寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠...
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MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。
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LNA的功能和指標(biāo)二端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲系數(shù)Bipolar LNAMOS LNA非準(zhǔn)靜態(tài)(NQS)模型和柵極感應(yīng)噪聲CMOS最小噪聲系數(shù)和最佳噪聲匹配參考文獻(xiàn)LNA 的功能和指標(biāo)• 第一級有源電路，其噪聲、非線性、匹配等性能對整個接收機(jī)至關(guān)重要• 主要指標(biāo)– 噪聲系數(shù)(NF)取決于...
LDO線性穩(wěn)壓器動態(tài)頻率補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)
摘要：對LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)頻率補(bǔ)償電路，利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過采樣負(fù)載電流而改變MOS開關(guān)管的工作點(diǎn)或工作狀態(tài)，即改變開關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實(shí)現(xiàn)動態(tài)的頻率補(bǔ)償。與傳統(tǒng)方法相比...
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD ...
模擬cmos集成電路設(shè)計(jì)(design of analog
模擬集成電路的設(shè)計(jì)與其說是一門技術(shù)，還不如說是一門藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)需要更嚴(yán)格的分析和更豐富的直覺。嚴(yán)謹(jǐn)堅(jiān)實(shí)的理論無疑是嚴(yán)格分析能力的基石，而設(shè)計(jì)者的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學(xué)者對學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計(jì)感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國加州大學(xué)洛杉機(jī)分校(UCLA)Raz...
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