The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded protective functions. The power Transistor is built by a N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The design is based on Smart SIPMOS chip on chip technology. The BTS5016SDA has a current controlled input and offers a diagnostic feedback with load current sense and a defined fault signal in case of overload operation, overtemperature shutdown and/or short circuit shutdown.
上傳時(shí)間： 2019-03-27
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AO4420, AO4420L ( Green Product ) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
上傳時(shí)間： 2020-04-19
上傳用戶：su1254
This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction Transistor. Use “Voltage Divider Biasing” to reduce the effects of varying β (= ic / ib) (by holding the Base voltage constant) Base Voltage (Vb) = Vcc * [R2 / (R1 + R2)] Use Coupling Capacitors to separate the AC signals from the DC biasing voltage (which only pass AC signals and block any DC component). Use Bypass Capacitor to maintain the Q-point stability. To determine the value of each component, first set Q-point close to the center position of the load line. (RL is the resistance of the speaker.)
標(biāo)簽： 音頻放大器設(shè)計(jì) 電路圖 英文
上傳時(shí)間： 2020-11-27
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AT89S52單片機(jī)主8入8出繼電器工控主板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件,2層板設(shè)計(jì)，大小為121x149mm，Altium Designer 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。主要器件型號(hào)列表如下：Library Component Count : 25Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24LC02AJKG 按鍵開關(guān)AT89S52-P 8 位微處理器/40引腳CAP CapacitorCAPACITOR POL CapacitorCPDR 瓷片電容CRYSTAL CrystalD Connector 9 Receptacle Assembly, 9 Position, Right AngleDG 電感DJDR 電解電容GO 光耦Header 5X2 Header, 5-Pin, Dual rowJDQYCK 繼電器——1常開1常閉LED 發(fā)光二極管LM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorMAX232 NPN NPN Bipolar TransistorPZ_2 排針——2PZ_3 排針——3RES2Res 電阻Res PZ_8 8位排阻SW-DPST Double-Pole, Single-Throw SwitchWY2JG 穩(wěn)壓二級(jí)管ZL2JG 整流二極管
上傳時(shí)間： 2021-11-17
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基于DSP設(shè)計(jì)的數(shù)字化大功率電源數(shù)字化全橋變換器電源ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件，包括主板和控制板2個(gè)硬件，均為4層板設(shè)計(jì)，ALTIUM設(shè)計(jì)的硬件工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設(shè)計(jì)參考。主板原理圖器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業(yè)B/消費(fèi)C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業(yè)A/消費(fèi)C/快恢復(fù)二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業(yè)A/消費(fèi)B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業(yè)B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標(biāo)簽： tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時(shí)間： 2021-12-22
上傳用戶：aben
The PW2202 is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planarTechnology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance theavalanche energy. The Transistor can be used in various power switching circuit for system
標(biāo)簽： pw2202
上傳時(shí)間： 2022-02-11
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本書是 Marc Thompson 博士 20 年模擬電路設(shè)計(jì)和教學(xué)經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)，講述了模擬電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)中常用的直觀分析方法。本書提出了“模擬電路直觀方法學(xué)”，力圖幫助學(xué)生和設(shè)計(jì)人員擺脫復(fù)雜的理論推導(dǎo)與計(jì)算，充分利用直觀知識(shí)來應(yīng)對(duì)模擬電路工程設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。全書共分為 16 章，內(nèi)容涵蓋了二極管、晶體管、放大器、濾波器、反饋系統(tǒng)等模擬電路的基本知識(shí)與設(shè)計(jì)方法。本書大綱第 1 章與第 2 章為介紹性材料。第 1 章是本書的引言，同時(shí)介紹了模擬電路設(shè)計(jì)的發(fā)展動(dòng)機(jī)，其中引用了一些精選的歷史事件。第 2 章講述后續(xù)章節(jié)中用到地重要的信號(hào)處理概念，以使讀者們能夠跟上作者的思路。第 3 章至第 8 章講述雙極性器件的物理學(xué)原理、雙極性結(jié)型晶體管 (bipolar junction Transistor, BJT) 、晶體管放大器，以及用于帶寬估計(jì)與開關(guān)速度分析的近似技術(shù)。第 9 章講述 CMOS 管和 CMOS 管放大器的基礎(chǔ)知識(shí)。前面章節(jié)介紹的用于放大器設(shè)計(jì)的帶寬估計(jì)技術(shù)也同樣適用于 CMOS 管器件。第 10 章講述 晶體管的開關(guān)效應(yīng)。晶體管是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和關(guān)閉呢？又如何估計(jì)它的開關(guān)速度呢？第 11 章回顧反饋系統(tǒng) (feedback system) 的基本知識(shí)以及設(shè)計(jì)穩(wěn)定反饋系統(tǒng)的伯德圖 / 相位裕度方法 (Bod plot / phase margin) 。第 12 章和第 13 章講述實(shí)際運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)、使用和限制，包括電壓反饋 (voltage-feedback) 以及電流反饋 (current-feedback) 放大器。第 14 章講述模擬低通濾波器設(shè)計(jì)的基本知識(shí)，包括巴特沃思 (Butterworth) 、切比雪夫 (Chebyshev) 、橢圓 (elliptic) 以及貝塞爾 (Bessel) 濾波器的無(wú)源梯形實(shí)現(xiàn)和胡源實(shí)現(xiàn)。第 15 章講述實(shí)際電路設(shè)計(jì)問題，比如 PCB 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則、無(wú)源器件的使用和限制等。第 16 章是一些有用的設(shè)計(jì)技術(shù)和設(shè)計(jì)技巧的大雜燴，這些內(nèi)容又不適合放在其他章節(jié)，所以作為獨(dú)立的章節(jié)進(jìn)行講述。一些說明性的分析問題以及 MATLAB 和 SPICE 設(shè)計(jì)示例點(diǎn)綴在全書的字里行間，以幫助讀者理解本書的內(nèi)容。
標(biāo)簽： 模擬電路
上傳時(shí)間： 2022-02-14
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TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)即薄膜晶體管液晶顯示器，是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的的一種技術(shù)。CRT顯示器的工作原理是通電后燈絲發(fā)熱，陰極被激發(fā)后發(fā)射出電子流，電子流受到高電壓的金屬層的加速，經(jīng)過透鏡聚焦形成極細(xì)的電子束打在熒光屏上，使熒光粉發(fā)光顯示圖像。LCD顯示器需要來自背后的光源，當(dāng)光束通過這層液晶時(shí)，液晶會(huì)呈不規(guī)則扭轉(zhuǎn)形狀（形狀由TFT上的信號(hào)與電壓改變實(shí)現(xiàn)），所以液晶更像是一個(gè)個(gè)閘門，選擇光線穿透與否，這樣就可以在屏幕上看到深淺不一，錯(cuò)落有致的圖像。目前主流的LCD顯示器都是TFT-LCD，是由原有液晶技術(shù)發(fā)展而來。TFT液晶為每個(gè)像素都設(shè)有一個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)，以此做到完全的單獨(dú)控制一個(gè)像素點(diǎn)，液晶材料被夾在TFT陣列和彩色濾光片之間，通過改變刺激液晶的電壓值就可以控制最后出現(xiàn)的光線強(qiáng)度和色彩，
上傳時(shí)間： 2022-04-09
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三菱電機(jī)功率器件在工業(yè)、電氣化鐵道、辦公自動(dòng)化、家電產(chǎn)品等多種領(lǐng)域的電力變換及電動(dòng)機(jī)控制中得到廣泛應(yīng)用。為了真正滿足市場(chǎng)對(duì)裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強(qiáng)、容量大的要求，三菱電機(jī)積極致力于新型器件的研究、開發(fā)，為人類的節(jié)能和環(huán)保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機(jī)第5代IGBT硅片CSTBTIM技術(shù)，并具有正溫度系數(shù)特征，與傳統(tǒng)的溝槽型構(gòu)造IGBT相比，降低了集電極一發(fā)射極間飽和電壓，從而實(shí)現(xiàn)了更低損耗。同時(shí)改進(jìn)了封裝技術(shù)，大大減小了模塊內(nèi)部分布電感。本應(yīng)用手冊(cè)的出版，旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理，更加方便的使用三菱電機(jī)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。三菱電機(jī)謹(jǐn)向所有購(gòu)買和支持三菱半導(dǎo)體產(chǎn)品的用戶表示誠(chéng)摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認(rèn)識(shí)1.1 NF系列IGBT模塊的特點(diǎn)NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點(diǎn)：1，采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎(chǔ)上增加電荷蓄積層的新結(jié)構(gòu)（CSTBT）改善了關(guān)斷損耗（Eoff）和集電極-發(fā)射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞（PCM）的使用增強(qiáng)了短路承受能力（SCSOA）并降低了柵極電容，從而降低驅(qū)動(dòng)功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor載流子存儲(chǔ)式溝槽硼型雙極晶體臂
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP Transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP Transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp Transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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