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TDK<b>磁芯</b>參數__SMD磁心

【問題描述】在一個N*N的點陣中

【問題描述】在一個N*N的點陣中，如N=4,你現在站在（1，1），出口在（4，4）。你可以通過上、下、左、右四種移動方法，在迷宮內行走，但是同一個位置不可以訪問兩次，亦不可以越界。表格最上面的一行加黑數字A[1..4]分別表示迷宮第I列中需要訪問并僅可以訪問的格子數。右邊一行加下劃線數字B[1..4]則表示迷宮第I行需要訪問并僅可以訪問的格子數。如圖中帶括號紅色數字就是一條符合條件的路線。給定N，A[1..N] B[1..N]。輸出一條符合條件的路線，若無解，輸出NO ANSWER。（使用U，D，L，R分別表示上、下、左、右。） 2 2 1 2 （4，4） 1 （2，3）（3，3）（4，3） 3 （1，2）（2，2） 2 （1，1） 1 【輸入格式】第一行是數m (n < 6 )。第二行有n個數，表示a[1]..a[n]。第三行有n個數，表示b[1]..b[n]。【輸出格式】僅有一行。若有解則輸出一條可行路線，否則輸出“NO ANSWER”。

標簽： 點陣

上傳時間： 2014-06-21

上傳用戶：llandlu
hurst parameter: 給入一序列的資類

hurst parameter: 給入一序列的資類，程式會畫出husrt 參數的figure和估計值例 hurst_expo(sin(0:0.01:5*pi))

標簽： parameter hurst 序列

上傳時間： 2014-12-03

上傳用戶：moerwang
離散實驗一個包的傳遞用warshall

實驗源代碼 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("請輸入矩陣第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可傳遞閉包關系矩陣是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元關系的可傳遞閉包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("請輸入矩陣的行數 i: "); scanf("%d",&k); 四川大學實驗報告 printf("請輸入矩陣的列數 j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }

標簽： warshall 離散實驗

上傳時間： 2016-06-27

上傳用戶：梁雪文以
道理特分解法

#include "iostream" using namespace std; class Matrix { private: double** A; //矩陣A double *b; //向量b public: int size; Matrix(int ); ~Matrix(); friend double* Dooli(Matrix& ); void Input(); void Disp(); }; Matrix::Matrix(int x) { size=x; //為向量b分配空間并初始化為0 b=new double [x]; for(int j=0;j<x;j++) b[j]=0; //為向量A分配空間并初始化為0 A=new double* [x]; for(int i=0;i<x;i++) A[i]=new double [x]; for(int m=0;m<x;m++) for(int n=0;n<x;n++) A[m][n]=0; } Matrix::~Matrix() { cout<<"正在析構中~~~~"<<endl; delete b; for(int i=0;i<size;i++) delete A[i]; delete A; } void Matrix::Disp() { for(int i=0;i<size;i++) { for(int j=0;j<size;j++) cout<<A[i][j]<<" "; cout<<endl; } } void Matrix::Input() { cout<<"請輸入A:"<<endl; for(int i=0;i<size;i++) for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<i+1<<"行"<<"第"<<j+1<<"列:"<<endl; cin>>A[i][j]; } cout<<"請輸入b:"<<endl; for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<j+1<<"個:"<<endl; cin>>b[j]; } } double* Dooli(Matrix& A) { double *Xn=new double [A.size]; Matrix L(A.size),U(A.size); //分別求得U，L的第一行與第一列 for(int i=0;i<A.size;i++) U.A[0][i]=A.A[0][i]; for(int j=1;j<A.size;j++) L.A[j][0]=A.A[j][0]/U.A[0][0]; //分別求得U，L的第r行，第r列 double temp1=0,temp2=0; for(int r=1;r<A.size;r++){ //U for(int i=r;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp1=temp1+L.A[r][k]*U.A[k][i]; U.A[r][i]=A.A[r][i]-temp1; } //L for(int i=r+1;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp2=temp2+L.A[i][k]*U.A[k][r]; L.A[i][r]=(A.A[i][r]-temp2)/U.A[r][r]; } } cout<<"計算U得:"<<endl; U.Disp(); cout<<"計算L的:"<<endl; L.Disp(); double *Y=new double [A.size]; Y[0]=A.b[0]; for(int i=1;i<A.size;i++ ){ double temp3=0; for(int k=0;k<i-1;k++) temp3=temp3+L.A[i][k]*Y[k]; Y[i]=A.b[i]-temp3; } Xn[A.size-1]=Y[A.size-1]/U.A[A.size-1][A.size-1]; for(int i=A.size-1;i>=0;i--){ double temp4=0; for(int k=i+1;k<A.size;k++) temp4=temp4+U.A[i][k]*Xn[k]; Xn[i]=(Y[i]-temp4)/U.A[i][i]; } return Xn; } int main() { Matrix B(4); B.Input(); double *X; X=Dooli(B); cout<<"~~~~解得:"<<endl; for(int i=0;i<B.size;i++) cout<<"X["<<i<<"]:"<<X[i]<<" "; cout<<endl<<"呵呵呵呵呵"; return 0; }

標簽： 道理特分解法

上傳時間： 2018-05-20

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安森美車規級1080P圖像傳感器AR0231手冊

AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB濾光）安森美半導體推出采用突破性減少LED閃爍 (LFM)技術的新的230萬像素CMOS圖像傳感器樣品AR0231AT，為汽車先進駕駛輔助系統(ADAS)應用確立了一個新基準。新器件能捕獲1080p高動態范圍(HDR)視頻，還具備支持汽車安全完整性等級B(ASIL B)的特性。LFM技術(專利申請中)消除交通信號燈和汽車LED照明的高頻LED閃爍，令交通信號閱讀算法能于所有光照條件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光學格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素陣列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半導體的DR-Pix?技術，提供雙轉換增益以在所有光照條件下提升性能。它以線性、HDR或LFM模式捕獲圖像，并提供模式間的幀到幀情境切換。 AR0231AT提供達4重曝光的HDR，以出色的噪聲性能捕獲超過120dB的動態范圍。AR0231AT能同步支持多個攝相機，以易于在汽車應用中實現多個傳感器節點，和通過一個簡單的雙線串行接口實現用戶可編程性。它還有多個數據接口，包括MIPI(移動產業處理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它關鍵特性還包括可選自動化或用戶控制的黑電平控制，支持擴頻時鐘輸入和提供多色濾波陣列選擇。封裝和現狀：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封裝，現提供工程樣品。工作溫度范圍為-40℃至105℃(環境溫度)，將完全通過AEC-Q100認證。

標簽： 圖像傳感器

上傳時間： 2022-06-27

上傳用戶：XuVshu
B-spline曲線是包含Bezier曲線的通用數學表示法。

B-spline曲線是包含Bezier曲線的通用數學表示法。

標簽： B-spline Bezier 表示法

上傳時間： 2015-11-22

上傳用戶：whenfly
這是一個由java寫成的猜數字遊戲！目的在猜4個數字！如果輸入的數字和位置是對的等於一個A！如果只有數字對但位置不對等於一個B！由此來推測出正確的4個數字！

這是一個由java寫成的猜數字遊戲！目的在猜4個數字！如果輸入的數字和位置是對的等於一個A！如果只有數字對但位置不對等於一個B！由此來推測出正確的4個數字！

標簽： java 正

上傳時間： 2016-10-26

上傳用戶：ecooo
磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。關鍵詞：比損耗系數，磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求，必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制）轉換時期，日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵

標簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時間： 2014-12-24

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磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。關鍵詞：比損耗系數，磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求，必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制）轉換時期，日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵

標簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時間： 2013-12-15

上傳用戶：天空說我在
《Java手機程式設計入門》／王森書號：29014 頁數：約 492 頁 ISBN：957-200-527-8 出版日期：2001年08月25日出版廠商：知城數位科技股份有限

《Java手機程式設計入門》／王森書號：29014 頁數：約 492 頁 ISBN：957-200-527-8 出版日期：2001年08月25日出版廠商：知城數位科技股份有限公司訂價：380 第一章 Java 2 Micro Edition概論陣第二章 Java程式設計簡介陣第三章撰寫您的第一個手機程式陣第四章在實體機器上執行MIDlet陣第五章 J2ME Wireless Toolkit陣第六章 Motorola A6288手機程式開發陣第七章 JBuilder MobileSet陣第八章 MIDP for Palm 第九章 MIDlet的事件處理陣第十章 MIDP圖形使用者介面程式設計陣第十一章 MIDP圖形處理陣第十二章 MIDP資料庫程式設計陣第十三章 MIDP網路程式設計陣附錄A MID其他參考資源總整理陣附錄B Motorola J2ME SDK

標簽： 29014 Java 2001 ISBN

上傳時間： 2016-12-01

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