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利用Matlab求解帶有時間延遲的Mackey-glass系統(tǒng)，在非線性動力學中經常用到。可以用來求解類似的延遲微分方程系統(tǒng)。
標簽： Mackey-glass Matlab 延遲
上傳時間： 2015-08-28
上傳用戶：啊颯颯大師的
A Simple glass Breakage Detector Using the MSP430
標簽： Breakage Detector Simple glass
上傳時間： 2013-12-12
上傳用戶：jkhjkh1982
KDD的專業(yè)測試數(shù)據(jù)集glass，投KDD的可要同一使用他的數(shù)據(jù)集哈
標簽： glass KDD 測試 數(shù)據(jù)集
上傳時間： 2015-11-05
上傳用戶：zhaiyanzhong
One program to simulation light passing through a glass sphere. It is interesting and can be used in geometric optics.
標簽： interesting simulation program passing
上傳時間： 2014-12-07
上傳用戶：璇珠官人
麥克-格拉斯(Mackey-glass)混沌延遲微分方程的相圖
標簽： Mackey-glass 麥克 混沌 延遲
上傳時間： 2016-04-25
上傳用戶：1159797854
資源分配神經網絡解決Mackey-glass時間序列預測函數(shù)逼近問題
標簽： Mackey-glass 資源分配 神經網絡 時間序列
上傳時間： 2016-09-04
上傳用戶：hn891122
a VB script to cause user can pop up a glass Message box
標簽： Message script cause glass
上傳時間： 2014-01-03
上傳用戶：xhz1993
基于MATLAB生成Mackey-glass時間序列。首先進行函數(shù)的定義，然后運行WORD中的代碼即可。
標簽： Mackey-glass MATLAB 時間序列 函數(shù)
上傳時間： 2017-02-13
上傳用戶：lijinchuan
Calculation of the Differential Impedance of Tracks on FR4 substrates There is a discrepancy between calculated and measured values of impedance for differential transmission lineson FR4. This is especially noticeable in the case of surface microstrip configurations. The anomaly is shown tobe due to the nature of the substrate material. This needs to be considered as a layered structure of epoxy resinand glass fibre. Calculations, using Boundary Element field methods, show that the distribution of the electricfield within this layered structure determines the apparent dielectric constant and therefore affects theimpedance. Thus FR4 cannot be considered to be uniform dielectric when calculating differential impedance.
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：DE2542
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
