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保定奧蘭電氣生產的AL系列三相組合式過電壓保護器是一種高性能過電壓吸收裝置，適用于35KV及以下電力系統中，是限制雷電過電壓和操作過電壓的一種先進的保護電器。主要用于保護發電機、變壓器、開關、母線、電動機、并聯補償電容器組等電氣設備的絕緣免受過電壓的損害。對于相間和相地過電壓都能起到有效的保護作用。
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：AISINI005
AL-XHBZ系列智能型消弧接地補償裝置 保定市奧蘭電氣設備有限公司針對電力系統中性點經消弧線圈接地方式，開發出AL- XHBZ智能型消弧限壓接地補償裝置，主要用于６kＶ、１０kＶ、３５kＶ電網中，中性點經消弧線圈接地方式；自動跟蹤補償電網電容電流，使之保持于設定參數范圍內，消除電網系統內部過電壓及諧振過電壓，電網發生接地故障時自動報警，具有遠動輸出口，以便與上位機通訊。本裝置的特點是響應速度快、精度高、解決死機等優點，是廣大中壓配電網絡優選的接地電器設備。 三、裝置特點 1、多路徑實時采樣輸入信號 2、實時測量的高度準確性 3、實時跟蹤的高可靠性。 4、實時補償的寬范圍、高精度。 5、實時跟蹤的高速度 6、抗干擾能力強 7、裝置功能齊全，運行方式靈活。 8、阻尼電阻。 9、裝置實驗檢測手段完備。 10、整套裝置中使用的主要設備均為本公司生產。 11、微機控制器的特點
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：黃蛋的蛋黃
AL-DR系列低壓電阻成套裝置 奧蘭電氣專注于電力中性點保護裝置、過電壓保護裝置及繼電保護裝置的研發，于90年代引進、消化國外先進技術，采用進口特種不銹鋼合金電阻，研發生產了系列中性點接地電阻成套裝置，是國內首批研發、生產電力系統中性點電阻裝置的廠家。裝置在熱力和電氣性能上，完全能滿足電力中性點對設備的要求，具有耐受溫度高、電阻率高、電阻溫度系數小，同時又具有抗拉強度高。韌性好等優良的機械性能。AL-DR低壓接地電阻柜主要用于低壓柴油發電機組0.22KV、火力發電廠0.38KV、煤炭生產企業0.66KV、啟動及制動和功率等電阻設備。 1、產品采用優質不銹鋼鎳鉻合金（Cr20Ni80）電阻，導電率高，溫度系數α為8.5×10 -5 ℃(20-1100℃)，溫度系數最小。電阻可耐1500℃防燃防爆，可靠性高，耐腐蝕，阻值穩定； 2、本產品也可以使用于各種低壓配電系統中，在低壓線路中，如無中性點加接地變壓器可與之配合使用；對抑止系統過電壓、防止各種沖擊有很好的作用； 3、電阻柜阻值可從1歐姆到2000歐姆，電流從0.5安培到1000安培設計； 4、電阻柜用于戶內或戶外，柜體采用不銹鋼板或冷軋鋼板噴塑制成； 5、產品可以加裝接地記錄及溫濕度控制裝置，記錄設備運行的狀態。 6、根據用戶要求加裝測控保護裝置，
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：xc216
AL-TBP系列組合式過電壓保護器 隨著真空開關的廣泛使用，開斷能力引發的各類操作過電壓，對電力設備的保護提出了新的課題．由于中壓電網（3～66kV）的一些特殊性,常規避雷器對各類操作過電壓不敏感,起不到保護作用.組合式過電壓保護器是解決這一難題而研制的新產品。該類產品采用四星型接法,設置公共中性點,不但可以大大降低相間過電壓,而且相對地保護水平也有質的提高,起到了對真空開關操作過電壓的有效限制。本公司產品為復合絕緣式,結構小巧緊湊、整體全封閉成型；選用優質金屬氧化物閥片，工作特性高、安全方便；特別適合與KYN、XGN、GBC、JYN、GZS等不同型號的中壓成套開關柜配合使用，或直接安裝在小型箱式變電站內。 本產品使用于交流中壓3～66kV電力系統，用于防止主要由真空開關產生的操作過電壓對電力設備的損害，同時兼有防雷功能。 我公司產品技術標準，主要參考GB11032-2000《交流無間隙金屬氧化物避雷器》、JB/T9672-2005《有串聯間隙金屬氧化物避雷器》、DL/T620-1997《交流電氣裝置的過電壓保護和絕緣配置》、JB/T10496-2005《三相組合式無間隙金屬氧化物避雷器》等上述標準生產過電壓保護器產品，并在西安國家檢測中心已通過了全部實驗。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：88mao
AL-XHZ系列消弧消諧及過電壓保護裝置 我公司研制出了XHZ消弧線圈及過電壓保護裝置，能將中性點非有效接地系統的相間、相地過電壓限制在電網安全范圍內，徹底解決了各種過電壓對電網的威脅，提高了電網安全供電的可靠性。 1、裝置動作速度快，能快速消除間歇性弧光及穩定性弧光接地故障，抑制孤光接地過電壓，防止事故進一步擴大，降低線路的事故跳閘率。 2、能將系統的大氣過電壓和操作過電壓限制到較低的電壓水平，保證了電網及設備的絕緣安全。 3、能夠快速、有效地消除系統的諧振過電壓，防止長時間諧振過電壓對系統絕緣破壞，防止諧振過電壓對電網中裝設的避雷器及小感性負載的損傷。 4、裝置動作后，允許200A的電容電流連續通過至少2小時以上，用戶可以完成轉移負荷的倒閘操作之后再處理故障線路。 5、能夠準確查找單相接地故障線路，對防止事故的進一步擴大，減輕運行和維護人員的工作量有重要的意義。 6、由于其限制過電壓的機理與電網電流的大小無關，因而其保護性能不受電網運行方式的改變和電網擴大的影響。 7、本裝置中的電壓互感器可以向計量儀表和繼電保護裝置提供系統的電壓信號，能夠替代常規的PT柜。 8、能夠測量系統的單相接地電容電流。 9、結構簡單，體積小，安裝、調試方便，適用范圍廣。 10、性價比，相對于消弧線圈系統而言，性價比較高。 11、選線功能，無論系統發生的是何種類型的接地故障，均能夠對接地線路進行準確地選擇。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：cazjing
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：yan2267246
自己在學校的時候做的一些單片機仿真實例和一些資料，希望對大家有些幫助
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：oojj
TLC2543是TI公司的12位串行模數轉換器，使用開關電容逐次逼近技術完成A/D轉換過程。由于是串行輸入結構，能夠節省51系列單片機I/O資源；且價格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應用。 TLC2543的特點 （1）12位分辯率A/D轉換器； （2）在工作溫度范圍內10μs轉換時間； （3）11個模擬輸入通道； （4）3路內置自測試方式； （5）采樣率為66kbps； （6）線性誤差±1LSBmax； （7）有轉換結束輸出EOC； （8）具有單、雙極性輸出； （9）可編程的MSB或LSB前導； （10）可編程輸出數據長度。 TLC2543的引腳排列及說明 TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說明見表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：shen1230
常用主板I/O芯片簡介
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：yupw24
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