通信領(lǐng)域的主導(dǎo)技術(shù)有兩種：用于內(nèi)部商業(yè)通信的局域網(wǎng)(LAN)中的以太網(wǎng)(Ethernet)和廣域網(wǎng)(WAN)中的SDH(SynchronousDigitalHierarchy)。因為在SDH網(wǎng)絡(luò)上不直接支持以太網(wǎng)，當(dāng)企業(yè)(客戶)間需要彼此通信或企業(yè)(客戶)內(nèi)需要將其總部與分部連至同一LAN網(wǎng)時互連問題便應(yīng)運而生。 該研究課題的目的是研究在eos(EthernetoverSDH)實現(xiàn)過程中存在的技術(shù)難題和協(xié)議實現(xiàn)的復(fù)雜性，提出一種簡單、快速、高效的協(xié)議實現(xiàn)方法。主要關(guān)注的是eos系統(tǒng)中與協(xié)議幀映射相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)，例如：自定義幀結(jié)構(gòu)、幀定位、全數(shù)字鎖相技術(shù)、流量控制技術(shù)等，最終完成eos中這些關(guān)鍵技術(shù)模塊的設(shè)計。 該課題簡單分析eos系統(tǒng)相關(guān)協(xié)議幀結(jié)構(gòu)及eos系統(tǒng)的原理，闡述了FPGA技術(shù)的實現(xiàn)方法，重點在于利用業(yè)界最先進的EDA工具實現(xiàn)eos系統(tǒng)中幀映射技術(shù)。系統(tǒng)中采用一種簡化了的點對點實現(xiàn)方案，對以太網(wǎng)的數(shù)據(jù)幀直接進行HDLC幀格式封裝，采用多通道的E1信道承載完整的HIDLC幀方式將HDLC幀映射到E1信道中，然后采用單通道承載多個完整的E1幀方式將E1映射到SDH信道中，從而把以太網(wǎng)幀有效地映射到SDH的負荷中，實現(xiàn)“透明的局域網(wǎng)服務(wù)”。這對在現(xiàn)有的SDH傳輸設(shè)備上承載以太網(wǎng)，開發(fā)實現(xiàn)以太網(wǎng)的廣域連接設(shè)備，將會具有重要的意義。
上傳時間： 2013-04-24
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HDF多種數(shù)據(jù)格式,對于使用eos進行數(shù)據(jù)處理等有幫助.可以了解HDF數(shù)據(jù)的詳細信息.
標簽： HDF eos 數(shù)據(jù)格式 數(shù)據(jù)處理
上傳時間： 2015-05-09
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用于eos芯片的驅(qū)動程序, 供參考 參考
上傳時間： 2015-05-18
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eos WORKFLOW EXAMPLE
上傳時間： 2015-06-15
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文件是基于IDL開發(fā)環(huán)境的讀取eos的HDF文件格式的代碼，并且提供了在IDL中實現(xiàn)循環(huán)、判斷等操作，以及以一定的格式寫文件的方法。
標簽： IDL eos HDF 開發(fā)環(huán)境
上傳時間： 2015-09-24
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eos的一個很好的例子.包括頁面構(gòu)件、展現(xiàn)構(gòu)件，業(yè)務(wù)構(gòu)件，運算構(gòu)件，數(shù)據(jù)構(gòu)件，流程構(gòu)件
上傳時間： 2014-12-05
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用于處理eos衛(wèi)星傳感器Modis探測數(shù)據(jù)的程序源碼
上傳時間： 2013-12-13
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嵌入式操作系統(tǒng)eos（Embedded OperatingSystem）是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，它主要應(yīng)用于工業(yè)控制和國防系統(tǒng)領(lǐng)域。eos負責(zé)嵌人系統(tǒng)的全部軟、硬件資源的分配、調(diào)度工作，控制協(xié)調(diào)并發(fā)活動；它必須體現(xiàn)其所在系統(tǒng)的特征，能夠通過裝卸某些模塊來達到系統(tǒng)所要求的功能。本示例給出了eos在InfineonXC167CI處理器上面的實現(xiàn)示例。
標簽： OperatingSystem Embedded eos 嵌入式操作系統(tǒng)
上傳時間： 2016-07-09
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大陸電力信息系統(tǒng)V2.0 eos構(gòu)件開發(fā) 南京郵電大學(xué)創(chuàng)新杯參賽作品
上傳時間： 2013-12-25
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和eos的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和eos對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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