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link-level

STM32的STLINK驅動及下載軟件

解壓后直接EXE安裝，不用單獨裝STLINK驅動了，支持ST-LINK固件更新，因為我的ST-LINK出了問題，找固件更新了一大圈找到的，論壇下載區，也有一個ST-LINK固件更新，但里面只有兩個dll文件，不知道如何使用？

標簽： stm32 stlink 驅動

上傳時間： 2022-04-06

上傳用戶：jiabin
TFT+LCD驅動芯片的研究與設計

文章針對800×600象素的 TFT LCD，介紹了LCD顯示原理、TFT元件特性、TFT-LCD的結構及驅動原理，重點進行了 TFT-LCD周邊驅動電路設計，包括柵（行）驅動電路和源〔列）驅動電路。柵驅動芯片，內部主要包括邏輯控制電路、雙向移位寄存器、電平位移電路和4-Level輸出電路。本文設計了一種多模式工作的柵驅動電路，其中控制電路包含左右移位控制、輸入輸出控制、分段清零、工作模式選擇，且相互之間必須進行互相配合。可根據應用場合的不同，而選擇不同的工作模式。列驅動芯片，首先分析其工作原理，并對內部兩個關鍵電路進行設計：并行輸入串行輸出電路和用于實現λ校正的DA變換電路。并采用兩種方式實現了DA轉換，一種是利用高低電壓組合；另一種是采用高低位譯碼電路來實現。在此基礎上，為了能夠降低列驅動芯片的功耗，對列驅動芯片的結構進行了改進，并對改進后的緩沖電路進行了設計，采用 Hspice對芯片內部的模塊電路進行仿真，仿真結果表明，所設計的驅動芯片基本能夠滿足所需的要求，并對柵驅動電路進行版圖設計關鍵詞：TFT LCD電平位移柵驅動列驅動科學技術的發展日新月異，顯示技術也在發生一場革命，隨著顯示技術的突破及市場需求的急劇增長，使得以液晶顯示（LCD）為代表的平板顯示（FPD）技術迅速崛起。目前競爭最激烈的平板顯示器有四個品種：場致發射平板顯示器（FED）、等離子體平板顯示器（PDP）、薄膜晶體管液晶平板顯示器（TFT-ICD）和有機電致發光顯示器（OLED）。而由于 TFT-LCD在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等方面的優勢，從而得到廣泛的關注和應用

標簽： tft lcd 驅動芯片

上傳時間： 2022-04-22

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ST-Link原理圖和固件

１.ＳＴＬＩＮＫ原理圖和固件，用于電子愛好者制作燒寫器，這樣就不用再買燒寫器了

標簽： STLINK 固件

上傳時間： 2022-05-03

上傳用戶：fliang
JLink_V9.5 固件生成工具

JLink_V9.5 固件生成工具復制最新的JLinkARM.dll到這個目錄，然后運行makev9fw.exe，完成之后J-Link V9 ALL.bin就是最新的固件了，這個固件需要寫入mcu的0x08000000地址

標簽： jlink

上傳時間： 2022-05-22

上傳用戶：shjgzh
基于MATLAB Simulink的基帶傳輸系統的仿真

[摘要]未經調制的數字信號所占據的頻譜是從零頻或者很低頻率開始，稱為數字基帶信號，不經載波調制而直接傳輸數字基帶信號的系統，稱為數字基帶傳輸系統。常用轉碼型有AMI碼（傳號交替反轉碼）、HDB3碼（三階高密度雙極性碼）、雙相碼、差分雙相碼、密勒碼、CMI碼（傳號反轉碼）、塊編碼等。在仿真軟件設計中采用了Mathw or ks公司的MAT LAB作為仿真工具，其仿真平臺SIMU LINK具有可視化建模和動態仿真的功能，用SIMULINK構造仿真系統，方法簡單直觀，開發的仿真系統使用時間流動態仿真，可以準確描述真實系統的每一細節，并且在仿真進行的同時具有較強的交互功能，易于使用，另外該軟件還具有較好的可擴展性和可維護性。本文給出了采用仿真工具SIMU LINK，設計數字基帶傳輸系統仿真實驗軟件的系統定義、模型構造的過程。通過對仿真結果分析和誤碼性能測試表明，該仿真系統完全符合實驗要求。下文主要就仿真分析與設計進行了闡述。[關鍵詞]數字基帶傳輸，MATLAB/Simulink隨著通信系統的規模和復雜度不斷增加，統的設計方法已經不能適應發展傳的需要，通信系統的模擬仿真技術越來越受到重視。傳統的通信仿真技術主要分可以得到與真實環境十分接近的結果，為手工分析與電路試驗2種，但耗時長方法比較繁雜，而通信系統的計算機模擬仿真技術是介于上述2種方法的一種系統設計方法，它可以讓用戶在很短的時間內建立整個通信系統模型，并對其進行模擬仿真。通信原理計算機仿真實驗，是對數字基帶傳輸系統的仿真。仿真工具是MATLAB程序設計語言。MATLAB是一種先進的高技術程序設計語言，主要用于數值計算及可視化圖形處理。特點是將數值分析、矩陣計算、圖形、圖像處理和仿真等諸多強大功能集成在一個極易使用的交互式環境中偽科學研究、工程設計以及必須進行有效數值計算的眾多學科提供了一種高效率的編程工具。運用MATLAB，可以對數字基帶傳輸系統進行較為全面地研究。為了使本科類學生學好通信課程，我們進行了試點，通過課程設計的方式針對通信原理的很多內容進行了仿真。

標簽： matlab 基帶傳輸系統

上傳時間： 2022-05-30

上傳用戶：kent
（網盤）張飛無人機軟件資料打包

原理圖.rar 19.2M虛擬串口驅動.rar 2.1M無人機資料.rar 1.73G無人機視頻代碼.rar 9.5M地面站.rar 91.3MST-LINK V2.rar 5Mkeil.rar 1.55G

標簽： 無人機

上傳時間： 2022-06-06

上傳用戶：d1997wayne
STLink 驅動和V2.J33.S7固件

較新的ST-Link驅動正點原子的ST-Link可以用(選擇連接方式為為Normal或under Reset)。

標簽： stlink

上傳時間： 2022-06-17

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GD32F130xx 快速開發指南 -基于技新 GD32F130G8U6 核心板

GD32F103的移植說明和開發指南，幫助新手快速了解GD32F103芯片，縮短上手時間。本教程結合官方的用戶手冊以及固件庫例程，通過實際例程講解以及實驗現象來幫助讀者理解和使用 GD32F130xx 這個系列的芯片。軟件平臺使用的是 MDK-ARM 和官方外設驅動庫 GD32F1x0_Firmware_Library_v3.1.0（庫函數開發），硬件使用技新 GD32F130G8U6 核心板 V1.0 和 GD-LINK 下載&調試器。教程從開發平臺介紹、開發環境搭建、建立工程等基礎內容，到 GD13F130xx 外設應用，包括： GPIO應用、EXTI應用、CLK應用、USART 應用、TIMER 應用、I2C應用、SPI應用、ADC應用、FWDGT 應用和 WWDGT 應用等十大部分內容。外設應用部分的內容都配有源碼，并配合硬件平臺進行實驗講解。教程面對的對象是具有一定的 MCU 編程基礎以及 C 語言基礎的，主旨是幫助開發者快速入門和快速開發使用 GD32F130xx 系列產品。

標簽： gd32f103

上傳時間： 2022-06-18

上傳用戶：1208020161
SPI-4.2協議詳解

1. 文檔概述1.1. 文檔目的本文檔描述對SPI-4.2 協議的理解，從淺入深地詳細講解規范。1.2. SPI-4.2 簡介SPI-4.2 協議的全稱為System Packet Interface ，可譯為“系統包接口” 。該協議由OIF（ Optical Internetwoking Forum ）創建，用于規定10Gbps 帶寬應用下的物理層（ PHY）和鏈路層（ Link ）之間的接口標準。SPI-4.2 是一個支持多通道的包或信元傳輸的接口，主要應用于OC-192 ATM 或PoS 的帶寬匯聚、及10G 以太網應用中。1.3. 參考資料1) SPI-4.2 協議的標準文檔。2) 中興公司對SPI-4.2 協議文檔的翻譯稿。2. SPI-4.2 協議2.1. SPI-4.2 系統參考模型圖 1 SPI-4.2 系統參考模型圖X:\ 學習筆記\SPI-4.2 協議詳解.doc - 1 - 創建時間： 2011-5-27 21:53:00田園風光書屋NB0005 v1.1 SPI-4.2 協議詳解SPI-4.2 是一種物理層和鏈路層之間的支持多通道的數據包傳輸協議，其系統參考模型如上圖所示，從鏈路層至物理層的數據方向，稱為“發送”方向，從物理層至鏈路層的數據方向，稱為“接收”方向。在兩個方向上，都存在著流控機制。值得注意的是， SPI-4.2 是一種支持多通道（ Port）的傳輸協議。一個通道，指接收或發送方向上，相互傳輸數據的一對關聯的實體。有很多對關聯的實體，即很多個通道，都在同時傳輸數據，它們可復用SPI 總線。最多可支持256 個通道。例如OC-192 的192 個STS-1 通道，快速以太網中的100 個通道等，各個通道的數據都可以相互獨立地復用在SPI總線上傳輸。

標簽： SPI-4.2協議

上傳時間： 2022-06-19

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IGBT圖解

le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)

標簽： igbt

上傳時間： 2022-06-20

上傳用戶：wangshoupeng199