<button id="u2i22"></button> 一、變壓器Np、Ns、Lp的計算二、如果要計算氣隙長度lg三、開關管Vce、Ic的計算（非連續）五.輸出整流二極管Id、Vd的計算Flyback輸出濾波電容設計流過輸出電容C的紋波電流Ic=I2- Io 其中：I2為次級線圈電流 Ic的有效值可由下式計算：Icrms=[Ton/3T(I2p^2-I2pIo+Io^2 )+(Toff/T)* Io^2]^1/2 其中I2p=2io/(1- δmax) 此為輸入電壓最低、輸出功率最大時狀態。
上傳時間： 2013-11-22
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近年來，節能環保理念的深入人心，對半導體IC 設計和應用也提出了更高的要求。2008 年11 月，五大手機制造商諾基亞、三星、索尼愛立信、摩托羅拉和lg 電子聯合發布了手機充電器的五星級標準。新的分級制度將以零到五顆星的標志圖案來區分待機能耗。例如，待機功耗小于或等于30mW 的手機充電器屬于最高星級，在其標簽上印有五顆星。相反，如果待機功耗≤500 mW，則充電器標簽上將無任何星級標記。為適應手機充電器的技術革新和發展，新進半導體制造有限公司（簡稱BCD 半導體）于近期推出一種新的電源控制芯片AP3768,并基于AP3768 開發出全面滿足能源之星外部電源2.0 標準和五星級標準的充電器方案。
上傳時間： 2014-01-06
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地彈的形成：芯片內部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源，同時，地彈又是與芯片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。 簡單的構造如上圖的一個小“場景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設為20歐。GNDA為芯片A內部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內部的地要通過芯片內的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會引入一個小電感lg，假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個lg和CR都是很小的值，不過，通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設A芯片只有一個輸出腳，現在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、lg形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。（很老的一個軟件，很多人已經不懈于使用了。不過我個人比較依賴它，關鍵是建模，模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的，這個小軟件幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小，有比較長的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。）因為只關注下降沿，所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見，高電平輸出設為3.3V，低電平是0V。（實際200M以上芯片IO電壓會比較低，多采用1.5－2.5V。）
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上傳時間： 2013-10-17
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基于半導體集成技術的突飛猛進的發展各種類型的單片機正日新月異的涌向市場為單片機技術的應用人員提供了極大的方便INTEL公司在MCS48系列的基礎上推出高性能的MCS51系列八位單片機而今三十二位單片機又以其強大的片內功能提供給應用者無論是那一種位數的單片機也無論是那一種系列的單片機都為新產品的開發應用系統的研制智能控制器的研究高新技術的應用創造了極其有力的硬件環境當前可以說由于世界各生產廠家生產通用型以及衍生出的五花八門的系列及型號的單片機使其單片機技術的應用已達到了無孔不入的地步當初面向工業控制功能的單片機現已遠遠超出了原設計者的想像然而占全球單片機銷量60%65%左右的八位單片機仍是當前應用的主流就國內應用實踐而言使用單片機數量最大的是八位單片機應用范圍最廣的是八位單片機八位單片機仍具有時代的魅力INTEL公司推出的高性能MCS51系列八位單片機一投入市場里很快被使用者所歡迎隨著時間的推移世界各生產單片機的公司看好MCS51系列八位單片機的強勁趨勢在八位單片機的設計上紛紛向51系列八位單片機內核靠攏PHILIPS公司首先購買了8051內核的使用權并在此基礎上增加具有自身特點的I2C總線PHILIPS公司并推出一系列高性能具有快閃存儲器的標準的80C51派生型八位機單片機很方便的多次在線編程為用戶帶來極大方便ATMEL公司通過技術交換取得了80C31內核的使用權生產出AT89C系列單片機SIEMENS公司SABC5系列八位單片機C500CPU與80C51完全兼容臺灣WINBOND公司生產的W78系列八位單片機南韓lg半導體公司生產GMS90/97系列八位單片機也都與標準的8051兼容由北京集成電路設計中心設計的BT/AT89C51也與MCS51系列八位單片機在指令系統和引腳上完全兼容總部位于美國德克薩斯州的美國Cygnal公司是1999年3月成立的一家新興的半導體公司公司專業從事混合信號片上系統單片機的設計與制造公司看好了八位單片機的市場前景至目前更新了原51單片機結構設計了具有自主產權的CIP-51內核使得51單片機煥發了新的生命力其運行速度高達每秒25MIPS現已設計并為市場提供了29個品種的C8051F系列片上系統單片機預計今年年內還將完成20多個新的片上系統單片機的設計經過3年的穩步發展已成長為半導體業界一顆耀眼的新星Cygnal C8051F系列單片機由沈陽新華龍電子有限公司于2001年引進中國大陸并于11月2001嵌入式系統及單片機國際學術交流會暨產品展示會上首次亮相受到與會者的極大關注
上傳時間： 2013-10-09
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顯示器存儲器數據大全:AOC772S單芯片06年新款機數據，lg未來窗T710S數據，部分顯示器EPROM數據，彩顯數據，飛利浦的一些數據，分享唯一顯示器EPROM數據WEIYI-775B(A81DC，聯想液晶MCU，彩電、顯示器總線進入法-大全
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：jrsoft
第一章 面陣圖像傳感器系統集成電路11. 1 德州儀器（TEXASINSTRUMENTS）圖像傳感器系統集成電路11. 1. 1 PAL制圖像傳感器應用電路11. 1. 2 通用圖像傳感器應用電路181. 1. 3 NTSC圖像傳感器應用電路641. 1. 4 圖像傳感器時序和同步產生電路1061. 1. 5 圖像傳感器串聯驅動電路1501. 1. 6 圖像傳感器并聯驅動電路1651. 1. 7 圖像傳感器信號處理電路1691. 1. 8 圖像傳感器采樣和保持放大電路1761. 1. 9 TCK211型圖像傳感器檢測和接口電路1821. 2 三星（SAMSUNG）圖像傳感器系統集成電路1931. 2. 1 CCIR圖像傳感器應用電路1941. 2. 2 NTSC. EIA圖像傳感器應用電路2031. 2. 3 圖像傳感器時序和同步產生電路2401. 2. 4 圖像傳感器驅動電路2501. 2. 5 圖像傳感器信號處理電路2571. 3 lg圖像傳感器系統集成電路2631. 3. 1 NTSC. CCIR圖像傳感器應用電路2641. 3. 2 圖像傳感器時序和同步產生電路2841. 3. 3 圖像傳感器驅動電路3021. 3. 4 圖像傳感器信號處理電路310第二章 線陣及其他圖像傳感器系統集成電路3242. 1 東芝TCD系列線陣圖像傳感器應用電路3242. 2 德州儀器（TEXASINSTRUMENTS）線陣圖像傳感器應用電路3532. 3 日立面陣圖像傳感器應用電路4012. 4 CMOS圖像傳感器應用電路435第三章 磁傳感器應用電路4603. 1 差動磁阻傳感器應用電路4603. 2 磁場傳感器應用電路4793. 3 轉速傳感器應用電路4873. 4 角度傳感器應用電路4993. 5 齒輪傳感器應用電路5143. 6 霍爾傳感器應用電路5183. 7 霍爾效應鎖定集成電路應用5463. 8 無接觸電位器式傳感器應用電路5583. 9 位置傳感器應用電路5603. 10 其他磁傳感器應用電路574 《現代傳感器集成電路》全面系統地介紹了當前國外各類最新和最常用的傳感器集成電路的實用電路。對具有代表性的典型產品集成電路的原理電路和應用電路及其名稱、型號、主要技術參數等都作了較詳細的介紹。 本書分為三章，主要介紹各類面陣和線陣圖像傳感器集成電路及磁傳感器應用電路等技術資料。書中內容取材新穎，所選電路型號多、參數全、實用性強，是各領域從事自動控制研究、生產、設計、維修的技術人員和大專院校有關專業師生的工具書。為PDS文件，可在本站下載PDG閱讀工具：pdg閱讀器下載|pdg文件閱讀器下載
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：梧桐
電容器及介質種類： ※高頻類： 此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器，包括通用型高頻COG、COH電容器和溫度補償型高頻HG、lg、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中COG、COH電容器電性能最穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，適用于低損耗，穩定性要求高的高頻電路，HG、lg、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應變化，適用于低損耗、溫度補償型電路中。 ※ X7R、X5R：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，具有較高的介電常數，容量比Ⅰ類電容器高，具有較穩定的溫度特性，適用于容量范圍廣，穩定性要求不高的電路中，如隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。 ※Y5V：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，是所有電容器中介電常數最大的電容器，但其容量穩定性較差，對溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，溫度變化不大的電路中。 ※Z5U：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，其溫度特性介于X7R和Y5V之間，容量穩定性較差，對溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，使用溫度范圍接近于室溫的旁路，耦合等，低直流偏壓的電路中。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：后時代明明
韓國人手機上的J2ME手機游戲哈里波特源代碼，運行于lg手機，因些聲音方面需要lg特有的API，如果你沒有lg的SDK的話，可以建立一個空接口，游戲目前在SJBOY下可以正常運行，但是沒有聲音。圖片資源請在jar包里提齲
上傳時間： 2014-01-04
上傳用戶：dreamboy36
韓國人手機上的J2ME手機游戲哈里波特源代碼，運行于lg手機，因些聲音方面需要lg特有的API，如果你沒有lg的SDK的話，可以建立一個空接口，游戲目前在SJBOY下可以正常運行，但是沒有聲音。圖片資源請在jar包里提取
上傳時間： 2013-12-13
上傳用戶：gaome
1．Describe a Θ(n lg n)-time algorithm that, given a set S of n integers and another integer x, determines whether or not there exist two elements in S whose sum is exactly x. (Implement exercise 2.3-7.)
上傳時間： 2017-04-01
上傳用戶：糖兒水嘻嘻
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