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  • 小波分析在信號降噪中的應用

    針對信號檢測中經常存在的噪聲污染問題，利用小波分解之后可以在各個層次選擇閾值，對噪聲成分進行抑制，手段更加靈活。本文介紹了小波變換的一般理論以及在信號降噪中的應用，分析了被噪聲污染后的信號的特性；利用MATLAB軟件進行了信號降噪的模擬仿真實驗并在降噪光滑性和相似性兩個方面體現出小波變換的優勢。本文分別使用了不同類型的小波和相同類型小波下不同閾值對信號進行了降噪．仿真結果表明小波變換具有良好降噪的效果。

    標簽： 小波分析 信號降噪 中的應用

    上傳時間： 2013-10-19

    上傳用戶：alex wang

  • 高增益低功耗恒跨導軌到軌CMOS運放設計

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工藝，設計了一個高增益、低功耗、恒跨導軌到軌CMOS運算放大器，采用最大電流選擇電路作為輸入級，AB類結構作為輸出級。通過cadence仿真，其輸入輸出均能達到軌到軌，整個電路工作在3 V電源電壓下，靜態功耗僅為0.206 mW，驅動10pF的容性負載時，增益高達100.4 dB，單位增益帶寬約為4.2 MHz，相位裕度為63°。

    標簽： CMOS 增益 低功耗 軌到軌

    上傳時間： 2013-11-04

    上傳用戶：xlcky

  • 板級模擬電路仿真收斂性技術研究

    電路仿真不僅應用于電路設計階段，也用于電路故障診斷中。電路仿真結果能夠為建立電路測試診斷知識庫提供重要的參考信息。本文簡要介紹了電路仿真收斂性的相關理論，分析了板級模擬電路直流分析和瞬態分析的仿真收斂性問題，深入探討了電路仿真技術的原理和發展，重點研究了新的電路仿真算法，并將其應用于模擬電路仿真系統中。

    標簽： 板級 仿真 收斂性 技術研究

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：hopy

  • 高線性度元件簡化了直接轉換接收器的設計

    凌力爾特公司的 LT®5575 直接轉換解調器實現了超卓線性度和噪聲性能的完美結合。

    標簽： 高線性度 元件 直接轉換 接收器

    上傳時間： 2013-11-10

    上傳用戶：mikesering

  • DN494 - 驅動一個低噪聲、低失真18位、1.6Msps ADC

    LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有極高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。該器件還具有一種獨特的數字增益壓縮功能，因而免除了在 ADC驅動器電路中增設一個負電源的需要。

    標簽： Msps 494 1.6 ADC

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：mickey008

  • 工業監控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

    14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。

    標簽： SAR ADC 工業監控 便攜式

    上傳時間： 2013-11-16

    上傳用戶：dbs012280

  • 用于軟件定義UHF RFID閱讀器的可編程基帶濾波器

    射頻識別 (RFID) 是一種自動識別技術，用於識別包含某個編碼標簽的任何物體

    標簽： RFID UHF 軟件定義 可編程基帶

    上傳時間： 2013-10-29

    上傳用戶：star_in_rain

  • DN463 - 將您的微控制器ADC升級至真正的12位性能

    LTC®2366 及其較慢速的版本提供了一種高性能的替代方案，如表 1 中的 AC 規格所示。您不妨將這些有保證的規格與自己現用微控制器內置的 ADC 進行一番比較。

    標簽： 463 ADC DN 微控制器

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：15527161163

  • 10Gbits GPON系統的完整，緊湊型APD偏置解決方案

    雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器

    標簽： Gbits GPON APD 10

    上傳時間： 2013-11-22

    上傳用戶：zhangyigenius

  • 一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設計

    提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。

    標簽： LDMOS 射頻集成電路 擊穿

    上傳時間： 2013-10-18

    上傳用戶：603100257

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