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architecture-body-sensor

  • DVHOP

    實現無線傳感器網絡定位DV-Hop算法的matlab源碼-Wireless sensor network localization DV

    標簽: DVHOP

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:hgy9473

  • OPC_Unified_Architecture

    OPC UA作為opc規范的新方向,使得自動化系統構架更加開放、便捷。-OPC Unified Architecture.pdf

    標簽: OPC_Unified_Architecture

    上傳時間: 2013-06-16

    上傳用戶:zsjinju

  • 獨立蜂鳴煤氣報警

    HT45F43 特性特性特性特性 MCU 特性:內建 2x OPAs & 2x Comparators, EEPROM, HIRC 4MHz + 32K LIRC,節省外部器件 傳感器:電化學 Sensor(ME2-CO) 電源電壓:9V 堿性電池 高音量蜂鳴器輸出:(>85DB) 待機電流:Typ.21uA, Max.27uA 低電壓檢測:7.5V 自測 / 校準功能 LED 顯示:紅、黃、綠三顆 LED 指示 使用 HT45F43 內建 OSC & Reset 電路,節省外部器件 使用 HT45F43 內建 OPA 進行 CO Sensor 信號放大,節 省外部器件 WATCHDOG 每 32 秒喚醒一次進行 CO 濃度偵測和電池電壓偵測

    標簽: 獨立 煤氣 報警 蜂鳴

    上傳時間: 2013-06-16

    上傳用戶:qunquan

  • Computer Architecture: A Quantitative Approach

    ·【作      者】 John L. Hennessy同作者書籍 【出  版 社】 Morgan Kaufmann 【書      號】 1558605967 【開      本】 16 開 【頁   &nbs

    標簽: nbsp Architecture Quantitative Computer

    上傳時間: 2013-05-28

    上傳用戶:wqxstar

  • 精典的C算法300例子

    ·文件列表:   1998.C   A24.C   A25.C   A26.C   ADD_F.C   ARF.C   ARR.C   BINARY.C   BINARY1.C   BODY.C   C1.H   C2.H   C3.H   C31.H &nbs

    標簽: 300 算法

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:a155166

  • ov7725寄存器配置

    該文件是OV7725即30萬攝像頭sensor的寄存器配置信息,內部的源碼,針對不同的開發環境可以做適當修改

    標簽: 7725 ov 寄存器

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:784533221

  • BF3008 design guide

    比亞迪VGA CMOS SENSOR

    標簽: design guide 3008 BF

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:瓦力瓦力hong

  • 高集成數字RF調制器解決方案

    Abstract: A digital RF modulator, an integrated solution that satisfies stringent DOCSIS RF-performancerequirements, takes advantage of modern technologies like high-performance wideband digital-to-analogconversion and CMOS technology scaling. This application note describes the concept and advantages ofa digital quadrature amplitude modulation (QAM) modulator that uses the direct-RF architecture to enablea cable access platform (CCAP) system.

    標簽: 集成 數字RF 調制器 方案

    上傳時間: 2013-10-20

    上傳用戶:drink!

  • CoolMos的原理、結構及制造

    對于常規VDMOS器件結構, Rdson與BV存在矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區,大大提高了BV,同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區,就能大大提高耐壓呢? 對于常規VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結,對于一個PN結,耐壓時主要靠的是耗盡區承受,耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散,所以此結構下,P body區域一側,耗盡區擴展很小,基本對承壓沒有多大貢獻,承壓主要是P body--N EPI在N型的一側區域,這個區域的電場強度是逐漸變化的,越是靠近PN結面(a圖的A結),電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。

    標簽: CoolMos 制造

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • 加載,感應DAC應用

    Abstract: This article discusses application circuits for Maxim force/sense digital-to-analog converters (DACs). Applications include:selectable fixed-gain DAC, programmable gain DAC, photodiode bias control, amperometric sensor control, digitally programmablecurrent source, Kelvin load sensing, temperature sensing, and high current DAC output. A brief description of the various DAC outputconfigurations is also given.

    標簽: DAC

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:youmo81

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