產(chǎn)品型號：VK3604A 產(chǎn)品品牌：VINKA/永嘉微電 封裝形式：SOP16 產(chǎn)品年份：新年份 聯(lián) 系 人：陳銳鴻 Q Q：361 888 5898 聯(lián)系手機：188 2466 2436（信） 概述： VK3604/VK3604A具有4個觸摸按鍵，可用來檢測外部觸摸按鍵上人手的觸摸動作。該芯片具有較高的 集成度，僅需極少的外部組件便可實現(xiàn)觸摸按鍵的檢測。 提供了4路輸出功能，可通過IO腳選擇輸出電平，輸出模式，輸出腳結(jié)構(gòu)，單鍵/多鍵和最 長輸出時間。芯片內(nèi)部采用特殊的集成電路，具有高電源電壓抑制比，可減少按鍵檢測錯誤的 發(fā)生，此特性保證在不利環(huán)境條件的應(yīng)用中芯片仍具有很高的可靠性。 此觸摸芯片具有自動校準功能，低待機電流，抗電壓波動等特性，為各種觸摸按鍵+IO輸 出的應(yīng)用提供了一種簡單而又有效的實現(xiàn)方法。 特點： ? 工作電壓 2.4-5.5V ? 待機電流7uA/3.3V,14uA/5V ? 上電復(fù)位功能（POR） ? 低壓復(fù)位功能（LVR） ? 觸摸輸出響應(yīng)時間：工作模式 48mS ，待機模式160mS ? 通過AHLB腳選擇輸出電平：高電平有效或者低電平有效 ? 通過TOG腳選擇輸出模式：直接輸出或者鎖存輸出 ? 通過SOD腳選擇輸出方式：CMOS輸出或者開漏輸出 ? 通過SM腳選擇輸出：多鍵有效或者單鍵有效 ? 通過MOT腳有效鍵最長輸出時間：無窮大或者16S ? 通過CS腳接對地電容調(diào)節(jié)整體靈敏度(1-47nF） ? 各觸摸通道單獨接對地小電容微調(diào)靈敏度（0-50pF） ? 上電0.25S內(nèi)為穩(wěn)定時間，禁止觸摸 ? 上電后4S內(nèi)自校準周期為64mS，4S無觸摸后自校準周期為1S ? 封裝SOP16(150mil)(9.9mm x 3.9mm PP=1.27mm) ———————————————— 產(chǎn)品型號：VK3604B 產(chǎn)品品牌：VINKA/永嘉微電 封裝形式：TSSOP16 產(chǎn)品年份：新年份 聯(lián) 系 人：陳銳鴻 1.概述 VK3604B具有4個觸摸按鍵，可用來檢測外部觸摸按鍵上人手的觸摸動作。該芯片具有 較高的集成度，僅需極少的外部組件便可實現(xiàn)觸摸按鍵的檢測。 提供了4路直接輸出功能。芯片內(nèi)部采用特殊的集成電路，具有高電源電壓抑制比，可 減少按鍵檢測錯誤的發(fā)生，此特性保證在不利環(huán)境條件的應(yīng)用中芯片仍具有很高的可靠性。 此觸摸芯片具有自動校準功能，低待機電流，抗電壓波動等特性，為各種觸摸按鍵+IO 輸出的應(yīng)用提供了一種簡單而又有效的實現(xiàn)方法。 特點 ? 工作電壓 2.4-5.5V ? 待機電流7uA/3.3V,14uA/5V ? 上電復(fù)位功能（POR） ? 低壓復(fù)位功能（LVR） ? 觸摸輸出響應(yīng)時間： 工作模式 48mS 待機模式160mS ? CMOS輸出，低電平有效，支持多鍵 ? 有效鍵最長輸出16S ? 無觸摸4S自動校準 ? 專用腳接對地電容調(diào)節(jié)靈敏度(1-47nF） ? 各觸摸通道單獨接對地小電容微調(diào)靈敏度（0-50pF）. ? 上電0.25S內(nèi)為穩(wěn)定時間，禁止觸摸. ? 封裝 TSSOP16L(4.9mm x 3.9mm PP=1.00mm) KPP841 標準觸控IC-電池供電系列： VKD223EB --- 工作電壓/電流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：1 通訊界面 最長回應(yīng)時間快速模式60mS，低功耗模式220ms 封裝：SOT23-6 VKD223B --- 工作電壓/電流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：1 通訊界面 最長回應(yīng)時間快速模式60mS，低功耗模式220ms 封裝：SOT23-6 VKD233DB --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：SOT23-6 通訊界面：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流2.5uA-3V VKD233DH ---工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：SOT23-6 通訊界面：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 有效鍵最長時間檢測16S VKD233DS --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：DFN6（2*2超小封裝） 通訊界面：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流2.5uA-3V VKD233DR --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/1.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：DFN6（2*2超小封裝） 通訊界面：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流1.5uA-3V VKD233DG --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：DFN6（2*2超小封裝） 通訊界面：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流2.5uA-3V VKD233DQ --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：SOT23-6 通訊界面：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流5uA-3V VKD233DM --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：SOT23-6 （開漏輸出） 通訊界面：開漏輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流5uA-3V VKD232C --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：2 封裝：SOT23-6 通訊界面：直接輸出，低電平有效 固定為多鍵輸出模式，內(nèi)建穩(wěn)壓電路 MTP觸摸IC——VK36N系列抗電源輻射及手機干擾： VK3601L --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/4UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：1 1對1直接輸出 待機電流小，抗電源及手機干擾，可通過CAP調(diào)節(jié)靈敏 封裝：SOT23-6 VK36N1D --- 工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：1 1對1直接輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾，可通過CAP調(diào)節(jié)靈敏封裝：SOT23-6 VK36N2P --- 工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：2 脈沖輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾，可通過CAP調(diào)節(jié)靈敏封裝：SOT23-6 VK3602XS ---工作電壓/電流：2.4V-5.5V/60UA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：2 2對2鎖存輸出 低功耗模式電流8uA-3V，抗電源輻射干擾，寬供電電壓 封裝：SOP8 VK3602K --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/60UA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：2 2對2直接輸出 低功耗模式電流8uA-3V，抗電源輻射干擾，寬供電電壓 封裝：SOP8 VK36N2D --- 工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：2 1對1直接輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾，可通過CAP調(diào)節(jié)靈敏封裝：SOP8 VK36N3BT ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：3 BCD碼鎖存輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾，可通過CAP調(diào)節(jié)靈敏 封裝：SOP8 VK36N3BD ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：3 BCD碼直接輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾，可通過CAP調(diào)節(jié)靈敏 封裝：SOP8 VK36N3BO ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：3 BCD碼開漏輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP8/DFN8（超小超薄體積） VK36N3D --- 工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：3 1對1直接輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N4B ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：4 BCD輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N4I---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：4 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N5D ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：5 1對1直接輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N5B ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：5 BCD輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N5I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：5 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N6D --- 工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：6 1對1直接輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N6B ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：6 BCD輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N6I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：6 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N7B ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：7 BCD輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N7I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：7 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N8B ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：8 BCD輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N8I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：8 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N9I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：9 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） VK36N10I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/7UA-3V3 感應(yīng)通道數(shù)：10 I2C輸出 觸摸積水仍可操作，抗電源及手機干擾 封裝：SOP16/DFN16（超小超薄體積） 1-8點高靈敏度液體水位檢測IC——VK36W系列 VK36W1D ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1對1直接輸出 水位檢測通道：1 可用于不同壁厚和不同水質(zhì)水位檢測，抗電源/手機干擾封裝：SOT23-6 備注：1. 開漏輸出低電平有效 2、適合需要抗干擾性好的應(yīng)用 VK36W2D ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1對1直接輸出 水位檢測通道：2 可用于不同壁厚和不同水質(zhì)水位檢測，抗電源/手機干擾封裝：SOP8 備注：1. 1對1直接輸出 2、輸出模式/輸出電平可通過IO選擇 VK36W4D ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1對1直接輸出 水位檢測通道：4 可用于不同壁厚和不同水質(zhì)水位檢測，抗電源/手機干擾封裝：SOP16/DFN16 備注：1. 1對1直接輸出 2、輸出模式/輸出電平可通過IO選擇 VK36W6D ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 1對1直接輸出 水位檢測通道：6 可用于不同壁厚和不同水質(zhì)水位檢測，抗電源/手機干擾封裝：SOP16/DFN16 備注：1. 1對1直接輸出 2、輸出模式/輸出電平可通過IO選擇 VK36W8I ---工作電壓/電流：2.2V-5.5V/10UA-3V3 I2C輸出 水位檢測通道：8 可用于不同壁厚和不同水質(zhì)水位檢測，抗電源/手機干擾封裝：SOP16/DFN16 備注：1. IIC+INT輸出 2、輸出模式/輸出電平可通過IO選擇 KPP841
標簽： 3604 輸出 VK 體積 藍牙音箱 檢測 方式 芯片 觸控 鎖存
上傳時間： 2022-04-11
上傳用戶：shubashushi66
特點(FEATURES) 精確度0.1%滿刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 類比輸出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 輸入/輸出1/輸出2絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,穩(wěn)定性高(Dimension small and High stability)
標簽： 微電腦 數(shù)學(xué)演算 輸出 隔離傳送器
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：541657925
TLC2543是TI公司的12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使用開關(guān)電容逐次逼近技術(shù)完成A/D轉(zhuǎn)換過程。由于是串行輸入結(jié)構(gòu)，能夠節(jié)省51系列單片機I/O資源；且價格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應(yīng)用。 TLC2543的特點 （1）12位分辯率A/D轉(zhuǎn)換器； （2）在工作溫度范圍內(nèi)10μs轉(zhuǎn)換時間； （3）11個模擬輸入通道； （4）3路內(nèi)置自測試方式； （5）采樣率為66kbps； （6）線性誤差±1LSBmax； （7）有轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出EOC； （8）具有單、雙極性輸出； （9）可編程的MSB或LSB前導(dǎo)； （10）可編程輸出數(shù)據(jù)長度。 TLC2543的引腳排列及說明 TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說明見表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：shen1230
#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：13788529953
數(shù)字運算，判斷一個數(shù)是否接近素數(shù) A Niven number is a number such that the sum of its digits divides itself. For example, 111 is a Niven number because the sum of its digits is 3, which divides 111. We can also specify a number in another base b, and a number in base b is a Niven number if the sum of its digits divides its value. Given b (2 <= b <= 10) and a number in base b, determine whether it is a Niven number or not. Input Each line of input contains the base b, followed by a string of digits representing a positive integer in that base. There are no leading zeroes. The input is terminated by a line consisting of 0 alone. Output For each case, print "yes" on a line if the given number is a Niven number, and "no" otherwise. Sample Input 10 111 2 110 10 123 6 1000 8 2314 0 Sample Output yes yes no yes no
上傳時間： 2015-05-21
上傳用戶：daguda
We have a group of N items (represented by integers from 1 to N), and we know that there is some total order defined for these items. You may assume that no two elements will be equal (for all a, b: a<b or b<a). However, it is expensive to compare two items. Your task is to make a number of comparisons, and then output the sorted order. The cost of determining if a < b is given by the bth integer of element a of costs (space delimited), which is the same as the ath integer of element b. Naturally, you will be judged on the total cost of the comparisons you make before outputting the sorted order. If your order is incorrect, you will receive a 0. Otherwise, your score will be opt/cost, where opt is the best cost anyone has achieved and cost is the total cost of the comparisons you make (so your score for a test case will be between 0 and 1). Your score for the problem will simply be the sum of your scores for the individual test cases.
標簽： represented integers group items
上傳時間： 2016-01-17
上傳用戶：jeffery
GRE 數(shù)學(xué)圣經(jīng)，下面是詳細的英文介紹： Comprehensive Prep for GRE Math Every year, students pay $1,000 and more to test prep companies to prepare for the math section of the GRE. Now you can get the same preparation in a book. Although the GRE math section is difficult, it is very learnable. GRE Math Bible presents a thorough analysis of GRE math and introduces numerous analytic techniques that will help you immensely, not only on the GRE but in graduate school as well.
上傳時間： 2015-08-22
上傳用戶：東大寺的
實驗源代碼 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("請輸入矩陣第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可傳遞閉包關(guān)系矩陣是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元關(guān)系的可傳遞閉包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("請輸入矩陣的行數(shù) i: "); scanf("%d",&k); 四川大學(xué)實驗報告 printf("請輸入矩陣的列數(shù) j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }
上傳時間： 2016-06-27
上傳用戶：梁雪文以
Lithium–sulfur batteries are a promising energy-storage technology due to their relatively low cost and high theoretical energy density. However, one of their major technical problems is the shuttling of soluble polysulfides between electrodes, resulting in rapid capacity fading. Here, we present a metal–organic framework (MOF)-based battery separator to mitigate the shuttling problem. We show that the MOF-based separator acts as an ionic sieve in lithium–sulfur batteries, which selectively sieves Li+ ions while e ciently suppressing undesired polysulfides migrating to the anode side. When a sulfur-containing mesoporous carbon material (approximately 70 wt% sulfur content) is used as a cathode composite without elaborate synthesis or surface modification, a lithium–sulfur battery with a MOF-based separator exhibits a low capacity decay rate (0.019% per cycle over 1,500 cycles). Moreover, there is almost no capacity fading after the initial 100 cycles. Our approach demonstrates the potential for MOF-based materials as separators for energy-storage applications.
上傳時間： 2017-11-23
上傳用戶：653357637
3rd Generation Partnership Project; Technical Specification Group Radio Access Network; Further advancements for E-UTRA; LTE-Advanced feasibility studies in RAN WG4 (Release 9)
上傳時間： 2018-04-28
上傳用戶：doforfuture
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