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mosfet開(kāi)關(guān)

  • 開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

    標(biāo)簽： MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 功率 分

    上傳時(shí)間： 2013-11-14

    上傳用戶(hù)：dongqiangqiang

  • 功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)

    功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)

    標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間： 2013-10-22

    上傳用戶(hù)：wutong

  • 理解功率MOSFET的RDS

    深入理解理解功率MOSFET的RDSON

    標(biāo)簽： MOSFET RDS 功率

    上傳時(shí)間： 2013-10-12

    上傳用戶(hù)：zjwangyichao

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶(hù)：swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間： 2013-11-19

    上傳用戶(hù)：阿譚電器工作室

  • IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

    IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

    標(biāo)簽： MOSFET IGBT 功率模塊 應(yīng)用手冊(cè)

    上傳時(shí)間： 2013-11-19

    上傳用戶(hù)：JasonC

  • MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

    功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。

    標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路

    上傳時(shí)間： 2013-12-18

    上傳用戶(hù)：ccclll

  • Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DP

    Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝

    標(biāo)簽： Vishay MOSFET 252 DP

    上傳時(shí)間： 2013-11-09

    上傳用戶(hù)：immanuel2006

  • Allegro SPB V15.2 版新增功能

    15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點(diǎn)的Z軸延遲計(jì)算功能. 先開(kāi)啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets  下的 DRC 選項(xiàng).  點(diǎn)選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁(yè)面 勾選 Z-Axis delay欄. 

    標(biāo)簽： Allegro 15.2 SPB

    上傳時(shí)間： 2013-11-12

    上傳用戶(hù)：Late_Li

  • java中關(guān)於tree的寫(xiě)法,不同于往常

    java中關(guān)於tree的寫(xiě)法,不同于往常

    標(biāo)簽： java tree

    上傳時(shí)間： 2013-12-19

    上傳用戶(hù)：xz85592677

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