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mm

工程單位換算

mil mm,db 倍數(shù)，米每秒，千米每小時，等單位之間互相換算電阻并聯(lián)計算

標(biāo)簽： 工程單位換算

上傳時間： 2017-09-17

上傳用戶：mubo
復(fù)活節(jié)計算器

復(fù)活節(jié)計算 int y, n, a, q, b, m, w, d, mm = 4; y = atoi(argv[1]); n = y-1900; a = fmod(n,19);

標(biāo)簽： 計算器 C語言

上傳時間： 2021-07-09

上傳用戶：scfan2004
應(yīng)用ANSOFT-HFSS對曲面結(jié)構(gòu)貼片天線的模擬

結(jié)構(gòu)體的具體尺寸如下所示：a=1.20h=0.620其中介質(zhì)錐的介電常數(shù)E=2.0。選定工作頻率為f=15GHz相對應(yīng)的真空中的波長為0=20mm，這樣結(jié)構(gòu)體的兒何尺寸己經(jīng)完全確定，下面介紹求解的全過程選定求解方式為（Solution Type）Driven modal1.建立所求結(jié)構(gòu)體的幾何模型（單位：mm）。由于此結(jié)構(gòu)體的幾何形狀較簡單，使用工具欄中的Draw命令可直接畫出，這里不再贅述述。畫出的結(jié)構(gòu)體如圖4.1.2所示。2.充結(jié)構(gòu)體的材料選定結(jié)構(gòu)體中的錐體部分，添加其介電常數(shù)Er=20的介質(zhì)材料注：如果HSS中沒有提供與所需參數(shù)完全相同的材料，用戶可以通過新建材料或修改已有材料，使其參數(shù)滿足用戶需求設(shè)定結(jié)構(gòu)體的邊界條件及其激勵源a.選定結(jié)構(gòu)體的貼片部分，設(shè)定其為理想導(dǎo)體（PerE）。b.畫出尺寸為X×Y×Z=70mm×70mm×40mm的長方體作為輻射邊界，并設(shè)定其邊界條件為輻射邊界條件（Radiation Boundary）。c.由于要求出結(jié)構(gòu)體的RCS，因此設(shè)定激勵源為平面入射波（Incident Wave Source）。如圖4.1.3所示。4.設(shè)定求解細節(jié)，檢驗并求解a.設(shè)定求解過程的工作頻率為f=15GHz.其余細節(jié)設(shè)定如圖4.1.4所示。b.設(shè)定遠區(qū)輻射場的求解（Far Field Radiation Sphere欄的設(shè)定）。c.使用 Validation check命令進行檢驗，無錯誤發(fā)生，下一步運行命令 Analyze，對柱錐結(jié)構(gòu)體進行求解。如圖4.1.5和4.1.6所示。

標(biāo)簽： ansoft 天線 hfss

上傳時間： 2022-03-10

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IP6808 無線充方案 10W

無線充方案：P6808 國內(nèi)首款SOC無線充方案IP6808 正式進入無線充電行業(yè)。近日我們獲悉，這款芯片通過了Qi v1.2.4認證，WPC無線充電聯(lián)盟官網(wǎng)注冊時間為7月10日，登記ID為3691。它支持10W快充，是一顆兼容WPC v1.2協(xié)議的7.5W/10W無線充電發(fā)射控制器。特點兼容WPC v1.2.4 標(biāo)準(zhǔn) 支持5~10W 多種應(yīng)用單獨5W 應(yīng)用快充充電器輸入5~10W 應(yīng)用 5V 充電器輸入5~10W 升壓應(yīng)用 9V~15V 充電器輸入5~10W 降壓應(yīng)用輸入耐壓高達25V 集成NMOS 全橋驅(qū)動集成內(nèi)部電壓/電流解調(diào) 支持 FOD 異物檢測功能高靈敏靜態(tài)異物檢測支持動態(tài)FOD 檢測 FOD 參數(shù)可調(diào) 低靜態(tài)功耗和高效率靜態(tài)電流4mA 實測系統(tǒng)充電效率高達79% 兼容NPO 電容和CBB 電容支持成品固件在線升級針對供電能力不足的USB 電源有動態(tài)功率調(diào)整功能（DPM）支持低至5V 500mA 的充電器輸入過壓，過流保護功能支持PD3.0 輸入請求支持NTC 用于系統(tǒng)各狀態(tài)指示的2 路 LED 封裝 5 mm × 5 mm 0.5pitch QFN32應(yīng)用產(chǎn)品背夾、無線充電底座車載無線充電設(shè)備

標(biāo)簽： ip6808 無線充電

上傳時間： 2022-06-15

上傳用戶：bluedrops
壓電陶瓷在超聲波電機中的應(yīng)用研究.

超聲波電機利用壓電陶瓷的逆壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C械振動，再通過摩擦作用將機械振動轉(zhuǎn)變?yōu)殡姍C的旋轉(zhuǎn)（直線）運動，進而驅(qū)動負載。壓電陶瓷作為超聲波電機的振動發(fā)生器件，其性能的優(yōu)劣直接影響到電機的輸出性能。本文采用傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷，研究壓電阿瓷在行被型超聲波電機中的應(yīng)用及壓電性能對電機性能的影響.研究了P41和PMns-PZN-PZT壓電陶瓷材料的結(jié)構(gòu)、性能、頻率溫度穩(wěn)定性及極化方式對壓電陶瓷性能的影響。結(jié)果表明，這兩種材料都具有較好的介電溫度穩(wěn)定性，P41具有明顯的鐵電體相變特點，PMns-PZN-PZT具有她豫-鐵電體相變特點。采用同時同向一次極化工藝改善了二次極化工藝所遺留的各極化區(qū)域ds不均勻、分區(qū)界面應(yīng)力的存在導(dǎo)致的性能不穩(wěn)定性，同時縮短了極化時間，提高了超聲波電機的輸出性能.P-41陶的極化采件為3kV/mm，120 ℃極化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的極化條件為3.5 kV/mm.140℃極化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷的性能與超聲波電機性能的相關(guān)性，探討了電機的導(dǎo)納、負載、啟動與關(guān)斷和溫度特性。結(jié)果表明，電機具有較好的瞬態(tài)特性，啟動時間ams，關(guān)斷時間<l ms.采用P-41壓電陶瓷電機的啟動與關(guān)斷速度比PMnS-PZIN-PZT壓電陶登電機的快，與P41壓電陶瓷具有非弛豫相變特點有關(guān)，說明P41壓電陶瓷比較適用于需要反復(fù)開關(guān)的超聲電機.同時，P41電機的Qm較小而Aar比較大（TRUM-60 1型電機），具有較好的負載驅(qū)動能力。電機的表面溫度隨運轉(zhuǎn)時間的延長迅速升高，最終在某一溫度下穩(wěn)定運轉(zhuǎn)，采用PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷電機的表面溫度明顯低于采用P41壓電陶瓷的電機（TRLIM6011電機），與PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷具有非常低的介電損耗有關(guān)，因此這種材料比較適用于需要長時間運轉(zhuǎn)的超聲波電機。預(yù)壓力對電機的性能影響很大，不同尺寸電機具有不同的驅(qū)動性能.

標(biāo)簽： 壓電陶瓷超聲波電機

上傳時間： 2022-06-18

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sony CMOS傳感器 IMX385LQR-C DataSheet

DescriptionThe IMX385LQR-C is a diagonal 8.35 mm (Type 1/2) CMOS active pixel type solid-state image sensor with a squarepixel array and 2.13 M effective pixels. This chip operates with analog 3.3 V, digital 1.2 V, and interface 1.8 V triplepower supply, and has low power consumption. High sensitivity, low dark current and no smear are achieved throughthe adoption of R, G and B primary color mosaic filters. This chip features an electronic shutter with variablecharge-integration time.(Applications: Surveillance cameras)

標(biāo)簽： CMOS傳感器 IMX385LQR-C

上傳時間： 2022-06-18

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sony CMOS傳感器 IMX178LQJ-C dataSheet

sony CMOS傳感器datasheet，IMX178LQJ-C_Data_SheetDescriptionThe IMX178LQJ-C is a diagonal 8.92 mm (Type 1/1.8) CMOS active pixel type image sensor with a square pixelarray and 6.44 M effective pixels. This chip operates with analog 2.9 V, digital 1.2 V and interface 1.8 V triple powersupply, and has low power consumption.High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary colormosaic filters.This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.(Applications: Surveillance cameras, FA cameras, Industrial cameras)

標(biāo)簽： CMOS傳感器 IMX178LQJ-C

上傳時間： 2022-06-18

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射頻IC MFRC522在智能儀表中的應(yīng)用

1引言由于環(huán)境溫度、濕度、油污等外界條件對諸如預(yù)付費水表、預(yù)付費燃氣表、預(yù)付費熱量表等接觸式卡表的影響明顯，卡座磨損、腐蝕，以及潮氣、灰塵等大大縮短了對卡表的使用壽命，因此非接觸卡表已成為當(dāng)前發(fā)展趨勢。這里給出了一種基于射頻器件MFRCS22"的智能儀表設(shè)計，提高了智能儀表的使命壽命。2 MFRC522簡介2.1 MFRC522的特點MFRC522采用串行通信方式與主機通信，可根據(jù)用戶需求，選用SPIPC或串行UART工作模式，有利于減少連線，縮小PCB板面積，降低成本。MFRC522主要特點如下：高度集成的調(diào)制解調(diào)電路，采用少量外部器件，即可將輸出驅(qū)動級接至天線；支持ISO/EC 14443 TypeA接口和MIFARE通信協(xié)議；支持多種主機接口：10 Mbitls的SPI接口；PC接口，快速模式的速率為400 Kbit/s，高速模式的速率為3400 Kbitls；串行UART，傳輸速率可以高達1 228.8 kbits，取 RS232 口；特有的發(fā)送器掉電機制可關(guān)團內(nèi)部天線驅(qū)動器，即關(guān)閉RF場，達到低功耗；內(nèi)置溫度傳感器，在過熱時自動停止RF發(fā)射；獨立的多組電源供電，避免相互干擾，優(yōu)化EMC特性和信號退構(gòu)性能；25 V-3.6 V的低壓、低功耗，采用5 mmx5mmx0.85 mm的超小型HVQFN32封裝。

標(biāo)簽： 射頻 ic mfrc522 智能儀表

上傳時間： 2022-06-20

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CCD攝像機大視場光學(xué)鏡頭的設(shè)計

摘要：為提高CCD攝像機的成像質(zhì)量，同時使鏡頭結(jié)構(gòu)緊湊、小型化，在大視場光學(xué)鏡頭的設(shè)計中，引入標(biāo)準(zhǔn)二次曲面和偶次非球面。根據(jù)初級像差理論，分析了非球面的位置、初始結(jié)構(gòu)參數(shù)的求解規(guī)律。通過理論計算和ZEMAX光學(xué)設(shè)計軟件的優(yōu)化，給出工作波長為Q~Q7m、全視場角為80，相對孔徑為1：15的鏡頭設(shè)計實例。該鏡頭由7塊鏡片組成，包括一個標(biāo)準(zhǔn)二次曲面和兩個8次方非球面；在40p/mm空間頻率處的MTF值超過Q85，全視場畸變小于3%，像質(zhì)優(yōu)良。關(guān)鍵詞：CCD攝像機；大視場；光學(xué)鏡頭；非球面引言CCD攝像設(shè)備在圖像傳感領(lǐng)域的迅速發(fā)展，成為現(xiàn)代光電子學(xué)和測試技術(shù)中最為引人關(guān)注的研究熱點之一。在科研領(lǐng)域，由于CCD具有靈敏度高、噪聲低、成本低、小而輕等優(yōu)點，已成為研究宏觀（如天體）和微觀（如生物細胞）現(xiàn)象不可缺少的工具。在國防軍事領(lǐng)域，CCD成像技術(shù)在微光、夜視及遙感應(yīng)用中發(fā)揮著巨大的作用。總之，在各類光電成像領(lǐng)域中，它已逐步取代了真空攝像管的成像系統(tǒng)。

標(biāo)簽： ccd 攝像機

上傳時間： 2022-06-23

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安森美車規(guī)級1080P圖像傳感器AR0231手冊

AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB濾光）安森美半導(dǎo)體推出采用突破性減少LED閃爍 (LFM)技術(shù)的新的230萬像素CMOS圖像傳感器樣品AR0231AT，為汽車先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)應(yīng)用確立了一個新基準(zhǔn)。新器件能捕獲1080p高動態(tài)范圍(HDR)視頻，還具備支持汽車安全完整性等級B(ASIL B)的特性。LFM技術(shù)(專利申請中)消除交通信號燈和汽車LED照明的高頻LED閃爍，令交通信號閱讀算法能于所有光照條件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光學(xué)格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素陣列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半導(dǎo)體的DR-Pix?技術(shù)，提供雙轉(zhuǎn)換增益以在所有光照條件下提升性能。它以線性、HDR或LFM模式捕獲圖像，并提供模式間的幀到幀情境切換。 AR0231AT提供達4重曝光的HDR，以出色的噪聲性能捕獲超過120dB的動態(tài)范圍。AR0231AT能同步支持多個攝相機，以易于在汽車應(yīng)用中實現(xiàn)多個傳感器節(jié)點，和通過一個簡單的雙線串行接口實現(xiàn)用戶可編程性。它還有多個數(shù)據(jù)接口，包括MIPI(移動產(chǎn)業(yè)處理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它關(guān)鍵特性還包括可選自動化或用戶控制的黑電平控制，支持擴頻時鐘輸入和提供多色濾波陣列選擇。封裝和現(xiàn)狀：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封裝，現(xiàn)提供工程樣品。工作溫度范圍為-40℃至105℃(環(huán)境溫度)，將完全通過AEC-Q100認證。

標(biāo)簽： 圖像傳感器

上傳時間： 2022-06-27

上傳用戶：XuVshu