P87C51RA2/RB2/RC2/RD2單片8位微控制器采用先進的CMOS工藝制造,是80C51微控制器家族的派生品其指令集與80C51指令集完全相同。該器件可通過并行編程的方法對一個OTP位進行編程,從而選擇6時鐘或12時鐘模式。此外,也可通過時鐘控制寄存器CKCON中的X2位選擇6時鐘或12時鐘模式。該器件還包含有4個8位I/O口、3個16位定時/計數(shù)器、多中斷源-4中斷優(yōu)先級-嵌套的中斷結(jié)構(gòu)、1個增強型UART片內(nèi)振蕩器及時序電路。新增的特性使得P87C51RA2/RB2/RC2/RD2成為功能更強大的微控制器,更好地支持應(yīng)用于脈寬調(diào)制,高速I/O,遞增/遞減計數(shù)能力(如電機控制)等場合。
上傳時間: 2013-10-17
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針對目前市上有片機實驗單實滿板大多功能功能一、用性不能足要求開發(fā)實電單等缺陷,了一系列功能強大和具有用路的片機實驗并編寫板,了完整實驗導(dǎo)書應(yīng)為產(chǎn)開發(fā)學(xué)習(xí)單的指和相的程序,品和片機提供了良好的平臺。
標(biāo)簽: 單片機實驗板
上傳時間: 2013-11-11
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工藝要求:鉚接為塑膠產(chǎn)品,把6個銅釘熱鉚接到塑膠品塑膠產(chǎn)品規(guī)定孔內(nèi),鉚接面與塑膠產(chǎn)品表面精度為±0.2mm。
標(biāo)簽: 單片機控制
上傳時間: 2013-10-11
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keil c51 v9.01此版不是漢化中文版,是英文版來的。ARM發(fā)布Keil μVision4集成開發(fā)環(huán)境(IDE),用來在微控制器和智能卡設(shè)備上創(chuàng)建、仿真和調(diào)試嵌入式應(yīng)用。 μVision4 IDE是為增強開發(fā)人員的工作效率設(shè)計的,有了它可以更快速、更高效地開發(fā)和檢驗程序。通過μVision4 IDE中引入的靈活的窗口管理系統(tǒng),開發(fā)人員可以使用多臺監(jiān)視器,在可視界面任何地方全面控制窗口放置。 新用戶界面可以更好地利用屏幕空間,更有效地組織多個窗口,為開發(fā)應(yīng)用提供整齊高效的環(huán)境。 μVision4在μVision3的成功經(jīng)驗的基礎(chǔ)上增加了:* System Viewer (系統(tǒng)查看程序)窗口,提供了設(shè)備外圍寄存器信息,這些信息可以在System Viewer窗口內(nèi)部直接更改。* Debug Restore Views (調(diào)試恢復(fù)視圖)允許保存多個窗口布局,為程序分析迅速選擇最適合的調(diào)試視圖。* Multi-Project Workspace(多項目工作空間)為處理多個并存的項目提供了簡化的方法,如引導(dǎo)加載程序和應(yīng)用程序。* 為基于ARM Cortex 處理器的MCU提供了Data and instruction trace(數(shù)據(jù)和指令追蹤)功能。* 擴展了Device Simulation(設(shè)備仿真)功能以支持許多新設(shè)備,如Luminary、NXP和東芝生產(chǎn)的基于ARM Cortex-M3處理器的MCU;Atmel SAM7/9;及新的8051衍生品,如Infineon XC88x和SiLABS 8051Fxx。* 支持許多debug adapter interfaces(調(diào)試適配器接口),包括ADI miDAS Link、Atmel SAM-ICE、Infineon DAS和ST-Link。
上傳時間: 2013-10-31
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Keil C51編譯、調(diào)試軟件使用指南.pdf 該手冊是Keil 軟件公司8051 單片機軟件開發(fā)工具的介紹是為新用戶和有興趣的讀者準(zhǔn)備的使用指南只需要閱讀本書就可以正確地運行和使用該軟件這本用戶指南包括以下章節(jié)的內(nèi)容第一章介紹 對本用戶手冊的概述第二章安裝 講述怎樣安裝軟件并設(shè)置工具的操作環(huán)境第三章 8051 產(chǎn)品系列講述為8051 單片機提供的不同產(chǎn)品讀完本章可以決定選用哪一種產(chǎn)品第四章 8051 開發(fā)工具講述8051 開發(fā)工具的主要特征包括C 編譯器匯編器調(diào)試器和集成開發(fā)環(huán)境第五章使用 8051 工具講述通過演示程序指導(dǎo)用戶如何使用這套工具第六章硬件產(chǎn)品介紹輔助開發(fā)和調(diào)試的硬件工具還有80C517A 和80C520 評估板以及EPROM 仿真器第七章實時內(nèi)核講述RTX 51 實時操作系統(tǒng)該章還提供多任務(wù)處理系統(tǒng)的概述第八章命令參考簡要講述了8051 開發(fā)工具的命令及控制符
上傳時間: 2013-10-19
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本文列舉了單片機在熱處理爐中的一個實際應(yīng)用,并對設(shè)計的WDY-1 溫控儀的組成及主要電路的作用進行了詳細的介紹。關(guān)鍵詞:單片機;控制;溫度。單片微型計算機是隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展而誕生的,由于它具有體積小、功能強、性價比高等特點,所以廣泛應(yīng)用于電子儀表、家用電器、節(jié)能裝置、軍事裝置、機器人、工業(yè)控制等諸多領(lǐng)域,使產(chǎn)品小型化、智能化,既提高了產(chǎn)品的功能和質(zhì)量,又降低了成本,簡化了設(shè)計。本文主要介紹單片機在溫度控制中的應(yīng)用。東風(fēng)汽車公司變速箱廠熱工科無罐爐,主要用于變速箱齒輪、軸類零件的滲碳熱處理工序。原來用XWB 型自動平衡記錄儀控制溫度,二位式控溫方式,使得具有大慣量性的無罐爐溫度波動大,誤差達±10℃左右。并且儀表使用環(huán)境教惡劣,油煙、灰塵常使儀表的機械傳動部分卡死,不但維修工作量大,而且產(chǎn)品質(zhì)量不易保證。隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展,汽車工業(yè)不斷壯大,產(chǎn)品市場競爭激烈,優(yōu)勝劣汰。由此,我們經(jīng)過認真的調(diào)研和設(shè)計,尋求了一種更好的控溫方法,亦即本文介紹的WDY-1 溫控儀取代XWB 型自動平衡記錄儀。
標(biāo)簽: 單片機 中的應(yīng)用 溫度控制
上傳時間: 2013-10-13
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特性• 一系列方法支持不同的照明概念/原理UHP CCFL等• 快速執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)80C51 器件的兩倍• 工作范圍寬2.7V~6.0V 而且在125 仍可工作• 帶晶振/諧振器和RC 的用戶可配置振蕩器不要求外部元件• 低電流操作• 豐富的特性集包括UART和I2C 串行通訊低電壓檢測和上電復(fù)位• 兩個比較器• 在系統(tǒng)可編程ISP• 專用的模擬和數(shù)字外圍設(shè)備• ADC 快速PWM 和DAC特殊控制的專用外圍設(shè)備• PFC 功率因素修正• 帶軟開關(guān)PWM 的半橋和全橋控制• 使用ADC 和比較器進行照明管理• 與幾乎所有遠程協(xié)議接口DALI IR RF 等• 帶鎮(zhèn)流ASIC 帶DAC 或PWM 的快速控制回路• 與存儲設(shè)備的I2C 接口
標(biāo)簽: LPC 51 照明應(yīng)用 微控制器
上傳時間: 2014-03-24
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紅外遙控接收;=================================================;; zsMCU51實驗板配套學(xué)習(xí)例程;; 中山單片機學(xué)習(xí)網(wǎng) 智佳科技;; 作者:逸風(fēng) QQ:105558851;; http://www.zsmcu.com; E-mail:info@zsmcu.com;=================================================ORG 0000HLJMP START;轉(zhuǎn)入主程序ORG 0010HSTART:MAIN:JNB P2.2,IRLJMP MAIN;以下為進入P3.2腳外部中斷子程序,也就是解碼程序IR:MOV R6,#9SB:ACALL DELAY882 ;調(diào)用882微秒延時子程序JB P2.2,EXIT ;延時882微秒后判斷P3.2腳是否出現(xiàn)高電平如果有就退出解碼程序DJNZ R6, SB ;重復(fù)10次,目的是檢測在8820微秒內(nèi)如果出現(xiàn)高電平就退出解碼程序;以上完成對遙控信號的9000微秒的初始低電平信號的識別。JNB P2.2, $ ;等待高電平避開9毫秒低電平引導(dǎo)脈沖ACALL DELAY2400JNB P2.2,IR_Rp ;ACALL DELAY2400 ;延時4.74毫秒避開4.5毫秒的結(jié)果碼MOV R1,#1AH ;設(shè)定1AH為起始RAM區(qū)MOV R2,#4PP:MOV R3,#8JJJJ:JNB P2.2,$ ;等待地址碼第一位的高電平信號LCALL DELAY882 ;高電平開始后用882微秒的時間尺去判斷信號此時的高低電平狀態(tài)MOV C,P2.2 ;將P3.2引腳此時的電平狀態(tài)0或1存入C中 JNC UUU ;如果為0就跳轉(zhuǎn)到UUULCALL DELAY1000UUU:MOV A,@R1 ;將R1中地址的給ARRC A ;將C中的值0或1移入A中的最低位MOV @R1,A ;將A中的數(shù)暫時存放在R1中DJNZ R3,JJJJ ;接收地址碼的高8位INC R1 ;對R1中的值加1,換下一個RAMDJNZ R2,PP ;接收完16位地址碼和8位數(shù)據(jù)碼和8位數(shù)據(jù),存放在1AH/1BH/1CH/1DH的RAM中MOV P1,1DH ;將按鍵的鍵值通過P1口的8個LED顯示出來!CLR P2.3 ;蜂鳴器鳴響-嘀嘀嘀-的聲音,表示解碼成功LCALL DELAY2400LCALL DELAY2400LCALL DELAY2400SETB P2.3;蜂鳴器停止LJMP MAINIR_Rp:LJMP MAINEXIT:LJMP MAIN ;退出解碼子程序;=============================882DELAY882: ;1.085x ((202x4)+5)=882MOV R7,#202DELAY882_A:NOPNOPDJNZ R7,DELAY882_ARET;=============================1000DELAY1000: ;1.085x ((229x4)+5)=999.285MOV R7,#229DELAY1000_A:NOPNOPDJNZ R7,DELAY1000_ARET;=============================2400
上傳時間: 2013-11-01
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三種方法讀取鍵值 使用者設(shè)計行列鍵盤介面,一般常採用三種方法讀取鍵值。 中斷式 在鍵盤按下時產(chǎn)生一個外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個按鍵被按下。 本實驗採用中斷式實現(xiàn)使用者鍵盤介面。 掃描法 對鍵盤上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。 反轉(zhuǎn)法 先將所有行掃描線輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線輸出低電位,再讀行值。 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會使行列連成通路,這也是見的使用者鍵盤設(shè)計電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時去抖動 if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }
上傳時間: 2013-11-12
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電磁輻射到軍械上是危險的,潛在的電磁輻射對軍工品或電子爆炸裝置有不利影響,自從50 年代以來這就是眾所周知的 問題。為了避免不必要的爆炸或電起爆裝置(EID)從發(fā)射電磁能量增殖,這對于所有的防衛(wèi)機構(gòu)來說是必不可少的。伴 隨著功率輸出和發(fā)射設(shè)備頻率范圍的持續(xù)增加,減小此威脅變得至關(guān)重要。 為了確保大炮和軍火系統(tǒng)保持安全,在適當(dāng)維護條件下,測量電子爆炸裝置( EED)上電磁能量影響的測試設(shè)備有很大 發(fā)展。幾年后基于光纖技術(shù)的新一代儀器取代了使用熱電偶或紅外探測的系統(tǒng)。光纖傳感器( FOS)具有高精度和高準(zhǔn) 確性,非常靈敏,提供的響應(yīng)時間可滿足高效的EED。由于電絕緣的特性,光纖傳感器對電磁干擾(EMI)完全免疫,在 感應(yīng)環(huán)境中可表現(xiàn)出來。由于此有利的參數(shù),基于光纖技術(shù)的傳感器現(xiàn)已成為HERO/RADHAZ 測試的標(biāo)準(zhǔn)。然而,什么 是該技術(shù)必要的條件以提供EED 裝置可靠的輻射評估仍然沒有明確,怎樣去完全發(fā)揮此技術(shù)優(yōu)勢以完全獲益呢?
上傳時間: 2013-11-16
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