 3.6.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 113 3.6.7 練習(xí)題 117 3.7 匯編與 C 語(yǔ)言的相互調(diào)用 117 3.7.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?117 3.7.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 117 3.7.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 117 3.7.4 實(shí)驗(yàn)原理 117 3.7.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 118 3.7.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 119 3.7.7 練習(xí)題 123 3.8 綜合實(shí)驗(yàn) 123 3.8.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?123 3.8.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 123 3.8.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 123 3.8.4 實(shí)驗(yàn)原理 123 3.8.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 124 3.8.6 參考程序 127 3.8.7 練習(xí)題 134 第四章 基本接口實(shí)驗(yàn) 135 4.1 存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn) 135 4.1.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?135 4.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 135 4.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 135 4.1.4 實(shí)驗(yàn)原理 135 4.1.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 149 4.1.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 149 4.1.7 練習(xí)題 151 4.2 IO 口實(shí)驗(yàn) 151 4.2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?151 4.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 152 4.2.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 152 4.2.4 實(shí)驗(yàn)原理 152 4.2.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 159 4.2.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 160 4.2.7 實(shí)驗(yàn)練習(xí)題 161 4.3 中斷實(shí)驗(yàn) 161 4.3.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?161 4.3.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 161 4.3.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 161 4.3.4 實(shí)驗(yàn)原理 162 4.3.5 實(shí)驗(yàn)操作步驟 165 4.3.6 實(shí)驗(yàn)參考程序 167 4.3.7 練習(xí)題 170 目 錄 I 第一章 嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用概述 1 1.1 嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用 1 1.2 基于 ARM的嵌入式開(kāi)發(fā)環(huán)境概述 3 1.2.1 交叉開(kāi)發(fā)環(huán)境 3 1.2.2 模擬開(kāi)發(fā)環(huán)境 4 1.2.3 評(píng)估電路板 5 1.2.4 嵌入式操作系統(tǒng) 5 1.3 各種 ARM開(kāi)發(fā)工具簡(jiǎn)介 5 1.3.1 ARM的 SDT 6 1.3.2 ARM的ADS 7 1.3.3 Multi 2000 8 1.3.4 Embest IDE for ARM 11 1.3.5 OPENice32-A900仿真器 12 1.3.6 Multi-ICE 仿真器 12 1.4 如何學(xué)習(xí)基于 ARM嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā) 13 1.5 本教程相關(guān)內(nèi)容介紹 14 第二章 EMBEST ARM實(shí)驗(yàn)教學(xué)系統(tǒng) 17 2.1 教學(xué)系統(tǒng)介紹 17 2.1.1 Embest IDE 集成開(kāi)發(fā)環(huán)境 17 2.1.2 Embest JTAG 仿真器 19 2.1.3 Flash 編程器 20 2.1.4 Embest EduKit-III開(kāi)發(fā)板 21 2.1.5 各種連接線與電源適配器 23 2.2 教學(xué)系統(tǒng)安裝 23 2.3 教學(xué)系統(tǒng)的硬件電路 27 2.3.1 概述 27 2.3.2 功能特點(diǎn) 27 2.3.3 原理說(shuō)明 28 2.3.4 硬件結(jié)構(gòu) 41 2.3.5 硬件資源分配 44 2.4 集成開(kāi)發(fā)環(huán)境使用說(shuō)明 51 2.4.1 Embest IDE 主框架窗口 51 2.4.2 工程管理 52 2.4.3 工程基本配置 55 2.4.4 工程的編譯鏈接 71 2.4.5 加載調(diào)試 72 2.4.6 Flash編程工具 80 第三章 嵌入式軟件開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn) 81 3.1 ARM匯編指令實(shí)驗(yàn)一 81

    標(biāo)簽: ARM9 基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn) 教程

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  • 基于ARM和uCOS-Ⅱ嵌入式平臺(tái)的NAND Flash存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)成為了當(dāng)前信息行業(yè)最熱門的焦點(diǎn)之一。ARM以其高性能低功耗的特點(diǎn)成為目前主流的32位嵌入式處理器而在數(shù)碼產(chǎn)品中廣泛使用,隨著數(shù)碼相機(jī)的普及,數(shù)碼相框產(chǎn)品得到推廣,數(shù)碼相框通過(guò)一個(gè)液晶的屏幕顯示數(shù)碼照片而非紙質(zhì)照片,數(shù)碼相框比普通相框更靈活多變,也給現(xiàn)在日益使用的數(shù)碼相片一個(gè)新的展示空間。在嵌入式操作系統(tǒng)方面,uC/OS—Ⅱ憑借其小內(nèi)核、多任務(wù)、豐富的系統(tǒng)服務(wù)、容易使用以及源碼公開(kāi)等特點(diǎn)被嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)者廣泛用在各種嵌入式設(shè)備開(kāi)發(fā)中。uC/FS嵌入式文件系統(tǒng)由于穩(wěn)定性,可移植性以及與uC/OS—Ⅱ內(nèi)核的相兼容被廣泛用在基于uC/OS—Ⅱ的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中。NAND Flash存儲(chǔ)器由于其大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、高速存取速度、易于擦除和重寫、功耗小等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、嵌入式系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)載體中。 本論文的硬件工作平臺(tái)是艾科公司研發(fā)的數(shù)碼相框芯片方案ARK1600,該平臺(tái)集成了嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)所需的相關(guān)硬件模塊。本論文的主要設(shè)計(jì)目標(biāo)是在該平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)設(shè)備驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)級(jí)方案,即在ARK1600平臺(tái)上通過(guò)構(gòu)建uC/OS—Ⅱ操作系統(tǒng)以及uC/FS文件系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)NAND Flash設(shè)備驅(qū)動(dòng)掛接。本論文是在Windows環(huán)境下通過(guò)ARM ADS實(shí)現(xiàn)代碼的編譯,通過(guò)Multi—ICE進(jìn)行前期調(diào)試以及USB—Debug進(jìn)行后期的系統(tǒng)整合調(diào)試。 本論文的主要研究工作具體涉及以下三個(gè)的方面:首先研究了ARM相關(guān)構(gòu)架以及uC/OS—Ⅱ操作系統(tǒng)的特點(diǎn),并在此基礎(chǔ)上移植uC/OS—Ⅱ操作系統(tǒng)到ARK1600平臺(tái),分析ARK1600硬件體系結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上詳細(xì)分析了BootLoader的相關(guān)概念,并重點(diǎn)闡述了NAND BootLoader程序設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)過(guò)程;其次在文件系統(tǒng)方面,本論文成功移植uC/FS嵌入式文件系統(tǒng)到ARK1600平臺(tái),在移植的過(guò)程中采用了動(dòng)態(tài)文件緩沖區(qū)算法提高了該文件系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸效率;最后重點(diǎn)討論了NAND Flash驅(qū)動(dòng)在ARK1600的實(shí)現(xiàn),主要分析了NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),并從物理層,邏輯層和文件系統(tǒng)接口層三個(gè)方面具體分析了NAND Flash驅(qū)動(dòng)程序的實(shí)現(xiàn),并在NAND Flash邏輯層驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)時(shí)通過(guò)采用壞塊處理表算法實(shí)現(xiàn)了NAND的磨損均衡問(wèn)題。

    標(biāo)簽: Flash uCOS NAND ARM

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  • 嵌入式調(diào)試系統(tǒng)的研究與實(shí)現(xiàn)

    近年來(lái),隨著計(jì)算機(jī)、微電子、通信及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、信息技術(shù)的發(fā)展、數(shù)字化產(chǎn)品的普及,嵌入式系統(tǒng)滲透到了各個(gè)領(lǐng)域,已經(jīng)成為計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的一個(gè)重要組成部分,成為新興的研究熱點(diǎn),嵌入式軟件也在整個(gè)軟件產(chǎn)業(yè)中占據(jù)了重要地位。一個(gè)好的調(diào)試工具對(duì)軟件產(chǎn)品質(zhì)量和開(kāi)發(fā)周期的促進(jìn)作用是不言而喻的,使得嵌入式調(diào)試工具成為了人們關(guān)注的重點(diǎn)。目前使用集成開(kāi)發(fā)環(huán)境配合JTAG調(diào)試器進(jìn)行開(kāi)發(fā)是目前采用最多的一種嵌入式軟件開(kāi)發(fā)調(diào)試方式。國(guó)內(nèi)在JTAG調(diào)試器開(kāi)發(fā)領(lǐng)域中相對(duì)落后,普遍采用的是國(guó)外的工具產(chǎn)品。因此開(kāi)發(fā)功能強(qiáng)大的嵌入式調(diào)試系統(tǒng)具有重要的實(shí)際意義。 當(dāng)前嵌入式系統(tǒng)中尤其流行和值得關(guān)注的是ARM系列的嵌入式處理器。為此本課題的目標(biāo)就是設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)一個(gè)應(yīng)用于ARM平臺(tái)的JTAG調(diào)試系統(tǒng)。GDB是一個(gè)源碼開(kāi)放的功能強(qiáng)大的調(diào)試器,可以調(diào)試各種程序,包括 C、C++、JAvA、PASCAL、FORAN和一些其它的語(yǔ)言,還包括GNU所支持的所有微處理器的匯編語(yǔ)言。此外GDB同目標(biāo)板交換信息的能力相當(dāng)強(qiáng),勝過(guò)絕大多數(shù)的商業(yè)調(diào)試內(nèi)核,因此使用GDB不僅能夠保證強(qiáng)大的調(diào)試功能,同時(shí)可以降低調(diào)試系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)成本。為此本課題在對(duì)邊界掃描協(xié)議、ARM7TDMI片上仿真器Embedded-ICE和GDB遠(yuǎn)程調(diào)試協(xié)議RSP做了深入研究的基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了GDB調(diào)試器對(duì)嵌入式JTAG調(diào)試的支持。此外設(shè)計(jì)中還把可重夠計(jì)算技術(shù)引入到硬件JTAG協(xié)議轉(zhuǎn)換器的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中,使調(diào)試器硬件資源可復(fù)用、易于升級(jí),并大大提高了數(shù)據(jù)的傳輸速度。從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)低成本的、高效的、支持源代碼級(jí)調(diào)試的JTAG調(diào)試系統(tǒng)。

    標(biāo)簽: 嵌入式 調(diào)試系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-08-04

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  • AVR Studio.rar

    ATMEL的AVR單片機(jī)的集成環(huán)境匯編級(jí)開(kāi)發(fā)調(diào)試軟件,完全免費(fèi)。ATMEL AVR Studio集成開(kāi)發(fā)環(huán)境(IDE) ,包括了AVR Assembler編譯器、AVR Studio調(diào)試功能、AVR Prog串行、并行下載功能和JTAG ICE仿真等功能。它集匯編語(yǔ)言編譯、軟件仿真、芯片程序下載、芯片硬件仿真等一系列基礎(chǔ)功能,與任一款高級(jí)語(yǔ)言編譯器配合使用即可完高級(jí)語(yǔ)言的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)調(diào)試。

    標(biāo)簽: Studio AVR

    上傳時(shí)間: 2013-07-28

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  • multice220

    安裝ICE 仿真器驅(qū)動(dòng)程序首先進(jìn)入到ICE 仿真器光盤中驅(qū)動(dòng)程序的安裝目錄\SinoSys- ICE21\multice22,雙擊setup.exe。安裝過(guò)程中可選擇默認(rèn)安裝。

    標(biāo)簽: multice 220

    上傳時(shí)間: 2013-07-06

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

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  • N79E8132移動(dòng)電源方案

    N79E8132移動(dòng)電源方案功能介紹     本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機(jī),可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作,具備4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓,內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器,并具有可分頻的時(shí)鐘供單片機(jī)核心使用,可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時(shí)鐘,提高工作效率,具備外部中斷、按鍵中斷,可以靈活實(shí)現(xiàn)單片機(jī)進(jìn)入掉電模式后的喚醒功能,具備停機(jī)、掉電模式,在產(chǎn)品不使用的時(shí)候進(jìn)入掉電模式,實(shí)現(xiàn)環(huán)保節(jié)能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP燒寫,開(kāi)發(fā)硬件成本低。軟件開(kāi)發(fā)可以使用KEIL C,容易上手。     充電部分采用通用的TP4056,價(jià)格便宜,容易采購(gòu),可以通過(guò)外部元件靈活配置充電電流。     升壓部分采用日本精工的S8365,工作頻率1.2M,外置MOS,容易實(shí)現(xiàn)大電流,高效率,電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入: USB 5V/1A ,充電電流可達(dá)500-850mA,可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置 2. 輸出: USB 5V/1A,效率最高可達(dá)到90%以上,可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示: (可根據(jù)需要自行設(shè)定)     四燈全亮 75%-100%     三個(gè)指示燈亮 50%-75%     兩個(gè)燈亮 25%-55%     一個(gè)指示燈亮 5%-25%     無(wú)指示燈亮 5%以下 4.充電指示:     25%以下 一個(gè)指示燈閃     25%-50% 一個(gè)指示燈亮 第二個(gè)閃     50%--75% 二個(gè)指示燈亮 第三個(gè)閃     75%-99% 三個(gè)指示燈亮 第四個(gè)閃     100% 四個(gè)指示燈長(zhǎng)亮。 5.智能保護(hù):     低電保護(hù):電池電壓低于3V時(shí)自動(dòng)關(guān)閉升壓     放電保護(hù):放電電流大于額定電流自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護(hù))     溫度保護(hù):檢測(cè)電池溫度,高于55度自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出(可選)     低電流關(guān)機(jī):當(dāng)外部設(shè)備的電流需求小于100mA時(shí),關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6.按鍵操作:     短按按鍵,4個(gè)LED顯示剩余電量3~5秒自動(dòng)關(guān)閉   按鍵長(zhǎng)按, LED點(diǎn)亮,閃爍3次后開(kāi)啟升壓,顯示電量,30秒內(nèi)沒(méi)有連接外部設(shè)備自動(dòng)關(guān)機(jī)。   開(kāi)機(jī)狀態(tài)長(zhǎng)按,點(diǎn)亮照明LED,再長(zhǎng)按熄滅照明LED,照明LED點(diǎn)亮狀態(tài)不會(huì)進(jìn)入自動(dòng)關(guān)機(jī) 帶照明功能。(可選)8.原理圖 9.BOM 序號(hào) 類型 參數(shù) 位號(hào) 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說(shuō)明

    標(biāo)簽: N79E8132 移動(dòng)電源 方案

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

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  • SCR三相功率控制器

    產(chǎn)品特點(diǎn): 全系列加裝高速保險(xiǎn)絲,防止短路電流(di/dt)對(duì)SCR造成損害。 全系列開(kāi)模成型,體積小、安裝、配線容易。 盤面集中多只LED燈頭示,遇有狀況可立即判斷故障原因,迅速排除。 輸出特性呈線性,控溫最精準(zhǔn)。 高品質(zhì),高技術(shù)產(chǎn)品,絕無(wú)干擾現(xiàn)象,加裝透明護(hù)蓋,安全性增加。 獨(dú)具Soft Start(緩啟動(dòng))功能,可避免大電流啟動(dòng)。 具有保險(xiǎn)絲熔斷、電源異常、SCR超溫指示及異常接點(diǎn)輸出。 內(nèi)含電子式自動(dòng)溫度偵測(cè)器作為散熱器超溫保護(hù)。 冷卻風(fēng)扇全自動(dòng)控制,溫度過(guò)高時(shí)風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn),避免風(fēng)扇長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn),延長(zhǎng)風(fēng)扇壽命。

    標(biāo)簽: SCR 三相功率 控制器

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

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  • FP6291

    DC/DC 升壓IC:The FP6291 is a current mode boost DC-DC converter. Its PWM circuitry with built-in 0.25 Ω power MOSFET make this regulator highly power efficient. The internal compensation network also minimizes as much as 6 external component counts. The non-inverting input of error amplifier connects to a 0.6V precision reference voltage and internal soft-start function can reduce the inrush current. The FP6291 is available in the SOT23-6L package and provides space-saving PCB for the application fields.

    標(biāo)簽: 6291 FP

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

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