對(duì)于地球化學(xué)應(yīng)用中的,同位素年齡如Ar-Ar U-Pb等處理.
標(biāo)簽： Ar-Ar U-Pb 地球 化學(xué)
上傳時(shí)間： 2014-01-11
上傳用戶：bruce5996
51+ch375讀寫(xiě)U盤(pán)超精簡(jiǎn)原程序
標(biāo)簽： 375 51 ch 讀寫(xiě)U盤(pán)
上傳時(shí)間： 2014-01-24
上傳用戶：陽(yáng)光少年2016
s3c2410的Nandflash的bootloader,參考wince的boot
標(biāo)簽： bootloader Nandflash s3c2410 wince
上傳時(shí)間： 2014-12-07
上傳用戶：Zxcvbnm
牛頓－拉夫遜法潮流計(jì)算 基本步驟： （1）形成節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣 （2）將各節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)初值U， （3）將節(jié)點(diǎn)初值代入相關(guān)求式，求出修正方程式的常數(shù)項(xiàng)向量 （4）將節(jié)點(diǎn)電壓初值代入求式，求出雅可比矩陣元素 （5）求解修正方程，求修正向量 （6）求取節(jié)點(diǎn)電壓的新值 （7）檢查是否收斂，如不收斂，則以各節(jié)點(diǎn)電壓的新值作為初值自第3步重新開(kāi)始進(jìn)行狹義次迭代，否則轉(zhuǎn)入下一步 （8）計(jì)算支路功率分布，PV節(jié)點(diǎn)無(wú)功功率和平衡節(jié)點(diǎn)柱入功率。
標(biāo)簽： 節(jié)點(diǎn) 牛頓 流計(jì)算 導(dǎo)納
上傳時(shí)間： 2013-12-11
上傳用戶：宋桃子
ms51 控制sl811讀寫(xiě)u盤(pán)的源程序 及 原理圖 可仿真試一下
標(biāo)簽： 811 ms 51 sl
上傳時(shí)間： 2014-06-19
上傳用戶：himbly
基于Bootloader的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： Bootloader
上傳時(shí)間： 2015-11-19
上傳用戶：weixiao99
基于C51及SL811讀寫(xiě)U盤(pán)的開(kāi)發(fā)文檔資料,包括芯片數(shù)據(jù)手冊(cè),測(cè)試命令及測(cè)試工具,電路原理圖,配合基于C51及SL811讀寫(xiě)U盤(pán)的源程序C51_SL811_ModeDisk_Program就可以產(chǎn)生完整的U盤(pán)讀寫(xiě)模塊
標(biāo)簽： 811 ModeDisk_Program C51 SL
上傳時(shí)間： 2014-01-19
上傳用戶：liansi
基于C51及SL811讀寫(xiě)U盤(pán)的源程序，開(kāi)發(fā)文檔資料,芯片數(shù)據(jù)手冊(cè),測(cè)試命令及測(cè)試工具,電路原理圖,請(qǐng)參C51_SL811_ModeDisk_manual
標(biāo)簽： C51 811 SL 讀寫(xiě)U盤(pán)
上傳時(shí)間： 2014-01-02
上傳用戶：aappkkee
VxWorks的bootloader實(shí)現(xiàn)，vxworks的引導(dǎo)功能！
標(biāo)簽： bootloader VxWorks
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：yimoney
這是上月，我給公司做的一個(gè)4k的bootloader, 屬于公司的不公開(kāi)代碼哦.做嵌入式的都知道，bootloader中的u-boot編譯后有一百多K，vivi編譯后有幾十K，但某些場(chǎng)合，需要一個(gè)小于4K的bootloader,以達(dá)到占用空間小，且啟動(dòng)迅速目的，它的難點(diǎn)在與，體積不能大于4K，且要完成bootloader的基本功能.....剩下我就不多說(shuō)了.用法：我在壓縮包里寫(xiě)了一個(gè)readme,請(qǐng)看一下.
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2015-11-21
上傳用戶：541657925
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